全球研究機構(gòu)IC Insights表示，隨著DRAM市場疲軟可能延續(xù)到明年上半年，三星（Samsung）等三大DRAM供應(yīng)商的資本支出下滑，使得明年半導(dǎo)體資本支出可能趨緩，預(yù)計將比今年新高水準(zhǔn)減少12％。

IC Insights預(yù)測今年半導(dǎo)體業(yè)的資本支出總額將增長15％至1071億美元，為首度突破1000億美元新高，但預(yù)計2019年半導(dǎo)體資本支出將下降12％。

IC Insights預(yù)期，三星（Samsung）今年資本支出可能比去年的242億美元減少，但將維持在226億美元高檔，還是會居全球半導(dǎo)體業(yè)之冠。三星近2年資本支出合計將高達(dá)468億美元。

IC Insights表示，三星2017年和2018年的大規(guī)模支出將在未來產(chǎn)生影響，已經(jīng)開始的一個影響是3D NAND的產(chǎn)能過剩;除了三星大舉支出，SK海力士（Hynix）等競爭對手支出也相當(dāng)積極。

IC Insights指出，SK海力士今年半導(dǎo)體資本支出可能增加58％，增加的支出將主要集中在韓國的3D NAND Flash廠與大陸無錫的DRAM廠。

有鑒于動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM）市場疲軟，可能延續(xù)到明年上半年，三星，SK海力士與美光（微米）三大DRAM供應(yīng)商的資本支出，可能從2018年的454億美元，下滑到2019年的375億美元，減少17％。

IC Insights預(yù)期，明年整體半導(dǎo)體業(yè)資本支出可能較今年減少12％;其中，三星，英特爾（Intel），海力士，臺積電與美光5大廠明年資本支出將減少14％，其余的半導(dǎo)體廠明年資本支出減少幅度可能較小，將減少約7％。