過度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會導致表面粗糙。當硅表面在HF過程中暴露于OH離子時，硅表面可能會變得粗糙....

等離子體蝕刻機需要與濕法蝕刻相同的元素：化學蝕刻劑和能量源。從物理上講，等離子體蝕刻機由室、真空系統(tǒng)....

蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕....

下圖列出了一個11步工藝，如第5章所示。典型的站點良率列在第3列，累積良率列在第5列。對于單個產品，....

在晶圓制造良率部分討論的工藝變化會影響晶圓分選良率。在制造區(qū)域，通過抽樣檢查和測量技術檢測工藝變化。....

制造后，晶圓被送到晶圓分選測試儀。在測試期間，每個芯片都會進行電氣測試，以檢查設備規(guī)范和功能。每個電....

硅晶圓相對容易處理，并且良好的實踐和自動設備已將晶圓斷裂降至低水平。然而，砷化鎵晶圓并不是那么堅韌，....

晶圓實際被加工的時間可以以天為單位來衡量。但由于在工藝站點的排隊以及由于工藝問題導致的臨時減速，晶圓....

晶圓制造和封裝是一個極其漫長和復雜的過程，涉及數(shù)百個要求嚴格的步驟。這些步驟從未每次都完美執(zhí)行，污染....

有許多單獨的模式處理步驟，這些處理步驟標識了器件的數(shù)量、器件的具體結構，器件中堆疊層的組合方式，并且....

電路設計是制造微芯片的第一步。電路設計人員首先會從設計電路的單元功能圖開始，如邏輯圖中所示的這樣。

下圖中描述了一個中等規(guī)模集成(MSI)/雙極顯微照片集成電路。選擇整合的水平，以便一些表面細節(jié)可以看....

在本章當中，我們將為大家介紹硅片制造中使用的四種基本工藝，這四種基本工藝常用于在晶圓片表面上加工集成....

最后的拋光步驟是進行化學蝕刻和機械拋光的結合，這種形式的拋光稱為化學機械拋光(CMP)。首先要做的事....

一旦晶體在切割塊上被定向了，我們就可以沿著切割塊的這一根軸線打磨出一個平面或缺口(具體可以見下圖所示....

在晶體生長的過程中，由于某些條件的引入將會導致結構缺陷的生成。

浮區(qū)晶體生長是本文所解釋的幾個過程之一，這項關鍵性的技術是在歷史早期發(fā)展起來的技術，至今仍用于特殊用....

我們看到的半導體晶圓是從一塊完整的半導體大晶體切成出來形成的。

晶體材料可能有兩層原子結構。首先是原子以特定的形狀排列在單個晶胞的特定的點上。

在接下來的一個章節(jié)里面，我們將主要介紹用砂子制備半導體級硅的方法，以及后續(xù)如何將其轉化為晶體和晶圓片....

另一個重要方面是壓力。壓強，作為一種物質的基本性質，通常是用于液體和氣體物質狀態(tài)的描述量。

書接上節(jié)，常見的物質的第四種自然狀態(tài)是等離子體狀態(tài)。我們比較熟知的恒星天體就是等離子體態(tài)的一個例子。....

當我們想要描述一個原子的結構時，每次繪制下圖所示的這樣的圖表時都不是非常的方便。更常見的做法是寫出分....

硅/鍺原子的間距比普通硅原子的更寬。在沉積的過程中，硅原子伸展到與SI/Ge原子對齊，使硅層染色。電....

盡管有這些優(yōu)點，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進而變成主流的半導體材料。原因在于我們必須要在實際的材....

鍺和硅是兩種基本的半導體。世界上第一個晶體管是由鍺材料制成的，作為固態(tài)電路時代的最初的一個標志。

以同樣的方式理解p型材料(如下圖所示)。不同之處在于，只有元素周期表第三列的硼被用來使p型的硅摻雜。....

本征態(tài)的半導體材料在制作固態(tài)器件時是無用的，因為它沒有自由移動的電子或者空穴，所以不能導電。

本征態(tài)的半導體材料在制作固態(tài)器件時是無用的，因為它沒有自由移動的電子或者空穴，所以不能導電。然而，通....

許多材料的一個重要特性是導電能力(即:支持電流流動的能力)。電流就是流動的電子。導電發(fā)生在元件和材料....