新興的寬禁帶(WBG)碳化硅和氮化鎵功率器件越來越廣泛地應用在電力電子產(chǎn)品中來提升效率和功率密度. 培訓內(nèi)容介紹了WBG功率器件特性, 及應用. 并且詳細的分析了開關性能,損耗計算以及測試,仿真技巧.
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
開關
+關注
關注
19文章
3282瀏覽量
95330 -
ti
+關注
關注
113文章
8027瀏覽量
214866 -
功率器
+關注
關注
0文章
9瀏覽量
8293
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
電源功率器件篇:線路寄生電感對開關器件的影響
、降低線路寄生電感影響的方案
1、優(yōu)化PCB布局設計
▍縮短功率回路路徑
? 將功率開關器件、直流母線電容、驅(qū)動電路等盡可能靠近布局,減少功率
發(fā)表于 07-02 11:22
功率器件開關功耗測試詳細步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關損耗測試
功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。在開關電
發(fā)表于 05-14 09:03
?367次閱讀

浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略
主導著逆變器設計領域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率

寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)
功率電子技術的快速發(fā)展,得益于寬帶隙(WBG)半導體材料的進步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導率和更快的開關速度。這些特性使得

開關電源環(huán)路開關電源技術的十個關注點
上世紀60年代,開關電源的問世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來,開關電源技術有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和
發(fā)表于 04-09 15:02
國產(chǎn)碳化硅MOSFET解決LLC功率調(diào)整時的硬開關損耗痛點
LLC諧振轉(zhuǎn)換器的核心優(yōu)勢在于 軟開關實現(xiàn)的高效率、寬輸入適應性及高功率密度 ,其典型應用涵蓋消費電子、工業(yè)電源、新能源、醫(yī)療等高要求領域。與SiC MOSFET結合后,LLC在高頻、高溫、高可靠性

二極管橋堆軟橋和硬橋區(qū)別
1、軟橋,也叫軟開關橋,是整流橋的一種變形,它主要由可控硅(thyristor)等元器件組成。軟橋?qū)崿F(xiàn)器
碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領域的應用與技術前景
功率轉(zhuǎn)換器中具有許多優(yōu)勢,例如提高功率密度和效率,因此可能非常適合于空間應用。然而,這些WBG器件的抗輻射性能需要被仔細考慮。本文概述了在飛機和空間

WBG 器件給柵極驅(qū)動器電源帶來的挑戰(zhàn)
:RECOM 眾多 DC/DC 模塊針對 WBG 柵極驅(qū)動器應用進行優(yōu)化中的一部分 SiC 和 GaN 是寬帶隙 (WBG) 半導體材料,因其開關更快且損耗更低,相較于傳統(tǒng)硅 (Si) 在電力電子應用領域更具優(yōu)勢。對于需要關鍵考
發(fā)表于 09-27 15:05
?1071次閱讀

軟開關技術的原理和分類
軟開關技術,作為一種先進的電力電子技術,在近年來得到了廣泛的關注和應用。該技術通過優(yōu)化開關元件的開關過程,實現(xiàn)了降低開關損耗、提高系統(tǒng)效率、
功率器件的開關波形分析
功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關重要的角色。它們的開關波形分析對于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設計以及確
評論