根據(jù)半導(dǎo)體分立器件的功能與結(jié)構(gòu)差異，可將其分為以下核心類別，各類型典型器件及應(yīng)用場(chǎng)景如下：

?一、基礎(chǔ)二極管類?

?二、晶體管類?

?功能特性?：

BJT：電流放大（HFE參數(shù)）

MOSFET：電壓控制開關(guān)（低RDS(on)）

IGBT：高壓大電流開關(guān)（汽車電驅(qū)核心）

?三、功率控制器件?

?晶閘管家族?：

?單向可控硅（SCR）?：整流調(diào)壓（如BT151）

?雙向可控硅（TRIAC）?：交流相位控制（照明調(diào)光）

?門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）?：兆瓦級(jí)功率切換（工業(yè)變頻）

?整流橋堆?：

GBJ系列整流橋（集成多二極管）

?四、特種器件與傳感器?

?五、第三代半導(dǎo)體器件?

?SiC基器件?：

SiC MOSFET（1700V耐壓，電動(dòng)汽車主驅(qū)）

SiC Schottky二極管（高頻低損耗）

?GaN基器件?：

GaN HEMT（＞100MHz開關(guān)，手機(jī)快充）

六、核心靜態(tài)參數(shù)測(cè)量方法?

?1. 基礎(chǔ)電參數(shù)?

?2. 熱相關(guān)參數(shù)?

?七、關(guān)鍵測(cè)試技術(shù)?

?抗自熱干擾?

大電流測(cè)試使用?脈沖法?（脈寬≤100μs）替代直流，避免溫升影響精度

示例：測(cè)IGBT時(shí)，脈沖電流可縮短至10ms內(nèi)

?高精度連接?

低阻參數(shù)必須采用?四線開爾文法?消除引線誤差

?安全防護(hù)?

高壓測(cè)試（＞100V）需設(shè)置電流鉗位（如1mA）并啟用高壓警示區(qū)

穩(wěn)壓管測(cè)試時(shí)串聯(lián)限流電阻防燒毀

西安中昊芯測(cè)的SC2010半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)是國(guó)內(nèi)自主研發(fā)的高端測(cè)試設(shè)備，完美替代美國(guó)STI5000系列測(cè)試機(jī)。該系統(tǒng)具有以下核心優(yōu)勢(shì)：

精準(zhǔn)測(cè)試能力：

采用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立I-V特性曲線

測(cè)試精度高達(dá)0.2%+2LSB

支持6~20ms快速測(cè)試，百點(diǎn)曲線僅需數(shù)秒

智能化功能：

支持自動(dòng)生成功率器件I-V曲線

可定制功能測(cè)試方案

數(shù)據(jù)可導(dǎo)出為Excel/Word格式

安全防護(hù)系統(tǒng)：

集成過電保護(hù)功能

門極過電保護(hù)適配器

內(nèi)置自診斷測(cè)試代碼

便捷操作體驗(yàn)：

USB/RS232雙接口連接

圖形化人機(jī)交互界面

570×450×280mm緊湊設(shè)計(jì)

審核編輯 黃宇