動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2022-09-10 02:04
案例分享第八期：窄跡晶圓切割實(shí)例
窄跡晶圓的特性在晶圓切割環(huán)節(jié)中，經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)晶圓，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)。雖然目前有激光切割、等離子切割等方式，理論上可以實(shí)現(xiàn)窄跡晶圓的切割，但是考慮到技術(shù)成熟度不高、適用產(chǎn)品范圍小、設(shè)備價(jià)格高等方面因素，應(yīng)用金剛石劃片刀仍是最優(yōu)的選擇。這就要求切割設(shè)備具備更高的精度和更先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)運(yùn)算，以及厚度盡可能薄、剛性更強(qiáng)的刀片1.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-08-18 19:29
案例分享第七期：背銀晶圓切割實(shí)例
鍍銀晶圓的材料特性晶圓經(jīng)過(guò)背面研磨減薄后，經(jīng)由背面蒸鍍金屬，切片加工而成的芯片將在器件熱阻降低、工作散熱和冷卻、封裝厚度減薄等各個(gè)方面實(shí)現(xiàn)很大的改善。在晶圓背面金屬化過(guò)程中，一般選擇鈦、鎳、銀作為三層背面金屬，厚度在10μm以內(nèi)。通常，切割的晶圓的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)是：如果背面碎片的尺寸在10μm以下，忽略不計(jì)，當(dāng)尺寸大于25μm時(shí)，可以看作是潛在的受損，50μm的平2.8k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-08-02 02:59
加工條件不明確，選刀難免有偏差
在晶圓劃切過(guò)程中，不僅需要選擇合適的劃片刀，而且要關(guān)注加工條件的優(yōu)化。合適的劃片刀和良好的加工條件，對(duì)于獲得好的切割效果起著至關(guān)重要的作用。上期我們已經(jīng)分析劃片刀選型的幾個(gè)關(guān)鍵因素，本期關(guān)注加工條件的影響。加工條件主要涉及以下幾個(gè)方面：主軸轉(zhuǎn)速進(jìn)給速度冷卻水主軸轉(zhuǎn)速刀片固定在劃片機(jī)主軸上，以非常高的速度旋轉(zhuǎn)，通常在每分鐘25000至60000轉(zhuǎn)之間，這就是我1.6k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-14 17:04
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發(fā)布了文章 2022-06-23 00:52
西斯特科技亮相SEMICON SEA展會(huì)：用技術(shù)敲門(mén) 拿產(chǎn)品背書(shū)
西斯特科技亮相SEMICONSEA展會(huì)2022年，在經(jīng)歷了又一輪新冠疫情的重創(chuàng)后，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃熱情并沒(méi)有消減，6月21~23日，馬來(lái)西亞檳城的SEMICONSEA展會(huì)如期舉行。深圳西斯特科技有限公司派出代表團(tuán)參加本次展會(huì)。西斯特展示了適用于晶圓切割與基板切割的超薄劃片刀，與劃片刀配套的全系列修刀板，以及廣泛應(yīng)用于清洗、研磨、切割環(huán)節(jié)的高精密陶瓷吸盤(pán)，790瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-06-09 00:57
案例分享第六期：鉭酸鋰晶圓切割實(shí)例
鉭酸鋰的材料特性鉭酸鋰(LiTaO3，簡(jiǎn)稱LT)是一種重要的多功能晶體材料，它具有壓電性、介電性、熱釋電性以及電光效應(yīng)、非線性光學(xué)效應(yīng)和聲光效應(yīng)等重要特性。鉭酸鋰晶體晶片主要原料是高純氧化鉭和碳酸鋰，是微波聲學(xué)器件用的良好材料。鉭酸鋰晶圓，直徑通常為100±0.2mm，厚度為0.2~0.25mm。鉭酸鋰的應(yīng)用經(jīng)過(guò)拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等2.6k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-06-02 00:54
案例分享第五期：樹(shù)脂刀切EMC實(shí)例
EMC材料的應(yīng)用EMC是由環(huán)氧樹(shù)脂為基體樹(shù)脂，以高性能酚醛樹(shù)脂為固化劑，加入硅微粉等為填料，以及添加多種助劑混配而成的粉狀模塑料。塑封材料90%以上都采用EMC，塑封過(guò)程是用傳遞成型法將EMC擠壓入模腔并將其中的半導(dǎo)體芯片包埋，同時(shí)交聯(lián)固化成型，成為具有一定結(jié)構(gòu)外型的半導(dǎo)體器件。EMC最近幾年被廣泛用于LED支架，通過(guò)改變填料，加入二氧化硅粉末，使其成白色，1.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-05-24 00:37
擴(kuò)展海外業(yè)務(wù)，西斯特應(yīng)邀參加馬來(lái)西亞Semicon半導(dǎo)體展
2022年是疫情依然肆虐的一年，上半年國(guó)內(nèi)眾多展會(huì)延期，市場(chǎng)開(kāi)拓停滯，企業(yè)發(fā)展乏力。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈，國(guó)內(nèi)自主發(fā)展高歌猛進(jìn)的當(dāng)下，產(chǎn)業(yè)鏈上各企業(yè)不敢有任何的停頓。深圳西斯特對(duì)劃片刀產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)已近15年，在進(jìn)口品牌為主流的市場(chǎng)大環(huán)境下，仍然搶占有一定的市場(chǎng)份額，憑借的是不俗的產(chǎn)品品質(zhì)和周到的服務(wù)。正是秉承著這樣的工匠精神，西斯特在2021年獲得了快654瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-15 00:51
案例分享第四期：碳化硅晶圓切割
碳化硅SiC應(yīng)用上世紀(jì)五十年代以來(lái)，以硅（Si）為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代笨重的電子管，引發(fā)了集成電路（IC）為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。由于硅材料的帶隙較窄、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)較低，Si在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的應(yīng)用受到諸多限制，不適用于高頻高壓應(yīng)用場(chǎng)景，光學(xué)性能也得不到突破。以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導(dǎo)體材料在紅外激光器和高亮度的紅光二極管等方面得到廣泛應(yīng)用。而第三代半導(dǎo)1.9k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-03 00:53
變則通，國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝大跨步走
★前言★集成電路芯片與封裝之間是不可分割的整體，沒(méi)有一個(gè)芯片可以不用封裝就能正常工作，封裝對(duì)芯片來(lái)說(shuō)是必不可少的。隨著IC生產(chǎn)技術(shù)的進(jìn)步，封裝技術(shù)也在不斷更新?lián)Q代，每一代IC都與新一代的IC封裝技術(shù)緊密相連。在業(yè)界，先進(jìn)封裝技術(shù)與傳統(tǒng)封裝技術(shù)以是否焊線來(lái)區(qū)分。先進(jìn)封裝技術(shù)包括FCBGA、FCQFN、2.5D/3D、WLCSP、Fan-Out等非焊線形式。先進(jìn)1.5k瀏覽量
