我們希望米勒平臺的時間短，但是往往容易出現(xiàn)震蕩，反而發(fā)熱更大。另一 方面，如果米勒平臺時間短，對于高壓管子來說，開通時 dv/dt 大，所包含的諧 波分量就大。

什么是諧波分量呢？任何一個波形都可以用若干個正弦波進行疊加，那么， 我們 MOSFET 由于米勒平臺時間短，dv/dt 就很大，就表示開關(guān)波形的沿越陡， 棱角越分明。一般我們所說的基波是一個標(biāo)準(zhǔn)的正弦波，dv/dt 產(chǎn)生的開關(guān)波形， 可以由這個基波和很多個高次諧波分量的正弦波疊加。如果沿越陡，諧波分量就 越多；如果沿越緩，諧波分量就越少。諧波分量其實是一個輻射源，如果 dv/dt 越緩，那么諧波分量越少，EMC 更加容易通過。

高壓管子的平臺時間多少合適呢？高頻載波的話，米勒平臺時間在 300ns~1us，那么 1us 可能發(fā)熱會大一些，具體要看封裝和 Id 電流的大小，如果 最后測試下來，溫度能接受，那也是可以的。那么如果 MOSFET 只用于電源上電 和斷電時的開關(guān)來用，那么這個平臺時間長一點也沒關(guān)系，畢竟是低頻的。

對于低壓管子來說，由于 GS 電容偏大，所以 Igs 電流要大，柵極電阻要更小， 建議 10R~100R。也就是說，雖然低壓的管子 GS 電容大，但是柵極電阻小，米勒 平臺的時間也不會太長。

低壓管子的平臺時間多少合適呢？可以更小一些，90ns~300ns。這些 都是個人的一些看法，不代表權(quán)威性，要根據(jù)自己的項目各自評估。

關(guān)于高壓管子和低壓管子，具體的米勒平臺的時間，還需要看 Vgs 波形 是否震蕩為準(zhǔn)。

尤其在 MOSFET 用于上下橋互補斬波的時候，可能會出現(xiàn)一些問題。什么是 上下橋互補斬波呢？

上面這幅圖就是上下橋互補輸出，意思就是上下管不能同時導(dǎo)通，否則就短 路了。上管開通時，下管就要關(guān)閉；下管開通時，上管也要關(guān)閉，這就是互補輸 出的含義。

如果驅(qū)動上管的 PWM 信號是 S1，驅(qū)動下管的 PWM 信號是 S2。

那么 S1 為低，S2 為高；S1 為高，S2 為低。同時，我們也知道，MOSFET 的 開通和關(guān)斷都是有延時的，再加上剛剛說的 MOSFET 開通或關(guān)斷出現(xiàn)震蕩，那么， 有可能出現(xiàn)上下互通的情況。一般我們避免這種情況發(fā)生，會加一個死區(qū)。

可以讓開通延時，下降時間不變。這就是我們互補輸出方式。

在 GS 波形正常情況下，上面這個電路是沒有問題的。但是由于 GD 之間是有 電容的。

假設(shè)我們的管子開通快，關(guān)斷也快。另外，我們前面也講到過，GD 之間的 米勒電容 Cgd 與漏極電壓有關(guān)。那么接下來，討論在死區(qū)期間，其中一個管子開

通的一瞬間，對另一個管子 GS 波形的影響。

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