在4月11日舉行的第七屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2018產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會上，富士通半導(dǎo)體展示的三大存儲技術(shù)引起了觀眾的廣泛關(guān)注。作為系統(tǒng)關(guān)鍵組成部分，存儲性能至關(guān)重要。各種系統(tǒng)對存儲器讀寫速度、可重復(fù)讀寫次數(shù)、讀寫功耗、安全性以及對供電的要求都各不相同，存儲技術(shù)正在走向細(xì)分。聽聽富士通專家怎么說

富士通電子元器件（上海）有限公司產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新

小編首先要為大家介紹的是重中之重的FRAM，富士通半導(dǎo)體FRAM產(chǎn)品系列非常豐富，包括獨(dú)立式記憶體、內(nèi)建FRAM的RFID/驗(yàn)證系統(tǒng)級晶片(LSI)，以及客制化解決方案。

富士通電子元器件（上海）有限公司產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新表示：“FRAM有三大優(yōu)勢，一是高讀寫入耐久性，寫的次數(shù)比較多。二是高速寫入，因?yàn)閷懭肟梢愿{米秒的速度相比。三是低功耗，一般在NOR Flash寫和擦的時(shí)候需要一個升降電路，F(xiàn)RAM不需要，所以是低功耗。”

富士通的FRAM產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于各種先進(jìn)領(lǐng)域，如計(jì)量、工業(yè)設(shè)備和FA設(shè)備。馮總提到汽車、智能表計(jì)系統(tǒng)和IoT是其三大目標(biāo)市場。

目標(biāo)市場之汽車電子系統(tǒng)

富士通FRAM在工業(yè)領(lǐng)域擁有成功的經(jīng)驗(yàn)和多年的積累，也為FRAM進(jìn)入汽車市場奠定了基礎(chǔ)。汽車電子市場的關(guān)注度之高，小編從現(xiàn)場觀眾的熱情就感受到了，下面小編就為大家講下FRAM如何在汽車電子市場大展身手。

FRAM在電池管理系統(tǒng)BMS應(yīng)用

法國，印度，挪威和丹麥等國家陸續(xù)發(fā)表減少燃油汽車，大力發(fā)展新能源汽車。中國政府計(jì)劃在2020年以前普及新能源汽車到500萬輛。新能源汽車非常核心的部分電池管理系統(tǒng)BMS需要實(shí)時(shí)記錄數(shù)據(jù)和存儲數(shù)據(jù)。因?yàn)橄到y(tǒng)需要每0.1或1秒，實(shí)時(shí)和連續(xù)地存儲重要數(shù)據(jù)(電池單元的電壓，電流和溫度等)。同時(shí)，系統(tǒng)要監(jiān)控短期(最后幾個充電周期，60次/秒)和長期(整個電池壽命)電池性能。FRAM的高速寫入的優(yōu)勢在這里得到完美體現(xiàn)。

FRAM在整車控制單元VCU中的應(yīng)用

汽車中的另外一個重要單元——VCU（整車控制單元），同樣需要高頻次的記錄汽車行駛的當(dāng)前狀態(tài)和發(fā)生故障時(shí)的變速器、加速、剎車和輸出扭矩等信息，系統(tǒng)需要以每秒一次的頻率去記錄汽車行駛的當(dāng)前狀態(tài)和發(fā)生故障時(shí)的變速器擋位，加速狀況，剎車和輸出扭矩等信息。采用FRAM可以通過更簡單的軟件進(jìn)行存儲與讀取，同時(shí)保證高速和高可靠性。

FRAM在ADAS中的應(yīng)用

ADAS是汽車領(lǐng)域非?；馃岬脑掝}，在ADAS的兩個核心部分中央處理器和傳感器系統(tǒng)，存儲器都起到重要的作用，F(xiàn)RAM能滿足雷達(dá)、聲吶、GPS對存儲的要求。

目標(biāo)市場之智能表計(jì)系統(tǒng)領(lǐng)域

根據(jù)國家電網(wǎng)的規(guī)定，三相電表的重要數(shù)據(jù)在掉電等異常情況下，需要至少以每秒一次的速度被實(shí)時(shí)紀(jì)錄下來。高速、高讀寫耐久性的FRAM的使用，正是滿足了工業(yè)、商業(yè)智能電表的高可靠性和無遲延的設(shè)計(jì)要求。

在智能表計(jì)領(lǐng)域，富士通成果頗豐?！案皇客ㄈ騀RAM存儲器銷量在2016年就已經(jīng)超過33億片，其中面向世界電表客戶累計(jì)交貨4000萬片。包括中國在內(nèi)世界主要的電表制造商都是FRAM產(chǎn)品的忠實(shí)擁躉，特別是三相電表中FRAM的應(yīng)用滲透率非常高。”馮逸新指出。

目標(biāo)市場之IoT應(yīng)用

目前針對物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的無線無電池的市場需求，富士通也在研發(fā)無線供電的低功耗嵌入式RFID芯片。

FRAM應(yīng)用于RFID有以下幾個特點(diǎn)：

一是耐輻射性，在強(qiáng)輻射的照射下數(shù)據(jù)仍然可以安全存儲;

二是低功耗和外部元器件供電，在不穩(wěn)定電源或者不需要電源狀態(tài)下，仍然可以實(shí)現(xiàn)高可靠的讀寫應(yīng)用;

三是快速讀寫能力，提高標(biāo)簽的讀寫吞吐量提高效率。還有，大容量可以滿足大量數(shù)據(jù)的存儲，同等的讀寫距離使應(yīng)用更方便。

FRAM技術(shù)的優(yōu)勢結(jié)合RFID技術(shù)，讓RFID在物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用市場更加開闊。