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長江存儲將首次公布3D NAND閃存技術(shù),實現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時代躍進

dKBf_eetop_1 ? 來源:未知 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-07-30 17:57 ? 次閱讀
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紫光旗下的長江存儲(YMTC)宣布,將首次參加8月份在美舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)。

此次峰會,長江存儲CEO楊士寧博士將發(fā)布表主題演講并揭曉突破性技術(shù)Xtacking。官方稱,Xtacking可以將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當(dāng)?shù)乃疁?,同時使存儲密度達到行業(yè)領(lǐng)先水平,實現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時代躍進。

據(jù)悉,Xtacking可用于消費級/企業(yè)級SSD還有UFS閃存,且實現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時間,并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。

那么DDR4的傳輸速度是什么級別?

以常見的DDR4-2400單通道為例,數(shù)據(jù)速率2400Mbps,理論峰值帶寬2400MHz x 64bit/8=18.75GB/s。

還不清楚紫光所謂速度級別的具體數(shù)字,僅從紙面分析,倒是很像Intel在做的傲騰存儲,最終目標是閃存、內(nèi)存二合一。

閃存示意圖

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:長江存儲將首次公布速率與DDR4相當(dāng)?shù)?D NAND閃存技術(shù)!

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