動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-12-01 08:14

  英飛凌EiceDRIVER™技術(shù)以及應(yīng)對(duì)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)的挑戰(zhàn)

  

  碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低，開關(guān)速度快，dv/dt高，短路時(shí)間小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的選擇、驅(qū)動(dòng)參數(shù)配置及短路響應(yīng)時(shí)間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC英飛凌工業(yè)功率技術(shù)大會(huì)上，發(fā)表了《英飛凌EiceDRIVER技術(shù)以及應(yīng)對(duì)SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)的挑戰(zhàn)》的演講，詳細(xì)剖析了SiCMOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的需求，以及我們

  MOSFET SiC 英飛凌 驅(qū)動(dòng)

  1.6k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-11-28 08:13

  增強(qiáng)型M1H CoolSiC MOSFET的技術(shù)解析及可靠性考量

  

  碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對(duì)的首要問題，英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業(yè)，如何使用創(chuàng)新的非對(duì)稱溝槽柵既解決柵極氧化層的可靠性問題、又提高了SiCMOSFET的性能?增強(qiáng)型M1HCoolSiC芯片又“強(qiáng)“在哪里？英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部高級(jí)工程師趙佳女士，在2023英

  MOSFET SiC 碳化硅

  1.3k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-11-21 08:14

  英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品

  

  英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求。TRENCHSTOPIGBT7H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導(dǎo)體器件適合用于各種應(yīng)用，如組串式逆變器

  IGBT 電源 英飛凌

  861瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-11-19 08:13

  英領(lǐng)綠色能源｜產(chǎn)學(xué)聯(lián)動(dòng)，探討實(shí)現(xiàn)“雙碳”更優(yōu)解

  

  作為全球功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌11月21日第一期上線現(xiàn)在開約！雙碳，一個(gè)持續(xù)熱門的話題，可謂宏大而復(fù)雜。為了理清該領(lǐng)域的最新發(fā)展邏輯，從產(chǎn)業(yè)宏觀和底層科技綜合視角來探討實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)的更快路徑，2023年尾聲，英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌直播活動(dòng)，結(jié)合產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)，打造業(yè)界獨(dú)家欄目！在這檔欄目中，通過研究“雙

  功率半導(dǎo)體 能源 英飛凌

  914瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-11-17 08:14

  產(chǎn)學(xué)聯(lián)動(dòng)，探討實(shí)現(xiàn)“雙碳”更優(yōu)解

  

  作為全球功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌11月21日（下周二）第一期上線現(xiàn)在開約！雙碳，一個(gè)持續(xù)熱門的話題，可謂宏大而復(fù)雜。為了理清該領(lǐng)域的最新發(fā)展邏輯，從產(chǎn)業(yè)宏觀和底層科技綜合視角來探討實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)的更快路徑，2023年尾聲，英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌直播活動(dòng)，結(jié)合產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)，打造業(yè)界獨(dú)家欄目！在這檔欄目中，通

  功率半導(dǎo)體 英飛凌

  444瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-11-17 08:14

  碳化硅 MOSFET 給電力電子系統(tǒng)帶來哪些創(chuàng)新設(shè)計(jì)

  

  我們常說，一代電力電子器件決定一代系統(tǒng)設(shè)計(jì)。那么，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的SiCMOSFET的出現(xiàn)，將給電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來哪些顛覆性的改變？英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部技術(shù)總監(jiān)沈嵩先生，在2023英飛凌工業(yè)功率技術(shù)大會(huì)（IPAC）上，發(fā)表了《CoolSiCMOSFET賦能電力電子系統(tǒng)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)》的演講，點(diǎn)擊視頻可觀看回放。點(diǎn)擊上方視頻即可進(jìn)行觀看對(duì)于不方便看視頻

  MOSFET SiC 碳化硅

  1.2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-11-06 08:14

  一步步糾正關(guān)于SiC MOSFET短路認(rèn)知誤區(qū)

  

  本期是和ChatGPT辯論的第五回合，英飛凌趙工出場(chǎng)了（第四回合回顧）。趙工內(nèi)心OS：往期雖然ChatGPT有時(shí)表現(xiàn)得可圈可點(diǎn)，但有時(shí)也不知所云。都說人工智能模型需要訓(xùn)練，它會(huì)自我學(xué)習(xí)迭代。不如今天來刻意訓(xùn)練一下ChatGPT，或許就能獲得一只精通功率器件的AI，將來就能替我回復(fù)客戶問題？Q為什么SiCMOSFET的短路時(shí)間通常比IGBT短？SiCMOSFE

  MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體

  883瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-11-04 08:14

  英飛凌科技TRENSTOP™ IGBT7 1200V系列榮膺2023年Aspencore電子成就獎(jiǎng)

  

  11月2日，英飛凌科技的TRENSTOPIGBT71200V系列憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，榮獲2023年Aspencore電子成就獎(jiǎng)（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能被動(dòng)/分立器件”（HighPerformancepassive/DiscreteDevicesoftheYear!）獎(jiǎng)項(xiàng)，再次展

  IGBT 電子設(shè)備 英飛凌

  729瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-11-03 08:14

  OBC PFC車規(guī)功率器件結(jié)溫波動(dòng)與功率循環(huán)壽命分析

  

  應(yīng)用背景隨著新能源汽車(xEV)在乘用車滲透率的逐步提升，車載充電機(jī)(OBC)作為電網(wǎng)與車載電池之間的單向充電或雙向補(bǔ)能的車載電源設(shè)備，也得到了非常廣泛的應(yīng)用。相比車載主驅(qū)電控逆變器，電源類OBC產(chǎn)品復(fù)雜度高，如何實(shí)現(xiàn)其高功率密度、高可靠性、高效率、高性價(jià)比等核心指標(biāo)的優(yōu)化與平衡，一直是OBC不斷技術(shù)迭代與產(chǎn)品革新的方向。在上述OBC與可靠性的背景下，針對(duì)車

  OBC PFC 功率器件

  1.3k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-10-28 08:14

  商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛應(yīng)用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接

  

  作者簡(jiǎn)介作者：OmarHarmon,ZhenboZhao,LukasHein翻譯：ZhaoKai/摘要/今天，功率半導(dǎo)體為很多應(yīng)用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發(fā)熱充分散出去是解決高功率密度設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。通過使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱系統(tǒng)的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的T

  半導(dǎo)體 封裝 焊接

  1.4k瀏覽量