英飛凌工業(yè)半導體文章

• 新品 | CoolSiC™肖特基二極管G5系列10-80A 2000V2024-11-01 08:06

  

  新品CoolSiC肖特基二極管G5系列10-80A2000VCoolSiC肖特基二極管2000VG5系列在高達1500VDC的高直流母線系統(tǒng)中實現(xiàn)了更高的效率和設計簡化。由于采用了.XT互聯(lián)技術，該二極管具有一流的散熱性能和很強的防潮能力。它與配套的CoolSiCMOSFET2000V產品組合完美匹配。產品型號：■IDYH10G200C5■IDYH25G20

  SiC 二極管 肖特基二極管 604瀏覽量

• 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術極限并提高能效2024-10-31 08:04

  

  •英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導體晶圓處理和加工技術的公司；•通過降低晶圓厚度將基板電阻減半，進而將功率損耗減少15%以上；•新技術可用于各種應用，包括英飛凌的AI賦能路線圖；•超薄晶圓技術已獲認可并向客戶發(fā)布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠之后，英飛凌

  功率半導體 晶圓 英飛凌 579瀏覽量

• 功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)2024-10-29 08:02

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。第一講《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》，已經把熱阻和電阻聯(lián)系起來了，那自然會

  SiC 功率器件 熱設計 熱阻 914瀏覽量

• 英飛凌推出CoolSiC™肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達1500 VDC2024-10-25 08:04

  

  如今，許多工業(yè)應用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC肖特基二極管2000VG5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000V的分立碳化硅二極管。該產品系列適用于直流母線電壓高達1500VD

  直流母線 肖特基二極管 英飛凌 959瀏覽量

• 新品 | 采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板2024-10-24 08:03

  

  新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D²PAK7引腳封裝，是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。它是一個帶功率開關和柵極驅動器接口的單半橋，可輕松構建任何基于半橋的功率拓撲。相關器件：IPF021N13NM6(OptiMOS6powerMOSFET135V)該系列還有各種功

  MOSFET 功率 驅動器 935瀏覽量

• 功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻2024-10-22 08:01

  

  功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產生損耗，損失的能量會轉化為熱能，表現(xiàn)為半導體器件發(fā)熱

  功率半導體 功率器件 熱設計 熱阻 1716瀏覽量

• 新品 | 3300W無橋圖騰柱PFC參考設計2024-10-17 08:03

  

  新品3300W無橋圖騰柱PFC參考設計REF_3K3W_TP_SIC_TOLL3300W無橋圖騰柱PFC參考設計是采用英飛凌功率半導體、驅動器和微控制器的系統(tǒng)解決方案。它采用無橋圖騰柱拓撲結構，非常適合要求卓越的效率和功率密度的高端應用。圖騰柱設計簡便易行，減少了元件數(shù)量，并充分利用了PFC電感器和功率開關，從而以有限的系統(tǒng)成本實現(xiàn)高功率密度。相關器件：RE

  PFC 功率半導體 驅動器 1195瀏覽量

• 10月25日｜英飛凌儲存器解決方案線上技術論壇2024-10-15 08:04

  

  誠邀您參加英飛凌儲存器解決方案線上技術論壇。本次論壇將由Infineon和業(yè)內專家共同主持，向您全方位展示Infineon儲存器解決方案在汽車和工業(yè)應用中的最新設計趨勢和用例。論壇面向對象：本屆論壇主要面向方案設計群體（系統(tǒng)架構師、設計工程師等），探討（由多種需求驅動的）設計復雜度增加，和資格認證所帶來的挑戰(zhàn)，以及如何減少開發(fā)成本并縮短上市時間。話題涵蓋：可

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• 新品 | 1200A 4500V IGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S72024-10-13 08:04

  

  新品1200A4500VIGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7知名的IHVB4.5kV單開關IGBT模塊已采用我們最新一代的芯片，以滿足MVD、輸配電和交通行業(yè)應用當前和未來的要求。它采用TRENCHSTOPIGBT4和發(fā)射極控制二極管EmCon4，標準封裝尺寸為140x190mm²，與上一代產品一樣，可提供驅動電壓VGE=25

  IGBT 二極管 芯片 734瀏覽量

• 新品 | 采用IGBT7的CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM2024-10-09 08:04

  

  新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi轉模封裝IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRENCHSTOPIGBT7和快速二極管Emcon7技術。由于采用了最新的微溝槽設計芯片，該產品具有卓越的控制能力和性能，這大大降低了損耗，提高了效率，并增加了功率密度。產品組合包括從10A，15A和20A三種新

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