動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-09-05 08:03

  新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器

  

  新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的升級(jí)版逆變器和柵極驅(qū)動(dòng)器板。設(shè)計(jì)用于評(píng)估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開(kāi)關(guān)。驅(qū)動(dòng)電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRI

  MOSFET 伺服電機(jī) 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2024-09-04 08:02

  兩位IEEE Fellow授課│第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級(jí)研修班10月上海開(kāi)班

  

  來(lái)源：內(nèi)容來(lái)自中國(guó)電源學(xué)會(huì)01組織機(jī)構(gòu)主辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì)承辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì)科普工作委員會(huì)、英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實(shí)驗(yàn)中心、上海臨港電力電子研究院02培訓(xùn)時(shí)間地點(diǎn)2024年10月11-13日中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)上海海事大學(xué)物流工程學(xué)院03培訓(xùn)介紹培訓(xùn)內(nèi)容本課程旨在全面系統(tǒng)深入地介紹第三代功率半導(dǎo)體新技術(shù)的發(fā)展，重點(diǎn)講授碳

  半導(dǎo)體器件 氮化鎵 電力電子

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• 發(fā)布了文章 2024-09-03 08:02

  新品 | 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列

  

  新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展，在全球范圍內(nèi)樹(shù)立了技術(shù)和性價(jià)比標(biāo)準(zhǔn)。CoolMOS8是英飛凌新一代硅基MOSFET技術(shù)，旨在取代現(xiàn)有的高/低功率開(kāi)關(guān)電源（SMPS）的CoolMOS7產(chǎn)品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它也是CoolGa

  MOS MOSFET 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-08-30 12:25

  離網(wǎng)場(chǎng)景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢(shì)

  

  *本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/工商業(yè)側(cè)儲(chǔ)能正以其經(jīng)濟(jì)性，電網(wǎng)友好性等特點(diǎn)蓬勃發(fā)展，其中離網(wǎng)應(yīng)用場(chǎng)景下，不平衡負(fù)載帶載能力，諧波畸變度等都是其PCS的重要指標(biāo)。三相四橋臂（3P4L）變流器具有最強(qiáng)的不平衡負(fù)載能力，但對(duì)比三相三線（3P3W）系統(tǒng)，成本增加，諧波畸變度更高。SiCMOSFETs由于其優(yōu)越的材料特性與器件特性，相較IGBT可大幅提升開(kāi)關(guān)

  MOSFET SiC 變流器

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• 發(fā)布了文章 2024-08-30 12:24

  新品 | EiceDRIVER™ 2ED314xMC12L 6.5 A、5.7 kV（有效值）雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

  

  新品EiceDRIVER2ED314xMC12L6.5A、5.7kV（有效值）雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器EiceDRIVER2ED314xMC12L是一個(gè)雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC系列，用于驅(qū)動(dòng)SiMOSFET、IGBT和SiCMOSFET。所有產(chǎn)品均采用14引腳DSO封裝，輸入-輸出爬電間距為8mm，加強(qiáng)絕緣。所有型號(hào)都具有死區(qū)時(shí)間控制（DTC）功能和獨(dú)立驅(qū)動(dòng)通道

  MOSFET SiC 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2024-08-30 12:24

  系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開(kāi)關(guān)的影響分析

  

  *本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)的過(guò)流機(jī)理，以及開(kāi)通電流振蕩的原因。除了寄生電感對(duì)功率器件電壓應(yīng)力的影響外，本文還討論了系統(tǒng)設(shè)計(jì)中寄生電容對(duì)開(kāi)通電流應(yīng)力、電流振蕩和開(kāi)通損耗的負(fù)面影響。01導(dǎo)言隨著SiC技術(shù)的發(fā)展和電力電子行業(yè)的增長(zhǎng)，SiC器件越來(lái)越受到工程師

  MOS sic器件 二極管

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• 發(fā)布了文章 2024-08-30 12:24

  新品 | 集成溫度傳感器工業(yè)和汽車級(jí)CoolMOS™ S7T和S7TA SJ MOSFET

  

  新品集成溫度傳感器工業(yè)和汽車級(jí)CoolMOSS7T和S7TASJMOSFET集成溫度傳感器的CoolMOSS7T和S7TA提高了結(jié)溫測(cè)量的準(zhǔn)確性和穩(wěn)健性，測(cè)溫簡(jiǎn)單，并實(shí)現(xiàn)了功能安全。該器件針對(duì)低頻和大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。它非常適合固態(tài)繼電器、固態(tài)斷路器和SMPS中的輸入整流等工業(yè)應(yīng)用，以及汽車中的電池分?jǐn)?、電子保險(xiǎn)絲和車載充電器。溫度傳感器增強(qiáng)了CoolM

  MOSFET 傳感器 工業(yè)

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• 發(fā)布了文章 2024-08-14 08:14

  英飛凌推出高性能 CIPOS™ Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

  

  英飛凌科技推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的低功耗CIPOSMaxi智能功率模塊(IPM)系列，進(jìn)一步擴(kuò)展了其第七代TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品系列。新型IM12BxxxC1系列基于最新的TRENCHSTOPIGBT71200V和快速二極管EmCon7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計(jì)，該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能。這大大降低了損耗，提高了效率和功率密度。該產(chǎn)品組合包

  工業(yè) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-08-13 08:14

  新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL™ 3 IGBT7 模塊

  

  新品900A1700VWave基板的EconoDUAL3IGBT7模塊EconoDUAL3FF900R17ME7W_B11基板采用Wave波浪結(jié)構(gòu)，針對(duì)開(kāi)放式液冷散熱器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更長(zhǎng)的使用壽命。目前的EconoDUAL3Wave產(chǎn)品組合新增了1700V電壓等級(jí)的900A模塊。產(chǎn)品型號(hào)：FF900R17ME7W_B11900A170

  IGBT 散熱器 模塊

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• 發(fā)布了文章 2024-08-11 08:14

  墻邊的英雄--關(guān)于插座的二三事

  

  想象一下，如果沒(méi)有插座，我們的生活將會(huì)是怎樣一番景象？插座，這個(gè)平凡的小方塊，默默地承擔(dān)著連接我們與電力世界的重任。但是，它并不是簡(jiǎn)單的電流輸送者，它是家庭和辦公室中不可或缺的一員，是現(xiàn)代生活的靜默伙伴。然而，雖然插座如此重要，它的設(shè)計(jì)、功能以及安全性卻常常被人們忽視。在這里我們將深入探討插座的歷史，它是如何從一個(gè)簡(jiǎn)單的電力接入設(shè)備發(fā)展成為今天這樣一個(gè)集安全

  家用電器 插座 連接器

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