日前，華虹半導體（無錫）有限公司12英寸生產線建設項目（以下簡稱“華虹無錫項目”）迎來了首臺工藝設備搬入。根據計劃，該項目將于6月5日進行首批***搬入，這將是整個項目建設新的里程。

華虹無錫項目聯(lián)合體總包單位十一科技官方消息顯示，5月24日，華虹無錫項目舉行第十一次推進會暨首臺工藝設備搬入儀式，并進行了華虹七廠授牌儀式。

值得一提的是，華虹宏力總裁、黨委書記唐均君提到，華虹無錫項目將于6月5日迎來首批***搬入，“在項目建設新的里程——6月5日***搬入后，整個項目即將達到新的高度?！?/p>

華虹無錫的第一臺設備正式搬入標志著華虹無錫項目進入一個新階段，為6月5日***的搬入奠定了基礎。

根據此前官方介紹，華虹無錫項目占地約700畝，總投資100億美元，一期投資25億美元，新建一條工藝等級90～65納米、月產能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產線，支持5G和物聯(lián)網等新興領域的應用。

該項目于2018年3月正式開工建設，計劃將于2019年上半年完成土建施工，下半年完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝、通線并逐步實現(xiàn)達產。自開建以來，華虹無錫項目一直加速前進，主要工程節(jié)點均提前完成。

今年3月，華虹半導體在其年報上表示，華虹無錫已于2018年底主體結構全面封頂，預計將于2019年第二季度末完成廠房和潔凈室的建設，下半年開始搬入設備，并于2019年第四季度開始300mm晶圓的量產。

如今首臺設備已搬入，在時間上較計劃又有所提前，項目推進看來頗為順利。隨著接下來下個月首批***的搬入，如無意外，華虹無錫項目很快將迎來量產，業(yè)業(yè)界預計設備搬入后3個月左右。

據悉，為加快實現(xiàn)華虹無錫的順利投產、風險量產和上量，華虹半導體在2018年啟動了55nm邏輯工藝及相關IP的研發(fā)，預計2019年下半年開始導入客戶，同時開始研發(fā)55納米嵌入式閃存工藝的存儲單元，功能驗證已通過，為未來55納米嵌入式閃存技術量產打下堅實的基礎。

對于華虹半導體來說，華虹無錫的量產意義重大，將是其產能的升級以及發(fā)展的新階段、新里程碑。某不具名業(yè)內人士分析認為，目前華虹的產能已然滿產，如今正值***化大潮將至，華虹無錫帶來的產能將有望解其產能燃眉之急以及提升競爭力。

上述業(yè)內人士還指出，由于下游需求的快速增長，8英寸產能已經連續(xù)多季處于供應緊張的狀態(tài)，在目前8吋產線由于設備較少新開和擴建難度較大的情況下，8英寸產品或將加速向12英寸轉移，同時12英寸的經濟效應也比8英寸好、單顆成本更低。

隨著國內2015年以來新建的8英寸和12英寸特色工藝產線如華虹無錫項目等相繼投產，相關產品晶圓制造產能供應緊張的局面會得到緩解。