一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

安森美:SiC、GaN助力更小電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)發(fā)展

漁翁先生 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:Allen Yin ? 2019-02-15 00:09 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

根據(jù)IHS Markit分析,由于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車,電源和太陽能逆變器主要應(yīng)用市場(chǎng)的需求,預(yù)計(jì)2020年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的新興市場(chǎng)將達(dá)到近10億美元。全球主要功率半導(dǎo)體供應(yīng)商TI、ST、Maxim高通、ADI等紛紛搶攻推出新品。


圖:安森美半導(dǎo)體工業(yè)及云電源公司營銷及策略經(jīng)理Ali Husain。

安森美半導(dǎo)體工業(yè)及云電源公司營銷及策略經(jīng)理Ali Husain在日前接受<電子發(fā)燒友>關(guān)于電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)及趨勢(shì)主題采訪時(shí)表示,功率損耗和系統(tǒng)尺寸是電源設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素。相比以往電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)使用的硅材料,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的更低損耗可降低功率損耗,使用這些寬禁帶(WBG)產(chǎn)品,使系統(tǒng)體積可以通過減少散熱器或增加開關(guān)頻率變得更小,從而使無源元件更小。

業(yè)界認(rèn)為,由于SiC和GaN比Si材料高3倍的能量帶隙、10倍的介電場(chǎng)強(qiáng)以及更快的開關(guān)速度和熱導(dǎo)率。使得前者擁有更高的功率密度、更加環(huán)保,且能讓電源系統(tǒng)更小更薄、更優(yōu)化的成本和較低的工作溫度和熱應(yīng)力。整個(gè)第三代半導(dǎo)體系統(tǒng)比硅系統(tǒng)更好。

安森美半導(dǎo)體作為電源半導(dǎo)體重要供應(yīng)商之一,投入了大量資金研發(fā)寬禁帶(WBG)產(chǎn)品。安森美半導(dǎo)體定位為以合理成本提供最可靠的WBG產(chǎn)品,產(chǎn)品范圍寬廣,涵蓋SiC二極管、SiC MOSFET和氮化鎵(GaN),以滿足對(duì)電力電子設(shè)備更高能效、更小體積及更低溫度的要求。

以汽車應(yīng)用為例,在汽車功能電子化的趨勢(shì)下,為實(shí)現(xiàn)更高的能效,要提高電池電壓,這就需要考慮寬禁帶方案。如SiC可用于要求小型化、高功率的應(yīng)用,如牽引逆變器,采用400V電池的逆變器能效增加65%,采用800V電池的逆變器能效提升則可達(dá)80%。GaN則在車載充電(OBC)方面更有優(yōu)勢(shì),因?yàn)镺BC的可用空間有限,而GaN頻率范圍更高,可縮減系統(tǒng)體積,降低開關(guān)損耗,實(shí)現(xiàn)更高能效。

另一方面,受可再生能源市場(chǎng)的快速增長推動(dòng),對(duì)電源和太陽能逆變器提出了更高的效率和功率密度要求,而搭載了WBG產(chǎn)品的高性能應(yīng)用將完美解決這一問題。

Ali Husain指出,替代能源和能源儲(chǔ)存系統(tǒng)將繼續(xù)從較高功率系統(tǒng)轉(zhuǎn)向較低功率系統(tǒng)。這可以通過采用較小組的面板以最大功率點(diǎn)工作來增加太陽能電池陣列產(chǎn)生的總功率。此外,分布式能源資源,如住宅太陽能,存儲(chǔ)和虛擬發(fā)電廠,將有助于推動(dòng)轉(zhuǎn)向更小電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的發(fā)展。

不僅如此,WBG產(chǎn)品在照明領(lǐng)域節(jié)能90%,電力電子節(jié)能30%以上,系統(tǒng)體積減少三分之二。同時(shí),它也是5G必須的基本材料。

Ali Husain表示,像碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這樣的寬禁帶材料是提高功率密度和轉(zhuǎn)換效率以及減小尺寸的領(lǐng)先技術(shù)。由于這些材料具有較低的導(dǎo)電損耗并且還可以更高的頻率開關(guān),電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以在這些要求之間選擇新的,更好的權(quán)衡取舍。如選擇更高的頻率,諸如電容器電感器的無源元件的尺寸可更小,或保持相同的開關(guān)頻率,但損耗可更低,并且可以使散熱器和整體尺寸更小。即使寬禁帶半導(dǎo)體的成本增加,但整個(gè)系統(tǒng)的成本仍可保持不變甚至更低。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    185

    文章

    18357

    瀏覽量

    256114
  • 安森美
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1795

    瀏覽量

    93125
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3222

    瀏覽量

    65099
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    2204

    瀏覽量

    76725
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美SiC Combo JFET的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性

    安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅(SiC)優(yōu)異的
    的頭像 發(fā)表于 06-16 16:40 ?680次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>SiC</b> Combo JFET的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性

    安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹

    安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅(SiC)優(yōu)異的
    的頭像 發(fā)表于 06-13 10:01 ?812次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>SiC</b> Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹

    安森美PowerTrench MOSFET助力光伏逆變器設(shè)計(jì)

    隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮目焖僭鲩L,光伏系統(tǒng)的效率與可靠性成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。安森美(onsemi)提供多種MOSFET方案,助力光伏逆變器廠商實(shí)現(xiàn)更高性能、更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
    的頭像 發(fā)表于 05-30 10:30 ?424次閱讀

    安森美高效電源方案:基于GaN技術(shù)的1KW智能工業(yè)電源

    安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級(jí)控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案,支持通過Analog與PWM方式調(diào)整輸出功率,最大功率可達(dá)1KW。這一設(shè)計(jì)結(jié)合了多種先進(jìn)架構(gòu)與技術(shù),旨在實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度的小型化
    的頭像 發(fā)表于 04-23 08:02 ?408次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>高效<b class='flag-5'>電源</b>方案:基于<b class='flag-5'>GaN</b>技術(shù)的1KW智能工業(yè)<b class='flag-5'>電源</b>

    安森美邀您相約2025慕尼黑上海電子展

    慕尼黑上海電子展將于2025年4月15-17日在上海新國際博覽中心舉辦,安森美(onsemi)中國區(qū)汽車現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用技術(shù)經(jīng)理Hangyu Lu受邀參會(huì),將在2025新能源汽車三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇發(fā)表演講,同時(shí)在Supplyframe四方維展臺(tái)接受采訪,分享安森美領(lǐng)先的
    的頭像 發(fā)表于 04-11 15:12 ?445次閱讀

    安森美SiC JFET共源共柵結(jié)構(gòu)詳解

    安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì),SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵(cascode)結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇,將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 17:42 ?1245次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>SiC</b> JFET共源共柵結(jié)構(gòu)詳解

    安森美SiC cascode JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

    隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內(nèi)容包括Cascode(共源共柵)關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析,以及設(shè)計(jì)指南。本文將繼續(xù)講解并聯(lián)的挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 02-28 15:50 ?622次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>SiC</b> cascode JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

    安森美SiC Cascode JFET的背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)

    隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內(nèi)容包括Cascode(共源共柵
    的頭像 發(fā)表于 02-27 14:10 ?1025次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>SiC</b> Cascode JFET的背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)

    安森美新型SiC模塊評(píng)估板概述

    碳化硅(SiC)技術(shù)正引領(lǐng)一場(chǎng)革新,為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個(gè)行業(yè)帶來前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術(shù)的潛力,安森美(onsemi)推出
    的頭像 發(fā)表于 02-25 15:24 ?523次閱讀

    安森美成功收購紐約州德威特GaN晶圓制造廠,助力技術(shù)布局!

    近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美(onsemi)宣布,以2000萬美元的價(jià)格成功收購位于美國紐約州德威特的原NexGenPowerSystems氮化鎵(GaN)晶圓制造廠。這項(xiàng)交易受到業(yè)界
    的頭像 發(fā)表于 01-08 11:40 ?675次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>成功收購紐約州德威特<b class='flag-5'>GaN</b>晶圓制造廠,<b class='flag-5'>助力</b>技術(shù)布局!

    安森美GaN功率器件的功能和優(yōu)點(diǎn)

    GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美
    的頭像 發(fā)表于 11-15 10:37 ?701次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>GaN</b>功率器件的功能和優(yōu)點(diǎn)

    揭秘安森美SiC市場(chǎng)的未來布局

    地普及到更多的電動(dòng)汽車上。SiC市場(chǎng)面臨哪些機(jī)遇?安森美(onsemi)在SiC市場(chǎng)的未來布局如何?一起來看下。
    的頭像 發(fā)表于 11-15 10:35 ?790次閱讀

    安森美封裝技術(shù)進(jìn)階,解鎖SiC性能上限

    隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏?b class='flag-5'>系統(tǒng)的需求不斷增長,光儲(chǔ)充一體化市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下,碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)生態(tài)正迅速發(fā)展,逐漸成為替代傳統(tǒng)硅基功率器件
    的頭像 發(fā)表于 11-14 09:58 ?632次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>封裝技術(shù)進(jìn)階,解鎖<b class='flag-5'>SiC</b>性能上限

    細(xì)數(shù)安森美重磅功率器件產(chǎn)品

    由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)晚會(huì)”將于2024年12月07日在深圳隆重舉辦。安森美(onsemi)憑借領(lǐng)先的功率器件入圍國際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)、功率器件-SiC行業(yè)優(yōu)
    的頭像 發(fā)表于 11-08 09:32 ?765次閱讀

    安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更簡單容易

    GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。? 安森美
    的頭像 發(fā)表于 07-23 10:21 ?973次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>GaN</b>功率器件iGaN NCP5892x系列更簡單容易