動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-03-07 01:06

  9.7.2 塑封材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  PlasticPackagingMaterials撰稿人：中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所楊士勇http://www.iccas.ac.cn審稿人：中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封裝結(jié)構(gòu)材料第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.82301

  材料

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• 發(fā)布了文章 2022-03-06 01:08

  8.2.11 氧化層可靠性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  8.2.11氧化層可靠性8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用

  SiC

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• 發(fā)布了文章 2022-03-06 01:06

  9.7.1 引線框架材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  LeadFrameMaterials撰稿人：寧波康強(qiáng)電子股份有限公司馮小龍http://www.kangqiang.com審稿人：中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封裝結(jié)構(gòu)材料第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-03-05 01:07

  8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和

  SiC

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• 發(fā)布了文章 2022-03-05 01:06

  9.6.14 貴金屬靶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  PreciousMetalTarget撰稿人：寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人：浙江大學(xué)馬向陽(yáng)https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-03-04 01:07

  8.2.10.2 反型層遷移率的器件相關(guān)定義∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.2.8UMOS的先進(jìn)設(shè)計(jì)∈《碳化硅技術(shù)基

  MOSFET

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• 發(fā)布了文章 2022-03-04 01:06

  9.6.13 銅靶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  CopperTarget撰稿人：寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人：浙江大學(xué)馬向陽(yáng)https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-03-03 01:09

  8.2.10.1 影響反型層遷移率的機(jī)理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.2.8UMOS的先進(jìn)設(shè)計(jì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.2.

  SiC

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• 發(fā)布了文章 2022-03-03 01:07

  9.6.12 鉭靶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  TitaniumTarget撰稿人：寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人：浙江大學(xué)馬向陽(yáng)https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-03-02 01:08

  國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列

  

  EQ6GL9可替換器件XILINX/賽靈思：XC6SLX4、XC6SLX9Altera：EP4CE6、EP4CE10Lattice：iCE40LP/HX/LM家族、iCE40Ultra/UltraLite家族、iCE40UltraPlus家族全型號(hào)器件詳情鏈接：FPGA.EQ6GL9小型低功耗百萬(wàn)門(mén)級(jí)FPGA替換XILINX/賽靈思：XC6SLX4、XC6S

  FPGA

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