動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-09-24 08:02

  低功耗碳化硅 MOSFET 的發(fā)展 | 氮化硼高導熱絕緣片

  

  一、前言隨著電動汽車的發(fā)展，汽車功率器件芯片也正在尋求能夠有效處理更高工作電壓和溫度的組件。此時碳化硅MOSFET成為牽引逆變器等電動汽車構(gòu)建模塊的首選技術(shù)。基于碳化硅的逆變器可使高達800V的電氣系統(tǒng)顯著延長EV續(xù)航里程并將充電時間減半。據(jù)行業(yè)研究公司IHSMarkit的數(shù)據(jù)，到2025年，全球高達45%的汽車生產(chǎn)將實現(xiàn)電氣化，每年將售出約4600萬輛電動

  MOSFET 低功耗 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-09-22 08:01

  電路板熱設(shè)計和熱仿真的關(guān)系

  

  一.熱設(shè)計的重要性電源產(chǎn)品電子設(shè)備在工作期間所消耗的電能，除了有用功外，大部分轉(zhuǎn)化成熱量散發(fā)。電子設(shè)備產(chǎn)生的熱量，使內(nèi)部溫度迅速上升，如果不及時將該熱量散發(fā)，設(shè)備會繼續(xù)升溫，器件就會因過熱失效，電子設(shè)備的可靠性將下降。SMT使電子設(shè)備的安裝密度增大，有效散熱面積減小，設(shè)備溫升嚴重地影響可靠性，因此，對熱設(shè)計的研究顯得十分重要。二.印制電路板溫升因素分析引起印

  熱仿真 熱設(shè)計 電路板

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• 發(fā)布了文章 2024-09-20 08:04

  電子封裝 | Die Bonding 芯片鍵合的主要方法和工藝

  

  DieBound芯片鍵合，是在封裝基板上安裝芯片的工藝方法。本文詳細介紹一下幾種主要的芯片鍵合的方法和工藝。什么是芯片鍵合在半導體工藝中，“鍵合”是指將晶圓芯片連接到基板上。連接可分為兩種類型，即傳統(tǒng)方法和先進方法。傳統(tǒng)的方法包括晶片連接和電線連接，而先進的方法包括IBM在60年代末開發(fā)的倒裝芯片連接。倒裝芯片鍵合是一種結(jié)合了模具鍵合和導線鍵合的方法，是通過

  東芯半導體 電子封裝 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-09-20 08:04

  動力電池TIM熱管理材料 | 氮化硼耐高溫高導熱絕緣片

  

  電池問題是新能源汽車起火的最大原因。新能源車的電池受到了外部刺激帶來的壓力后，變形增壓或升溫，并隨之會發(fā)生熱失控，進而引發(fā)自燃和爆炸。根據(jù)新能源汽車國家大數(shù)據(jù)聯(lián)盟的數(shù)據(jù)，已查明著火原因的車輛中，58%車輛起火源于電池問題，19%車輛起火源于碰撞問題，還有部分車輛的起火原因源于浸水、零部件故障、使用問題等原因。新能源車電池的最適宜工作溫度在10-30℃之間。低

  Tim 動力電池 熱管理

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• 發(fā)布了文章 2024-09-18 08:02

  DBC陶瓷基板 | 氮化硼耐高溫高導熱絕緣片

  

  隨著電子技術(shù)的發(fā)展，芯片的集成度不斷提高，電路布線也越來越細。因此，每單位面積的功耗增加，導致發(fā)熱增加和潛在的設(shè)備故障。直接粘合銅（DBC）陶瓷基板因其優(yōu)異的導熱性和導電性而成為重要的電子封裝材料，特別是在功率模塊（IGBT）和集成電力電子模塊中。直接敷銅陶瓷基板（DBC）由陶瓷基片與銅箔在高溫下（1065℃）共晶燒結(jié)而成，最后根據(jù)布線要求，以刻蝕方式形成線

  DBC 導熱 絕緣 陶瓷基板

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• 發(fā)布了文章 2024-09-16 08:02

  碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應(yīng)用 | 氮化硼高導熱絕緣片

  

  SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點：1.寬帶隙半導體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場方面相對相似。氮化鎵的帶隙為3.2eV，而碳化硅的帶隙為3.4eV。雖然這些值看起來相似，但它們明顯高于硅的帶隙。硅的帶隙僅為1.1eV，比氮化鎵和碳化硅小三倍。這些化合物的較高帶隙允許氮化鎵和碳化硅舒

  GaN SiC 氮化鎵 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-09-15 08:03

  IGBT主動散熱和被動散熱 | 氮化硼高導熱絕緣片

  

  摘要：隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT）向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進，熱產(chǎn)生問題日益突出，對散熱的要求越來越高，IGBT芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會嚴重影響器件的工作性能。因此，對IGBT模塊的溫度進行有效地檢測和管理是十分重要的環(huán)節(jié)。綜述了IGBT模塊的研究現(xiàn)狀、研究熱點以及散熱相關(guān)技術(shù)，主要介紹了主動散熱和被動散熱

  IGBT 晶體管 絕緣片

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• 發(fā)布了文章 2024-09-14 08:03

  新能源汽車制冷和制熱技術(shù)分析 | 電動汽車氮化硼高導熱絕緣片

  

  新能源汽車以電能或其他清潔能源作為動力來源,具有節(jié)能環(huán)保、運行成本低等優(yōu)點,已成為汽車工業(yè)發(fā)展的重要方向[1]。然而,由于取消了內(nèi)燃機這一常規(guī)熱源,新能源汽車的制熱和制冷系統(tǒng)面臨諸多挑戰(zhàn)。合理設(shè)計制冷和制熱系統(tǒng),選擇適宜的制冷劑,對于提高新能源汽車的熱舒適性和能源利用效率具有重要意義。一、新能源汽車制熱方式1.1PTC電加熱器PTC(PositiveTemp

  新能源汽車 電動汽車 絕緣片

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• 發(fā)布了文章 2024-09-13 08:03

  芯片開發(fā)與整車開發(fā)的協(xié)同適應(yīng)策略探討

  

  隨著汽車電子化和智能化的加速發(fā)展，芯片作為汽車電子控制系統(tǒng)的核心組件，其與整車開發(fā)的緊密協(xié)同已成為行業(yè)關(guān)注的重點。這種協(xié)同不僅涉及技術(shù)的深度融合，也關(guān)系到產(chǎn)業(yè)鏈的高效運作和市場的快速響應(yīng)。當前芯片開發(fā)與整車開發(fā)協(xié)同的痛點如下：溝通難、不協(xié)同、不認同：中國工程院院士孫逢春指出，國產(chǎn)芯片企業(yè)與整車企業(yè)之間的溝通困難、不協(xié)同和不認同，直

  整車 汽車電子 芯片開發(fā)

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• 發(fā)布了文章 2024-09-12 08:03

  IGBT熱管理解決方案

  

  自20世紀80年代開發(fā)以來，IGBT已成為風能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費和工業(yè)用途的電動汽車和電動機的關(guān)鍵。功率半導體、功率器件、IGBT三者有什么關(guān)系？功率半導體是電力電子設(shè)備實現(xiàn)電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心元器件。功率半導體又稱作電力半導體，主要用來對電力進行轉(zhuǎn)換，對電路進行控制，用于改變電壓或電流的波形、幅值、相位、頻率等參數(shù)。功率半導體本質(zhì)上是

  IGBT 功率半導體 功率器件 熱管理

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