這里介紹一種利用普通萬(wàn)用電表就能測(cè)出晶體管反向擊穿電壓的小儀器，其測(cè)量范圍為0～1000V，可滿足一般測(cè)量要求。

1.電路原理

晶體管反向擊穿電壓測(cè)試器的電路如下圖所示。

電路可看作一個(gè)高壓恒流源向待測(cè)管饋電，用萬(wàn)用表就可直接讀出管子的反向擊穿電壓。電路實(shí)質(zhì)上是一個(gè)反饋式直流變換器，它將3V直流電壓轉(zhuǎn)換為1200V左右的主高壓直流電。電路通通電后，由于變壓器T的繞組N1與N2之間的耦合反饋?zhàn)饔?，使電路形成?qiáng)烈振蕩，振蕩電壓經(jīng)繞組N3升壓，由VD2整流后向電容c2充電，使C2兩端可獲得約1200v直流高壓。此高壓經(jīng)高值電阻器R2限流施加到待測(cè)管，使管子擊穿，并接在待測(cè)管兩端的萬(wàn)用表就能直接讀出管子的反向擊穿電壓。由于R2電阻值很大，起到一個(gè)恒流源作用，且于擊穿時(shí)電流很小，不會(huì)使待測(cè)管損壞。

2.元器件選擇與制作

VT采用V（BR）ceo≥60V、Icm≥0.8A的硅NPN三極管，如2SCl008型等，β≥50。VD1可用普通1N4148型等硅開(kāi)關(guān)二極管，VD2要求采用反壓大于1500V的快恢復(fù)二極管，如FRl08等。

RP用WSW型有機(jī)實(shí)芯微調(diào)電位器，R1為RTX—1kΩ/0.125w型碳膜電阻器，R2用RJ一1MΩ/1w型金屬膜電阻器。C1為CD11-100μ/16V電解電容器，C2用1000pF/2kV的高壓圓片電容器。

變壓器T需要自制：用初始導(dǎo)磁率為1500或2000的EE20型磁芯，用配套的骨架繞制，先繞N1、N2，再繞N3。N1、N2用φ0.35mm漆包線分別繞10匝，中心抽頭；N3用φ0.17mm高強(qiáng)度漆包線繞260匝。層間必須加絕緣膠帶，以防止內(nèi)部電壓擊穿打火。

由于電路工作電流較小，且線圈匝數(shù)又少，不存在磁飽和問(wèn)題，所以磁芯裝配時(shí)不需加氣隙。在繞制與接線時(shí)，應(yīng)注意繞組的同名端，即線圈始端（圖中打“·”號(hào)端），接線時(shí)同名端不可接反。磁芯繞好后，用膠帶纏兩圈固定。

x1～x4為4個(gè)接線柱，x1、x2用來(lái)接待測(cè)管，x3、X4則用來(lái)接萬(wàn)用表。

測(cè)試器的印制電路板如下圖所示。印制電路板尺寸為50mm×30mm。電源G用5號(hào)電源兩節(jié)，機(jī)盒外殼最好用有機(jī)玻璃板制作。調(diào)試時(shí)，在x3、x4接500型萬(wàn)用表的直流2500V檔，閉合電源開(kāi)關(guān)s，用小螺絲刀微調(diào)RP使萬(wàn)用表的讀數(shù)在1200v左右。此時(shí)三極管VT的集電極電流約為200mA。如果電壓只有100V左右，說(shuō)明線圈同名端接反了，只要將繞組N3的兩端頭對(duì)調(diào)一下即可。

測(cè)量時(shí)，只要將待測(cè)管與x1、x2連接，在x3、x4端接好萬(wàn)用表，表的示數(shù)即為管子的反向擊穿電壓。用本裝置楞以測(cè)量晶體二極管的反向擊穿電壓、晶體三極管的反向擊穿電壓。如：V（BR）ceo、V（BR）ceo等。