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閃德半導(dǎo)體

文章:85 被閱讀:22.8w 粉絲數(shù):16 關(guān)注數(shù):0 點贊數(shù):5

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全面剖析倒裝芯片封裝技術(shù)的內(nèi)在機制、特性優(yōu)勢、面臨的挑戰(zhàn)及未來走向

半導(dǎo)體技術(shù)的日新月異,正引領(lǐng)著集成電路封裝工藝的不斷革新與進步。其中,倒裝芯片(Flip Chip)....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 03-14 10:50 ?748次閱讀

晶圓的標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝流程

硅片,作為制造硅半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ),源自高純度的硅材料。這一過程中,多晶硅被熔融并摻入特定的硅晶體種子....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 03-01 14:34 ?600次閱讀
晶圓的標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝流程

中國半導(dǎo)體設(shè)備業(yè):本土企業(yè)強勢崛起,全球布局步伐加快

中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)嶄露頭角 在科技日新月異的今天,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已成為全球科技競爭的焦點。在這場“芯片之....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 02-14 16:51 ?1149次閱讀

芯片前端和后端制造工藝的區(qū)別

通常,我們將芯片的生產(chǎn)過程劃分為前端制程和后端制程兩大階段,其中前端制程專注于芯片的制造,而后端制程....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 02-12 11:27 ?1324次閱讀
芯片前端和后端制造工藝的區(qū)別

半導(dǎo)體測試的種類與技巧

芯片研發(fā):半導(dǎo)體生產(chǎn)的起點站 半導(dǎo)體產(chǎn)品的旅程始于芯片的精心設(shè)計。在這一初始階段,工程師們依據(jù)產(chǎn)品的....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-28 15:48 ?679次閱讀
半導(dǎo)體測試的種類與技巧

半導(dǎo)體薄膜沉積技術(shù)的優(yōu)勢和應(yīng)用

在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺上,每一項技術(shù)都是推動行業(yè)躍進的關(guān)鍵舞者。其中,原子層沉積(A....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-24 11:17 ?1064次閱讀

一文解析半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)制程步驟

CMOS技術(shù)已廣泛應(yīng)用于邏輯和存儲芯片中,成為集成電路(IC)市場的主流選擇。 關(guān)于CMOS電路 以....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-23 13:56 ?1218次閱讀
一文解析半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)制程步驟

半導(dǎo)體固晶工藝深度解析

隨著科技的日新月異,半導(dǎo)體技術(shù)已深深植根于我們的日常生活,無論是智能手機、計算機,還是各式各樣的智能....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-15 16:23 ?1389次閱讀

深入剖析半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物形成的機理

半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物的形成,其背后的機制涵蓋了化學(xué)反應(yīng)、表面交互作用以及側(cè)壁防護等多個層面,下....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-08 16:57 ?932次閱讀

半導(dǎo)體在熱測試中遇到的問題

在半導(dǎo)體器件的實際部署中,它們會因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱,過高的溫度會削弱甚至損害器件性能。因....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-06 11:44 ?981次閱讀

High-k柵極堆疊技術(shù)的介紹

? High-k柵極堆疊技術(shù),作為半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)一項廣泛采納的前沿科技,對于現(xiàn)代集成電路制造業(yè)具有舉足....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-28 14:51 ?1174次閱讀

玻璃基板面臨的四大核心技術(shù)攻關(guān)難點

人工智能的發(fā)展對高性能計算、可持續(xù)技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)硅片的需求激增,這推動了研發(fā)投資的增加,加速了半導(dǎo)體技術(shù)....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-22 15:27 ?1576次閱讀
玻璃基板面臨的四大核心技術(shù)攻關(guān)難點

化學(xué)機械拋光技術(shù)(CMP)的深度探索

在半導(dǎo)體制造這一高度精細(xì)且復(fù)雜的領(lǐng)域里,CMP(化學(xué)機械拋光)技術(shù)就像是一顆默默閃耀在后臺的璀璨寶石....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-20 09:50 ?2560次閱讀

干法蝕刻異向機制的原理解析

無偏差的刻蝕過程,我們稱之為各向異性刻蝕。為了更清晰地理解這一過程,我們可以將其拆解為幾個基本環(huán)節(jié)。....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-17 10:48 ?1115次閱讀
干法蝕刻異向機制的原理解析

半導(dǎo)體行業(yè)工藝知識

寫在前面 本文將聚焦于半導(dǎo)體工藝這一關(guān)鍵領(lǐng)域。半導(dǎo)體工藝是半導(dǎo)體行業(yè)中的核心技術(shù),它涵蓋了從原材料處....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-07 09:17 ?1300次閱讀
半導(dǎo)體行業(yè)工藝知識

Chiplet或改變半導(dǎo)體設(shè)計和制造

在快速發(fā)展的半導(dǎo)體領(lǐng)域,小芯片技術(shù)正在成為一種開創(chuàng)性的方法,解決傳統(tǒng)單片系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計面臨....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-05 10:03 ?614次閱讀
Chiplet或改變半導(dǎo)體設(shè)計和制造

AI時代核心存力HBM(上)

? 一、HBM 是什么? 1、HBM 是 AI 時代的必需品作為行業(yè)主流存儲產(chǎn)品的動態(tài)隨機存取存儲器....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-16 10:30 ?1572次閱讀
AI時代核心存力HBM(上)

AI時代核心存力HBM(中)

HBM 對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)(TSV)和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔:....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-16 09:59 ?1171次閱讀
AI時代核心存力HBM(中)

SPICE模型系列的半導(dǎo)體器件

半導(dǎo)體器件模型是指描述半導(dǎo)體器件的電、熱、光、磁等器件行為的數(shù)學(xué)模型。其中,SPICE(Simula....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 10-31 18:11 ?1679次閱讀
SPICE模型系列的半導(dǎo)體器件

芯片測試術(shù)語介紹及其區(qū)別

在芯片制造過程中,測試是非常重要的一環(huán),它確保了芯片的性能和質(zhì)量。芯片測試涉及到許多專業(yè)術(shù)語這其中,....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 10-25 15:13 ?1722次閱讀

電磁輻射(光)調(diào)控半導(dǎo)體導(dǎo)電性的機制與影響研究

在電磁輻射的激發(fā)下,確定載流子的平衡濃度與輻射強度之間的關(guān)系是研究的關(guān)鍵。理論和實驗都揭示,這種關(guān)系....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 04-28 17:31 ?1572次閱讀
電磁輻射(光)調(diào)控半導(dǎo)體導(dǎo)電性的機制與影響研究

半導(dǎo)體導(dǎo)電機制雜質(zhì)與點陣的影響

電子和空穴的遷移率不同,導(dǎo)致n型和p型半導(dǎo)體的電阻值存在差異。雜質(zhì)對半導(dǎo)體電導(dǎo)率的影響極大,鍺的電阻....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 04-28 11:48 ?1479次閱讀

晶圓清洗:芯片設(shè)計與生產(chǎn)中的關(guān)鍵一環(huán)

蒸汽脫脂工藝一旦建立并經(jīng)過測試,就會保持恒定,并且可以實現(xiàn)自動化以提高效率。清潔結(jié)果保持可重復(fù)且一致....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 03-21 11:24 ?1397次閱讀
晶圓清洗:芯片設(shè)計與生產(chǎn)中的關(guān)鍵一環(huán)

一文了解芯片封裝及底部填充(Underfill)技術(shù)(上)

芯片封裝作為設(shè)計和制造電子產(chǎn)品開發(fā)過程中的關(guān)鍵技術(shù)之一日益受到半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)注和重視。
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 02-22 17:24 ?5722次閱讀
一文了解芯片封裝及底部填充(Underfill)技術(shù)(上)

功率半導(dǎo)體的發(fā)展歷程和主要類型

作為半導(dǎo)體技術(shù)的一個重要分支,主要是指那些能夠處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體器件。它們在電力系統(tǒng)中扮演著....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-18 09:21 ?2307次閱讀
功率半導(dǎo)體的發(fā)展歷程和主要類型

半導(dǎo)體后端工藝:半導(dǎo)體封裝的可靠性測試及標(biāo)準(zhǔn)(下)

導(dǎo)致半導(dǎo)體產(chǎn)品失效的外部環(huán)境條件誘因有許多。因此,產(chǎn)品在被運往目的地之前,需接受特定環(huán)境條件下的可靠....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-13 11:25 ?5500次閱讀
半導(dǎo)體后端工藝:半導(dǎo)體封裝的可靠性測試及標(biāo)準(zhǔn)(下)

半導(dǎo)體封裝的可靠性測試及標(biāo)準(zhǔn)介紹

本文將介紹半導(dǎo)體的可靠性測試及標(biāo)準(zhǔn)。除了詳細(xì)介紹如何評估和制定相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)以外,還將介紹針對半導(dǎo)體封裝預(yù)....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-13 10:24 ?7061次閱讀
半導(dǎo)體封裝的可靠性測試及標(biāo)準(zhǔn)介紹

2.5D和3D封裝的差異和應(yīng)用

2.5D 和 3D 半導(dǎo)體封裝技術(shù)對于電子設(shè)備性能至關(guān)重要。這兩種解決方案都不同程度地增強了性能、減....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-07 09:42 ?3166次閱讀
2.5D和3D封裝的差異和應(yīng)用

2024年全球半導(dǎo)體產(chǎn)能將達每月3000萬片

近日國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)發(fā)布了《世界晶圓廠預(yù)測報告》,報告顯示全球半導(dǎo)體每月晶圓(WPM)....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-05 17:39 ?1906次閱讀
2024年全球半導(dǎo)體產(chǎn)能將達每月3000萬片

晶圓級封裝(WLP)的各項材料及其作用

本篇文章將探討用于晶圓級封裝(WLP)的各項材料,從光刻膠中的樹脂,到晶圓承載系統(tǒng)(WSS)中的粘合....
的頭像 閃德半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-15 17:20 ?3004次閱讀
晶圓級封裝(WLP)的各項材料及其作用