UCC27423 和 UCC27424 高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器可在 電容負(fù)載。提供兩種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng) – 雙反相和雙同相 司機(jī)。UCC27424熱增強(qiáng)型 8 引腳 PowerPAD? MSOP 封裝 （DGN） 大大降低了熱 抵抗力，以提高長(zhǎng)期可靠性。UCC27423采用標(biāo)準(zhǔn) SOIC-8 （D） 封裝 包。
*附件：ucc27424-ep.pdf

該驅(qū)動(dòng)器采用本質(zhì)上可最大限度降低擊穿電流的設(shè)計(jì)，可提供 4 A 電流 在最需要的地方提供電流 – 在 MOSFET 開(kāi)關(guān)期間的米勒平臺(tái)區(qū)域 過(guò)渡。獨(dú)特的雙極和 MOSFET 混合并聯(lián)輸出級(jí)也允許高效的 在低電源電壓下提供和吸收電流。

UCC27423 和 UCC27424 提供使能 （ENB） 功能，以更好地控制作 的驅(qū)動(dòng)程序應(yīng)用程序。ENBA 和 ENBB 在引腳 1 和 8 上實(shí)現(xiàn)，以前是 在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局中未使用。ENBA 和 ENBB 在內(nèi)部被拉取到 VDD 系列對(duì)于高電平有效邏輯，對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)邏輯，可以保持開(kāi)路 操作。

特性

• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列
• 為每個(gè)驅(qū)動(dòng)程序啟用功能
• ±4 A 的高電流驅(qū)動(dòng)能力
• 獨(dú)特的雙極和 CMOS True-Drive 輸出
  級(jí)可在 MOSFET 米勒
  閾值下提供高電流
• TTL / CMOS 兼容型輸入，不受電源電壓的影響
• 1.8nF 負(fù)載時(shí)，上升時(shí)間為 20ns（典型值），下降時(shí)間為
  15ns（典型值）
• 典型傳播延遲時(shí)間為 25 ns
  （輸入下降時(shí)）和 35 ns（輸入上升時(shí)）
• 4.5V 至 15V 電源電壓
• 雙輸出可并聯(lián)以獲得更高的驅(qū)動(dòng)
  電流
• 采用耐熱增強(qiáng)型 MSOPPowerPAD? 封裝，R 為 4.7°C/WθJC
• 支持國(guó)防、航空航天和醫(yī)療應(yīng)用
  • 受控基線
  • 一個(gè)裝配/測(cè)試站點(diǎn)
  • 一個(gè)制造工地
  • 延長(zhǎng)產(chǎn)品生命周期
  • 延長(zhǎng)產(chǎn)品變更通知
  • 產(chǎn)品可追溯性
• 應(yīng)用
  • 開(kāi)關(guān)模式電源
  • DC/DC 轉(zhuǎn)換器
  • 電機(jī)控制器
  • 線路驅(qū)動(dòng)器
  • D 類(lèi)開(kāi)關(guān)放大器

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

UCC-EP 是一款雙路 A 高速低側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，具有使能功能。它專(zhuān)為開(kāi)關(guān)模式電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制器、線路驅(qū)動(dòng)器和 Class-D 開(kāi)關(guān)放大器等應(yīng)用設(shè)計(jì)。UCC-EP 提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的引腳布局，支持雙路獨(dú)立輸出，每路輸出可提供高達(dá) ±A 的峰值電流，適用于驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載。

二、主要特性

• ?雙路獨(dú)立輸出?：每路輸出均可獨(dú)立控制，適用于復(fù)雜電路中的多 MOSFET 驅(qū)動(dòng)需求。
• ?高速性能?：具有 ns 的典型上升時(shí)間和 ns 的典型下降時(shí)間，支持高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
• ?高電流驅(qū)動(dòng)能力?：每路輸出可提供 ±A 的峰值電流，滿(mǎn)足大容性負(fù)載的快速充放電需求。
• ?使能功能?：集成使能引腳（ENBA 和 ENBB），可獨(dú)立控制每路輸出的使能狀態(tài)，提高電路靈活性。
• ?TTL/CMOS 兼容輸入?：輸入信號(hào)兼容 TTL 和 CMOS 電平，便于與多種控制芯片接口。
• ?熱增強(qiáng)型封裝?：采用 MSOP- PowerPAD 封裝，具有優(yōu)異的熱散性能，確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。

三、引腳配置與功能

• ?ENBA/ENBB?：使能引腳，用于控制對(duì)應(yīng)輸出通道的使能狀態(tài)。
• ?INA/INB?：輸入引腳，接收控制信號(hào)，控制對(duì)應(yīng)輸出通道的輸出狀態(tài)。
• ?GND?：公共地引腳，為所有信號(hào)提供參考地。
• ?OUTA/OUTB?：輸出引腳，分別對(duì)應(yīng)兩路輸出通道，用于驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET。
• ?VDD?：供電引腳，為驅(qū)動(dòng)器提供工作電壓。

四、電氣特性

• ?供電電壓范圍?：.V 至 V，寬電壓范圍適應(yīng)不同應(yīng)用場(chǎng)景。
• ?輸出電流?：每路輸出可提供 ±A 的峰值電流，滿(mǎn)足大容性負(fù)載需求。
• ?上升/下降時(shí)間?：典型值為 ns/ns，支持高頻開(kāi)關(guān)操作。
• ?使能閾值?：具有邏輯兼容的閾值和遲滯特性，確保穩(wěn)定可靠的使能控制。

五、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：適用于開(kāi)關(guān)模式電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制器等需要高速、高電流驅(qū)動(dòng)能力的場(chǎng)景。
• ?設(shè)計(jì)考慮?：在布局時(shí)應(yīng)盡量減小寄生電感，將驅(qū)動(dòng)器靠近 MOSFET 放置，并使用低電感的旁路電容以提高電路性能。
• ?驅(qū)動(dòng)能力測(cè)試?：文件提供了源電流和沉電流的測(cè)試電路和測(cè)試結(jié)果，驗(yàn)證了驅(qū)動(dòng)器的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

六、封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類(lèi)型?：MSOP- PowerPAD 封裝，具有優(yōu)異的熱散性能。
• ?訂購(gòu)信息?：提供了詳細(xì)的訂購(gòu)代碼和封裝信息，方便用戶(hù)選擇和采購(gòu)。