據(jù)IC Insights預(yù)測(cè)，2018年世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)估將首度超過(guò)1000億美元，預(yù)計(jì)可達(dá)到1026億美元，較2017年增長(zhǎng)14%，較2016年增長(zhǎng)53—54%左右。

其他一些主要廠商如聯(lián)電（2018年支出20億美元）、東芝（繼續(xù)有意進(jìn)行單獨(dú)的晶圓制程）、德儀、意法、閃迪/西數(shù)等等，2018年將有所加大投入。

據(jù)集邦拓璞產(chǎn)研院數(shù)據(jù)評(píng)估，2018年將是中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)建線安裝的熱潮期，如中芯國(guó)際投資19億美元提升至23億美元（約150億元人民幣）用于14nmFinFET風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2020年試用EUV推進(jìn)7nm研制。上海華力第二工廠（Fab6）首臺(tái)ASML制造的NXT1980Di光刻機(jī)首臺(tái)入廠，其他設(shè)備緊緊跟入；上海華虹集團(tuán)在2018年規(guī)劃總投入387億元人民幣，建12英寸4萬(wàn)片/月，工藝技術(shù)為28-14nm，預(yù)期在2022年達(dá)產(chǎn)，主產(chǎn)邏輯芯片，年前可進(jìn)入安裝調(diào)試，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線流片（華力二廠）；華虹無(wú)錫工廠12吋生產(chǎn)線投資近100億美元，現(xiàn)進(jìn)入基建工程。長(zhǎng)江存儲(chǔ)總投資240億美元，2020年達(dá)月產(chǎn)30萬(wàn)片，現(xiàn)193nm浸潤(rùn)式光刻機(jī)入廠，用于20-14nm工藝，2018年3D NAND試產(chǎn)，2019年64層（128GB）量產(chǎn)。

另有福建晉華集成（投資370億元人民幣）、中芯國(guó)際北方（投資40億美元）、合肥長(zhǎng)鑫（投資72億美元）、德淮半導(dǎo)體（投資150億元人民幣）、江蘇時(shí)代芯存（投入130億元）都進(jìn)入設(shè)備安裝期和試產(chǎn)期，設(shè)備投資比重更大。同時(shí)國(guó)內(nèi)還有較多8吋線投資等。

在2018年世界集成電路制造設(shè)備投資中可看出，2018世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入力度正在加大，據(jù)SEMI報(bào)道，2018年世界集成電路制造設(shè)備市場(chǎng)規(guī)劃投資預(yù)計(jì)為600—630億美元（有報(bào)道稱可達(dá)700億美元左右），同比增長(zhǎng)7.5%-11.0%。其中，晶圓制造設(shè)備投資規(guī)劃為506-510億美元（有報(bào)道稱可達(dá)520億美元）、封裝設(shè)備規(guī)劃投資為43-45億美元，測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)投資規(guī)劃為51-55億美元，其他設(shè)備支出26-30億美元。從上述資料可看出，2018年世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資額預(yù)計(jì)將超過(guò)1000億美元，創(chuàng)歷史新高。