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Simcenter FLOEFD T3STER自動(dòng)校準(zhǔn)模塊:提高電子冷卻研究的準(zhǔn)確性

深圳市和??萍加邢薰?/a> ? 2025-07-08 10:32 ? 次閱讀
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優(yōu)勢




執(zhí)行封裝熱模型的高精度結(jié)溫預(yù)測(在特定情況下,精度可超過 99.5%)

克服與傳統(tǒng)手動(dòng)校準(zhǔn)相關(guān)的時(shí)間限制

輕松探索測量校準(zhǔn)所需的封裝規(guī)格和材料特性變化

在CFD研究中充分利用校準(zhǔn)的最高精度瞬態(tài)熱模型,更準(zhǔn)確地評估設(shè)計(jì)熱穩(wěn)定性,并驗(yàn)證成本降低決策的正確性

摘要

Simcenter FLOEFD、CAD嵌入式CFD軟件的自動(dòng)校準(zhǔn)模塊可輕松快速地依據(jù)熱瞬態(tài)測試數(shù)據(jù)校準(zhǔn)熱模型,有效提高仿真精度。自動(dòng)熱模型校準(zhǔn)增強(qiáng)的熱分析精度有助于滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品開發(fā)中日益苛刻的設(shè)計(jì)要求。實(shí)踐證明,依據(jù)測試紙校準(zhǔn)仿真模型對于打磨高保真度的組件熱建模精度很關(guān)鍵,但是手動(dòng)校準(zhǔn)調(diào)整工作可能相當(dāng)耗時(shí)。作為Siemens Xcelerator產(chǎn)品組合的一大構(gòu)成,多款Simcenter測試和仿真工具加持了獨(dú)特的自動(dòng)校準(zhǔn)技術(shù)。

Simcenter Micred T3STER硬件是一款先進(jìn)的熱瞬態(tài)測試解決方案,適用于IC封裝、功率半導(dǎo)體、LED和電子系統(tǒng)的熱特性分析。該設(shè)備采用電氣測試方法提供公認(rèn)的高精度、可重復(fù)的結(jié)溫瞬態(tài)測量功能。在電子設(shè)備或IC封裝的典型測試期間,可精準(zhǔn)測量功率階躍的加熱或冷卻瞬態(tài)響應(yīng)。測量結(jié)果經(jīng)過后處理以生成結(jié)構(gòu)函數(shù),表征從器件結(jié)點(diǎn)到環(huán)境的熱流路徑,作為熱阻與熱容的關(guān)系曲線。工程師如今可以通過在Simcenter FLOEFD中自動(dòng)校準(zhǔn)基于仿真的結(jié)構(gòu)函數(shù)并匹配導(dǎo)入的測量結(jié)果后生成結(jié)構(gòu)函數(shù),以獲得高精度的熱特性模型,并輕松自如地將其用于瞬態(tài)分析。

先決條件

Simcenter Micred T3STER SI、T3STER或Power Tester硬件設(shè)備測量數(shù)據(jù)。

Simcenter FLOEFD

T3STER自動(dòng)校準(zhǔn)模塊

Simcenter FLOEFD自動(dòng)校準(zhǔn)模塊賦能用戶首先從Simcenter Micred T3STER硬件熱瞬態(tài)測試研究中導(dǎo)入基于測量的結(jié)構(gòu)函數(shù),隨后將其與基于仿真的結(jié)構(gòu)函數(shù)進(jìn)行比較分析。接下來,工程師用戶可以運(yùn)用參數(shù)化研究工具的自動(dòng)校準(zhǔn)功能,深入探索封裝模型內(nèi)部規(guī)格和材料特性變化。此自動(dòng)程序可確保仿真模型瞬態(tài)熱特性與測試數(shù)據(jù)相匹配。其結(jié)果是生成高精度且已校準(zhǔn)的3D詳細(xì)模型,可將其用于瞬態(tài)分析。

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熱瞬態(tài)測試、結(jié)構(gòu)函數(shù)生成以及未校準(zhǔn)與已校準(zhǔn)熱模型的比較分析。高精度且已校準(zhǔn)的瞬態(tài)分析熱特性模型對于以下應(yīng)用具有很高的應(yīng)用價(jià)值:

  • 基于功率電子任務(wù)配置文件的熱穩(wěn)定性分析洞察,例如給定電動(dòng)汽車駕駛循環(huán)車輛逆變器內(nèi)的功率半導(dǎo)體結(jié)溫預(yù)測等
  • 數(shù)字電子學(xué),例如:對功率模式變化、熱響應(yīng)或節(jié)流控制影響執(zhí)行建模
  • 供應(yīng)鏈支持,用于半導(dǎo)體OEM為電子產(chǎn)品客戶提供高精度測試校準(zhǔn)的詳細(xì)熱模型,以生成市場差異化優(yōu)勢價(jià)值
  • 高保真度3D詳細(xì)熱模型亦是快速生成各種降階、求解電熱電路仿真或系統(tǒng)仿真模型的利好基礎(chǔ)。(有關(guān)獨(dú)立于邊界條件的降階模型的更多詳細(xì)信息,請參見Simcenter FLOEFD BCI-ROM和Package Creator模塊)

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自動(dòng)校準(zhǔn)過程。

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結(jié)構(gòu)函數(shù)校準(zhǔn)特寫視圖。

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采用已自動(dòng)校準(zhǔn)的IC封裝熱模型執(zhí)行精確的瞬態(tài)響應(yīng)建模。

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