接下來(lái)接著看 12N50 數(shù)據(jù)手冊(cè)

上面這個(gè)參數(shù)是 MOSFET 的熱阻，RBJC 表示 MOS 管結(jié)溫到表面的 熱阻，這里我們知道 RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式：RBJC = Tj?Tc P ，其中， Tj 表示 MOSFET 的結(jié)溫，最大能承受 150℃

Tc 表示 MOSFET 的表面溫度

通過(guò)上面公式可以計(jì)算一下，表面溫度在 25℃的情況下，管子能承 受的功率：0.75 = 150?25 P ，P=166W

數(shù)據(jù)手冊(cè)上給到的數(shù)據(jù)來(lái)看，當(dāng) Tc=25℃時(shí)，MOSFET 的功率可以 達(dá)到 165W，是符合剛才的計(jì)算的，這里的誤差是正常的，廠家在數(shù) 據(jù)手冊(cè)上寫(xiě)的數(shù)據(jù)也是通過(guò)這個(gè)計(jì)算出來(lái)的

我們要知道，熱阻越大，結(jié)溫和表面頂部溫度的溫差就越大，也 就是說(shuō)，熱阻越大里面的溫度散熱沒(méi)有那么快。這里指的是沒(méi)有加散 熱片的熱阻，如果實(shí)際板子上加了散熱片，熱阻也會(huì)變小

一般數(shù)據(jù)手冊(cè)給到的電氣參數(shù)都是在環(huán)境溫度 25℃條件下測(cè)試的。 BVDSS：漏源之間的雪崩電壓。測(cè)試條件：Vgs=0V，ID=250uA。給 DS 端不斷加電壓，此時(shí) ID 漏電流會(huì)增大，當(dāng) ID 達(dá)到 250uA 時(shí)，此 時(shí)的 DS 電壓即為雪崩擊穿電壓。這里的雪崩擊穿電壓最小值是 500V. VGS(th)：閾值電壓。測(cè)試條件：VDS=VGS，ID=250uA。不斷提高 VGS 電 壓同時(shí)也提高 VDS 電壓，此時(shí)看 ID 電流的變化，如果 ID 達(dá)到 250uA 時(shí)，此時(shí)的 VGS 電壓就是 MOSFET 的閾值開(kāi)啟電壓了。最小值是 3V， 最大值是 5V。離散性太大，可以不用太關(guān)心這個(gè)數(shù)據(jù)

IDSS：漏極漏電流。測(cè)試條件：VDS =500V，VGS=0V。泄露電流隨溫
度增加而增大，漏電流也會(huì)造成功耗，P=IDSS*VDS，一般忽略不記。
IGSS：柵極漏電流。測(cè)試條件：VGS=±30V，VDS=0V

RDS(ON)：導(dǎo)通電阻。測(cè)試條件：VGS=10V，ID=5.75A。通常 ID都是最 大電流的一半，測(cè)到的 DS 之間的導(dǎo)通電阻

gfs：正向跨導(dǎo)。測(cè)試條件：VDS=30V，ID=5.75A。數(shù)字越大，頻率響 應(yīng)越高

Qg：總柵極充電電荷量。這個(gè)大小直接決定了開(kāi)關(guān)速度。如果讓 管子開(kāi)通，柵極電壓肯定上升，電壓的上升需要 Qg 這么大的電荷量。 電荷量越大，表示開(kāi)通的時(shí)間就越長(zhǎng)。這個(gè)數(shù)據(jù)越大，表示 MOSFET 內(nèi)部并聯(lián)的就多。那么，對(duì)于高壓的管子來(lái)說(shuō)，Qg 肯定就??；低壓 的管子，Qg 肯定就大。同時(shí)，Qg 越大，Rdson 肯定就越??；Qg 越小， Rdson 越大

Ciss：輸入電容，Cgs+Cgd。影響 MOSFET 的開(kāi)關(guān)時(shí)間，數(shù)據(jù)越大， 開(kāi)關(guān)越慢，開(kāi)關(guān)損耗就越大，但是 EMI 特性就越好，反之亦然

Crss：反向傳輸電容（也叫米勒電容），Cgd。影響的是，當(dāng)漏極 有異常高的電壓時(shí)，通過(guò) Cgd 傳輸?shù)?MOSFET 的柵極能量的大小。比 如在做雷擊測(cè)試時(shí)，會(huì)有一定的影響。對(duì)關(guān)斷稍微有影響

Coss：輸出電容，Cgd+Cds。對(duì)關(guān)斷稍微有影響

td(on)：開(kāi)通延時(shí)時(shí)間。是漏極到源極開(kāi)通延時(shí)的時(shí)間

tr：上升時(shí)間。是漏源電流的上升時(shí)間

實(shí)際上，上面這些參數(shù)都是與時(shí)間相互關(guān)聯(lián)的參數(shù)，那么開(kāi)關(guān)速 度越快，對(duì)應(yīng)的有點(diǎn)是開(kāi)關(guān)損耗小，效率高，溫升低。對(duì)應(yīng)的缺點(diǎn)是 EMI 特性不好，MOSFET 的關(guān)斷尖峰過(guò)高，這是由于 MOSFET 關(guān)斷瞬間的體二極管有反向恢復(fù)時(shí)間

Is：漏源最大電流。在選型時(shí)，需要注意實(shí)際工作溫度對(duì)它的影響.

VSD：源極到漏極的正向?qū)▔航怠＿@個(gè)電壓越高，表示體二極管 的續(xù)流損耗就越大

trr：體二極管反向恢復(fù)時(shí)間

Qrr：體二極管反向恢復(fù)充電電量。與充電時(shí)間成正比的，越小越 好

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