課程介紹

對(duì)于一個(gè)很好的開(kāi)關(guān)電源需要具備兩個(gè)功能，第一個(gè)是占空比可調(diào)，第二個(gè)就是電壓反饋，這個(gè)我們?cè)诘谄卟繒r(shí)已經(jīng)用分立元器件講到了這兩點(diǎn)，第六步里面我們用的是一個(gè)電源芯片來(lái)做的。它們都是占空比可調(diào)，而且也都是電壓反饋的。我們可以把一樣的技術(shù)和方式應(yīng)用到我們現(xiàn)在的電路中來(lái)，這樣同樣可以實(shí)現(xiàn)電壓可調(diào)帶電壓反饋的電路。

變壓器輸入為300V，下方為三極管?？紤]到高壓三極管雖然也很多，但也要考慮到電流和耐高壓的問(wèn)題。這種情況下，MOS管是可以完全滿(mǎn)足的。這樣原先三極管之前的電阻我們就可以從10kΩ改為10Ω或者100Ω左右，從而使得充電放電都比較快。但MOSFET還是需要加入一個(gè)下拉電阻。假設(shè)我們加入的是一個(gè)高壓管，那我們來(lái)分析一下高壓管上面的一個(gè)電壓波形曲線(xiàn)。

學(xué)習(xí)獲得：

學(xué)習(xí)隔離式反激開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

1、反激開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)思路，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及原理框圖講解

2、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

3、經(jīng)典驅(qū)動(dòng)芯片UC3842 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解

4、頻率設(shè)計(jì)講解

5、吸收電路設(shè)計(jì)及作用講解

6、功率開(kāi)關(guān)管MOSFET的開(kāi)關(guān)速度，發(fā)熱因素及選型講解

7、輸出電路設(shè)計(jì)

8、MOSFET選型，吸收電路器件選型，輸出二極管選型，輸入輸出電容等重要器件參數(shù)計(jì)算。

9、電流環(huán)設(shè)計(jì)

10、電壓環(huán)設(shè)計(jì)

11、經(jīng)典基準(zhǔn)電壓源TL431 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解

12、光耦的應(yīng)用講解

13、TL431、光耦組合電路參數(shù)計(jì)算。

14、EMI設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單介紹

適宜學(xué)習(xí)人群：

1、如果你還是學(xué)生，正厭倦于枯燥的課堂理論課程，想得到電子技術(shù)研發(fā)的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)；

2、如果你即將畢業(yè)或已經(jīng)畢業(yè)，想積累一些設(shè)計(jì)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)憑此在激烈競(jìng)爭(zhēng)的就業(yè)大軍中脫穎而出，找到一份屬于自己理想的高薪工作；

3、如果你已經(jīng)工作，卻苦惱于技能提升緩慢，在公司得不到加薪和快速升遷；

4、如果你厭倦于當(dāng)前所從事的工作，想快速成為一名電子研發(fā)工程師從事令人羨慕的研發(fā)類(lèi)工作。