深圳市致知行科技有限公司文章

• 6.2.1 反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2021-12-31 08:50

  

  6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.6離子注入及后續(xù)退火過(guò)程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和

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• 9.3.4 體缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 08:49

  

  9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、GaN基板、藍(lán)寶石晶圓及

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• BeSTMOS 600V 650V 700V TO-220F TO-247 TO-252 選型說(shuō)明2021-12-31 07:45

  

  晶圓 1559瀏覽量

• 6.1.5 高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2021-12-31 07:44

  

  6.1.5高溫退火和表面粗糙化6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.

  碳化硅 1096瀏覽量

• 9.3.2 線缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 07:42

  

  9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、GaN基板、藍(lán)寶石晶圓及

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• 6.1.6 離子注入及后續(xù)退火過(guò)程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2021-12-31 07:41

  

  6.1.6離子注入及后續(xù)退火過(guò)程中的缺陷行成6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、

  碳化硅 1046瀏覽量

• 9.3.3 面缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 07:40

  

  9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、GaN基板、藍(lán)寶石

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• 9.2.4 切片工藝∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 05:34

  

  點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們SilicingTechnology撰稿人：浙江金瑞泓科技股份有限公司梁興勃http://www.zjjrh.com/審稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn/9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸

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• 肖特基二極管(SBD) 與普通二極管的區(qū)別制2021-12-31 05:33

  

  肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。1、

  二極管 4155瀏覽量

• 9.2.5 研磨工藝∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 05:30

  

  9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)相關(guān)鏈接：8.2.8研磨機(jī)LappingMachine‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.8

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