動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2024-09-27 08:05
新品 | 第2代CoolSiC™ MOSFET 400V
新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2將高堅(jiān)固性與超低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起，同時(shí)改善了系統(tǒng)成本。400VSiCMOSFET可在2電平和3電平硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾墓β拭芏群拖到y(tǒng)效率。目標(biāo)應(yīng)用為人工智能服務(wù)器PSU、SMPS、電機(jī)控制、可再生能源和儲(chǔ)能以及D類放大器中的功率轉(zhuǎn)換。產(chǎn)品型號(hào)：■IMBG4 -
發(fā)布了文章 2024-09-26 08:05
新品 | 用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的ISOFACE™四通道數(shù)字隔離器
新品用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的ISOFACE四通道數(shù)字隔離器ISOFACE四通道數(shù)字隔離器系列支持高達(dá)40Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，可確保在寬環(huán)境條件下進(jìn)行穩(wěn)健的數(shù)據(jù)通信。工作溫度范圍（-40°C至+125°C）。寬體DSO-16封裝中的四個(gè)數(shù)據(jù)通道可簡(jiǎn)化高功率密度設(shè)計(jì)，并以低電流消耗提高系統(tǒng)效率?，F(xiàn)在還提供4+0通道配置。產(chǎn)品型號(hào)：■4DIR0400H■4DIR0676瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-09-20 08:06
功率半導(dǎo)體讓生活更美好
功率半導(dǎo)體讓生活更美好645瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-09-19 08:03
新品 | 英飛凌無(wú)芯變壓器固態(tài)隔離器交流固態(tài)開(kāi)關(guān)評(píng)估板
新品英飛凌無(wú)芯變壓器固態(tài)隔離器交流固態(tài)開(kāi)關(guān)評(píng)估板英飛凌固態(tài)隔離器高壓側(cè)不需要輔助電源供電就可以驅(qū)動(dòng)功率晶體管，如CoolMOS、OptiMOS或TRENCHSTOPIGBT。英飛凌SSI系列提供快速開(kāi)通/關(guān)斷、過(guò)流保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)等控制功能，驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)固態(tài)繼電器。產(chǎn)品特點(diǎn)評(píng)估板用于8引腳固態(tài)隔離器的快速評(píng)估和設(shè)計(jì)評(píng)估板為交流固態(tài)開(kāi)關(guān)配置快速開(kāi)通過(guò)流/過(guò) -
發(fā)布了文章 2024-09-14 08:04
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發(fā)布了文章 2024-09-13 08:04
英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革
●憑借這一突破性的300mmGaN技術(shù)，英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)快速增長(zhǎng)●利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率●300mmGaN的成本將逐漸與硅的成本持平英飛凌科技股份公司今天宣布，已成功開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng) -
發(fā)布了文章 2024-09-12 08:04
直播預(yù)告 | 電氣隔離新勢(shì)力——英飛凌新型SSI系列固態(tài)隔離器的創(chuàng)新技術(shù)與應(yīng)用設(shè)計(jì)
英飛凌最新推出的SSI系列固態(tài)隔離器面向交流和直流固態(tài)繼電器、可編程邏輯控制器、智能樓宇和家庭自動(dòng)化系統(tǒng)（溫控器、照明、供暖控制）、工業(yè)自動(dòng)化和控制、儀器設(shè)備、電池管理系統(tǒng)、配電柜等等多個(gè)領(lǐng)域。其創(chuàng)新技術(shù)在兼顧可靠性和穩(wěn)定性的同時(shí)，并實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化和成本降低。通過(guò)研討會(huì)，您將了解：技術(shù)革新亮點(diǎn)：詳細(xì)介紹英飛凌最新固態(tài)隔離器的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以及在快速開(kāi)通和關(guān) -
發(fā)布了文章 2024-09-10 08:03
新品 | 6500V、1000A 單開(kāi)關(guān) IGBT 模塊 FZ1000R65KE4
新品6500V、1000A單開(kāi)關(guān)IGBT模塊FZ1000R65KE46500V1000A，190mmIHV單開(kāi)關(guān)IGBT模塊采用IGBT4溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)，是HVDC-VSC、牽引和工業(yè)應(yīng)用的最佳解決方案。產(chǎn)品特點(diǎn)低VCEsat碳化硅鋁基板存儲(chǔ)溫度低至-55°CCTI600應(yīng)用價(jià)值實(shí)現(xiàn)緊湊型逆變器設(shè)計(jì)低功率損耗標(biāo)準(zhǔn)化封裝競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)高性能堅(jiān)固可靠低功率損耗應(yīng)用領(lǐng) -
發(fā)布了文章 2024-09-05 08:03
新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器
新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的升級(jí)版逆變器和柵極驅(qū)動(dòng)器板。設(shè)計(jì)用于評(píng)估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開(kāi)關(guān)。驅(qū)動(dòng)電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRI657瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-09-04 08:02
兩位IEEE Fellow授課│第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級(jí)研修班10月上海開(kāi)班
來(lái)源：內(nèi)容來(lái)自中國(guó)電源學(xué)會(huì)01組織機(jī)構(gòu)主辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì)承辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì)科普工作委員會(huì)、英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實(shí)驗(yàn)中心、上海臨港電力電子研究院02培訓(xùn)時(shí)間地點(diǎn)2024年10月11-13日中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)上海海事大學(xué)物流工程學(xué)院03培訓(xùn)介紹培訓(xùn)內(nèi)容本課程旨在全面系統(tǒng)深入地介紹第三代功率半導(dǎo)體新技術(shù)的發(fā)展，重點(diǎn)講授碳883瀏覽量
