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碳化硅功率模塊:未來電力電子行業(yè)的變革者2024-03-07 17:53
功率模塊有好幾種類型,常見的比如絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和碳化硅(SiC)功率模塊。IGBT適合于高電壓和大電流的場合 -
英特爾成為全球首家購買3.8億美元高數(shù)值孔徑光刻機的廠商2024-03-06 14:49
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單片機如何通過代碼控制硬件:一名工程師的分享2024-03-06 14:46
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理想二極管工作原理與應(yīng)用領(lǐng)域的解析2024-03-05 15:32
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沃爾瑪正打造全國電動汽車快速充電網(wǎng)絡(luò)2024-03-05 15:29
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英飛凌:重組銷售與營銷組織2024-03-01 14:30
自2024年3月1日起,英飛凌的銷售團隊將圍繞三個以客戶為中心的銷售細分市場進行重組:“汽車”、“工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施”和“消費者、計算與通信”。其分銷商和電子制造服務(wù)(EMS)的銷售組織DEM將保留其職責。這一新結(jié)構(gòu)將通過將客戶的應(yīng)用需求置于新組織模型的中心,進一步發(fā)揮英飛凌全面且多樣化的產(chǎn)品組合的潛力。所有這些組織都將在全球范圍內(nèi)部署,并優(yōu)化區(qū)域足跡。 -
硅碳化物和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)2024-03-01 14:29
相比之下,氮化鎵在自然中以閃鋅礦(一種鋅和鐵的硫化物)的形式存在,在這種分布稀少的情況下,提純生產(chǎn)極其困難。與SiC相比,氮化鎵在射頻電子學中表現(xiàn)最佳,因為它具有更高的電子遷移率。我們從GaN和SiC的晶體結(jié)構(gòu)中分析出平,GaN由于其熱特性,包括高熱導(dǎo)率,使其在環(huán)境中更好地散熱,而SiC硅碳化物更適用于功率電子學。 -
適配MOSFET柵極驅(qū)動器以驅(qū)動GaN FETs2024-02-29 17:54
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敦泰:布局高端產(chǎn)品,搶抓柔性O(shè)LED市場新機遇2024-02-29 17:52
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晶豐明源:2023年實現(xiàn)銷售收入達到13.03億元2024-02-28 17:30