集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)新思(Synopsys)近日宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得最大突破,也為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
量產(chǎn)探索平臺(tái)(Yield Explorer)是一種復(fù)雜的芯片量產(chǎn)良品率學(xué)習(xí)平臺(tái),可用來(lái)分析芯片設(shè)計(jì)、晶圓廠生產(chǎn)、產(chǎn)品測(cè)試三大方面的數(shù)據(jù),以便幫助工程師找到缺點(diǎn)、改進(jìn)良品率、提高產(chǎn)能。
現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)是極為復(fù)雜的過(guò)程,往往涉及幾千個(gè)步驟,需要花費(fèi)數(shù)月時(shí)間,而芯片的最終良品率取決于整體設(shè)計(jì)、性能和功耗需求等,因此要想提高芯片生產(chǎn)的成功率,需要對(duì)各種因素進(jìn)行細(xì)致的分析。
根據(jù)路線(xiàn)圖,三星工藝近期有14nm、10nm、7nm、3nm三個(gè)重要節(jié)點(diǎn),其中14nm會(huì)演化出11nm,10nm會(huì)演化出8nm,7nm則會(huì)演化出6nm、5nm、4nm。
而每種工藝往往又會(huì)根據(jù)性能、功耗的不同而分為多個(gè)版本,比如14nm分成了14LPE、14LPP、14LPC、14LPU,3nm則分成3GAE、3GAP,預(yù)計(jì)會(huì)采用全新的材料。
目前,三星已經(jīng)完成5nm工藝的設(shè)計(jì)工作,正在加速推進(jìn)投入量產(chǎn),4nm則將在今年下半年完成開(kāi)發(fā),新思的新平臺(tái)將在其中發(fā)揮巨大作用。
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
460文章
52520瀏覽量
440911 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15888瀏覽量
182350 -
新思
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
21瀏覽量
29969
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?
IEDM 2024先進(jìn)工藝探討(三):2D材料技術(shù)的進(jìn)展及所遇挑戰(zhàn)

三星電子1c nm內(nèi)存開(kāi)發(fā)良率里程碑推遲
三星1c nm DRAM開(kāi)發(fā)良率里程碑延期
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)
三星SF4X先進(jìn)制程獲IP生態(tài)關(guān)鍵助力
先進(jìn)封裝中RDL工藝介紹

消息稱(chēng)三星電子考慮直接投資玻璃基板,提升FOPLP先進(jìn)封裝競(jìng)爭(zhēng)力
三星芯片代工新掌門(mén):先進(jìn)與成熟制程并重
三星蘇州先進(jìn)封裝廠將擴(kuò)產(chǎn)
三星電子:18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要工藝

評(píng)論