動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-01-06 14:22

  車(chē)用SiC碳化硅的五大難點(diǎn)和應(yīng)對(duì)方案

  

  車(chē)用SiC碳化硅的五大難點(diǎn)和應(yīng)對(duì)方案近年來(lái)，包括SiC在內(nèi)的第三代半導(dǎo)體器件在汽車(chē)上的應(yīng)用比例與日俱增。但在專(zhuān)業(yè)人士看來(lái)，這并不會(huì)是一個(gè)簡(jiǎn)單的事情。一以車(chē)用引線(xiàn)框架來(lái)看，盡管Si、碳化硅/氮化鎵引線(xiàn)框架都是用銅材，制程相同，也要制作模具，但傳統(tǒng)TO247封裝方式芯片跟引線(xiàn)框架之間會(huì)有錫膏貼合，這樣的封裝方式會(huì)有VOID問(wèn)題，會(huì)產(chǎn)生空洞問(wèn)題，如果用在大電流大電

  半導(dǎo)體 新能源車(chē) 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2023-12-17 15:46

  選擇燒結(jié)銀的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

  

  選擇燒結(jié)銀的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

  功率器件 導(dǎo)電膠

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-11-27 21:57

  無(wú)壓燒結(jié)銀

  

  產(chǎn)品型號(hào)：AS9376 導(dǎo)熱率：210W

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• 發(fā)布了文章 2023-11-25 10:55

  低溫?zé)o壓燒結(jié)銀對(duì)鍍層的四點(diǎn)要求

  

  低溫?zé)o壓燒結(jié)銀對(duì)鍍層的四點(diǎn)要求

  功率半導(dǎo)體 射頻芯片 汽車(chē)電子

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-07-23 13:14

  DTS（Die Top System）預(yù)燒結(jié)銀焊片

  

  產(chǎn)品型號(hào)：GVF9800 型號(hào)：GVF9800

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-05-19 10:52

  燒結(jié)銀 剪切強(qiáng)度大 導(dǎo)熱率高

  

  產(chǎn)品型號(hào)：AS9386 保存溫度：25 顏色：銀色 粘度：7000

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-05-13 21:10

  SiC燒結(jié)銀

  

  產(chǎn)品型號(hào)：AS9385

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• 發(fā)布了文章 2023-01-02 11:02

  無(wú)壓燒結(jié)銀成為DA5聯(lián)盟選擇功率芯片連接材料的優(yōu)選方案之一

  

  無(wú)壓燒結(jié)銀成為DA5聯(lián)盟選擇功率芯片連接材料的優(yōu)選方案之一DA5聯(lián)盟即：德國(guó)羅伯特·博世（汽車(chē)電子業(yè)務(wù)部）、美國(guó)飛思卡爾半導(dǎo)體、德國(guó)英飛凌科技、荷蘭恩智浦半導(dǎo)體及意法合資的意法半導(dǎo)體宣布，已就無(wú)鉛焊錫研究及標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)成新聯(lián)盟“DA5（DieAttach5）。聯(lián)盟意在研究在連接半導(dǎo)體封裝和裸片是使用的焊錫替代材料和使其標(biāo)準(zhǔn)化。選擇的連接材料需要具備以下5個(gè)要求：

  芯片 半導(dǎo)體 汽車(chē)電子 封裝

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• 發(fā)布了文章 2022-12-24 18:25

  芯片封裝燒結(jié)銀工藝

  

  芯片封裝燒結(jié)銀工藝

  芯片 封裝

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• 發(fā)布了文章 2022-09-17 11:54

  低溫?zé)Y(jié)銀的三個(gè)誤區(qū)

  

  低溫?zé)Y(jié)銀的三個(gè)誤區(qū)

  半導(dǎo)體技術(shù)

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