動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-07-15 15:00
碳化硅晶圓特性及切割要點
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能的不同,碳化硅襯底可分為兩類:一類是具有高電阻率(電阻率≥10^5Ω·cm)的半絕緣型碳化硅襯底,另一類是低電阻率(電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm)的導(dǎo)電型碳化硅襯底。0293瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-06-11 17:20
晶圓劃切過程中怎么測高?
01為什么要測高晶圓劃片機是半導(dǎo)體封裝加工技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)重要的加工設(shè)備,目前市場上使用較多的是金剛石刀片劃片機,劃片機上高速旋轉(zhuǎn)的金剛石劃片刀在使用過程中會不斷磨損,如果劃片刀高度不調(diào)整,在工件上的切割深度會逐漸變淺。為了保證測量結(jié)果的精準,需要對劃片刀的磨損程度進行在線檢測,根據(jù)劃片刀磨損量調(diào)整主軸相對工作臺的高度,因此市面上的晶圓劃片機均需要設(shè)置用于對劃片刀252瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-05-16 16:58
減薄對后續(xù)晶圓劃切的影響
前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中,晶圓需要具備足夠的厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍,但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進行,直至芯片前制程完成后,晶圓才會進入封裝環(huán)節(jié)進行減薄處理。晶圓為什么要減薄封裝階段對晶圓進行減薄主要基于多重考量。從劃片工藝角度,較厚晶圓硬度較高,在傳統(tǒng)機械切割時易出現(xiàn)劃片不均、423瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-23 10:44
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發(fā)布了文章 2025-03-10 18:00
熱烈祝賀西斯特科技榮膺市場表現(xiàn)獎!
在剛剛落幕的深圳市集成電路產(chǎn)業(yè)總結(jié)大會暨深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會第八屆第二次會員大會上,深圳西斯特科技有限公司憑借卓越的市場表現(xiàn)與創(chuàng)新力,榮獲市場表現(xiàn)獎!這一榮譽不僅是對公司深耕行業(yè)、勇攀高峰的嘉獎,更標(biāo)志著西斯特科技在資本助力下,邁入高質(zhì)量發(fā)展的全新階段!數(shù)據(jù)顯示,截至2024年底,深圳市集成電路企業(yè)總數(shù)達727家,同比增長11.2%。2024年產(chǎn)業(yè)總營收預(yù)計576瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-16 20:00
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發(fā)布了文章 2024-11-24 01:01
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發(fā)布了文章 2024-10-25 11:25
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發(fā)布了文章 2024-09-27 08:03
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發(fā)布了文章 2024-08-30 12:10