如何使用Soatherm進(jìn)行MOSFET熱模型的設(shè)計(jì)
在高功率水平下，驗(yàn)證熱插拔設(shè)計(jì)是否不超過MOSFET的能力是一個挑戰(zhàn)。幸運(yùn)的是，熱行為和SOA可以在LTSPICE IV?等電路模擬器中建模。LTSPICE中包含的SoathermNMOS符號包含由線性技術(shù)開發(fā)的MOSFET熱模型集合，以簡化此任務(wù)。這些熱模型可用于驗(yàn)證MOSFET的最大模具溫度沒有超過，即使在斯普里托區(qū)域，允許電流在高漏源電壓下呈指數(shù)下降。理論上，Soatherm報(bào)告了MOSFET芯片上最熱點(diǎn)的溫度。Soatherm模型預(yù)測了MOSFET的溫度，而不影響電路模擬的電氣行為。本視頻介紹如何使用Soatherm
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
電流
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
7133瀏覽量
134915 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
8556瀏覽量
220269 -
熱插拔
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
251瀏覽量
38452
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
MOSFET熱阻參數(shù)解讀
MOSFET的熱阻（Rth）用來表征器件散熱的能力，即芯片在工作時內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封料等材料向散熱器或者環(huán)境傳遞過程中所遇到的阻力，單位是℃/W，其值越小越好。
Simcenter Flotherm BCI-ROM技術(shù)：與邊界條件無關(guān)的降階模型可加速電子熱設(shè)計(jì)
優(yōu)勢比解算完整的3D詳細(xì)模型快40,000倍與完整的3D詳細(xì)模型相比，沒有有效精度損失適用于所有熱環(huán)境–用戶定義傳熱系數(shù)范圍可以在很長的持續(xù)時間內(nèi)進(jìn)行瞬態(tài)仿真，例如汽車行使工況支持多個
MOSFET講解-17（可下載）
接下來接著看 12N50 數(shù)據(jù)手冊上面這個參數(shù)是 MOSFET 的熱阻，RBJC 表示 MOS 管結(jié)溫到表面的 熱阻，這里我們知道 RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式：RBJC = T
發(fā)表于 04-22 13:29
?4次下載
MOSFET與IGBT的區(qū)別
來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開
發(fā)表于 03-25 13:43
MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算
MOSFET 而言，其最大功率損耗是由溫度及結(jié)-包裝外殼間之熱阻所決定的，即：
由上式可知，若能夠有效減少熱阻，則 Power MOSFET 所能承受之的最大功率損耗就可以獲得提升
發(fā)表于 03-24 15:03
基于RC熱阻SPICE模型的GaNPX?和PDFN封裝的熱特性建模
GaN Systems提供RC熱阻模型，使客戶能夠使用SPICE進(jìn)行詳細(xì)的熱模擬。 模型基于有限元分析（FEA）
Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-13 17:21
?2次下載
用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS精密電熱模型
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS精密電熱模型.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-12 15:15
?0次下載
PSMN3R3-80YSF SPICE熱模型
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN3R3-80YSF SPICE熱模型.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-09 15:32
?0次下載
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（七）——熱等效模型
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
使用IBIS模型進(jìn)行時序分析
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用IBIS模型進(jìn)行時序分析.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 10-21 10:00
?1次下載
在設(shè)計(jì)中使用MOSFET瞬態(tài)熱阻抗曲線
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在設(shè)計(jì)中使用MOSFET瞬態(tài)熱阻抗曲線.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 08-28 09:21
?19次下載
了解具有集成功率MOSFET的直流/直流轉(zhuǎn)換器熱阻規(guī)格
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《了解具有集成功率MOSFET的直流/直流轉(zhuǎn)換器熱阻規(guī)格.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 08-26 14:19
?0次下載
如何對基于MOSFET的VI電流源進(jìn)行穩(wěn)定性仿真？
您好，我在設(shè)計(jì)基于MOSFET的VI電流源時參考了文獻(xiàn)sboa327中的示例，但是在進(jìn)行穩(wěn)定性分析時得不到文獻(xiàn)中的結(jié)果，TI Precision labs也看了，沒有帶MOSFET的例子。能否幫我
發(fā)表于 07-31 06:41
工商網(wǎng)監(jiān)
評論