目前制備石墨烯單晶主要有兩種途徑：一種方式是以單點形核控制來制備石墨烯單晶；另一種是表面外延生長取向一致的石墨烯晶疇，最后以無縫拼接的方法來制備石墨烯單晶。目前外延生長制備石墨烯單晶主要采用銅（111）單晶或者鍺（110）作為襯底。但是此前的單晶石墨烯晶圓的生長一般需要1000℃或更高的溫度，容易產(chǎn)生褶皺、污染，不但產(chǎn)生較高的能耗，也容易導(dǎo)致石墨烯性能降低。

左圖：石墨烯單晶晶圓生長設(shè)計及實驗結(jié)果；右圖：低溫制備的6英寸石墨烯單晶晶圓

上海微系統(tǒng)所研究團(tuán)隊采用藍(lán)寶石作為襯底成功制備出具有更強(qiáng)催化能力的銅鎳（111）單晶薄膜，成功將外延生長石墨烯單晶的生長溫度從1000℃降低到750℃。制備的6英寸石墨烯單晶薄膜無褶皺，無顆粒污染，電學(xué)性能可以與高溫條件下得到的石墨烯相媲美。

單晶硅是微電子技術(shù)發(fā)展的基石，而單晶石墨烯晶圓的批量化制備則是其在電子學(xué)領(lǐng)域規(guī)?；瘧?yīng)用的前提。通過低溫外延制備晶圓級石墨烯單晶對于推動石墨烯在電子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用具有重要意義。