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MOS場效應(yīng)晶體管高阻抗偏置方法
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場效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點。場效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46
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MOS場效應(yīng)晶體管的特性與原理
MOS場效應(yīng)晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件，圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖，即在P型硅基片上有兩個 N+擴散區(qū)，其中一個稱源，用S表示，另一個稱漏，用D表示，在D和S間的硅片上覆蓋了較薄的8iO。絕緣層和金屬層，并引出一電極，稱柵，用G表示。應(yīng)用中 D接正，8接地，G用正電源控制。
2023-09-19 11:06:05130
130MOSFET場效應(yīng)晶體管設(shè)計基礎(chǔ)
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:24440
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功率MOS場效應(yīng)晶體管設(shè)計過程
功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19185
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場效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點。
2023-05-17 15:15:372186
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場效應(yīng)晶體管的作用
場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:04769
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場效應(yīng)晶體管工作原理
場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因為它只依靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23375
375場效應(yīng)管的分類
場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。見下圖。
2009-04-25 15:38:10
場效應(yīng)晶體管放大電路詳解
場效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應(yīng)于晶體管放大電路，場效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:001635
1635MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項_MOS場效應(yīng)管安裝及拆卸流程
MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應(yīng)注意以下規(guī)則。
2020-10-02 18:06:006720
6720場效應(yīng)晶體管的分類說明
場效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類?？煞譃橐韵?種?？煞譃榻Y(jié)型場效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場效應(yīng)晶體管。
2020-09-18 14:08:446615
6615如何進行場效應(yīng)晶體管的分類和使用
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
2020-07-02 17:19:05
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20場效應(yīng)晶體管的簡單介紹
場效應(yīng)晶體管（FET）簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2020-07-02 17:18:56103
103FET場效應(yīng)晶體管掃盲
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場
2020-03-23 11:03:187650
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兩列典型的場效應(yīng)晶體管應(yīng)用電路
電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過漏極負(fù)載電阻R2，把電壓加在了場效應(yīng)晶體管的漏極，而負(fù)極性電源通過柵極偏置電阻R1，把電壓加在了場效應(yīng)晶體管的柵極。
2019-10-13 15:33:004953
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功率場效應(yīng)晶體管的三個引腳符號
功率場效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場效應(yīng)管。在實際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0924617
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功率場效應(yīng)晶體管的工作特性
功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。
2019-10-11 10:26:319321
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場效應(yīng)晶體管六大選擇技巧
隨著電子設(shè)備升級換代的速度，大家對于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計與研發(fā)中，不僅是開關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會運用到性能更好的電子元器件——場效應(yīng)晶體管
2019-08-18 10:07:524880
488051單片機的場效應(yīng)晶體管詳細(xì)資料說明
不同的是，場效應(yīng)晶體管（FET）是一種用電壓來控制電流的器件，具有很高的輸入阻抗，且溫度穩(wěn)定性好、噪聲低。按照結(jié)構(gòu)的不同，場效應(yīng)晶體管可以分為以下兩類：
2019-06-04 17:53:003
3隧穿場效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場效應(yīng)晶體管的介紹
隧穿場效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
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有機場效應(yīng)晶體管是什么_有機場效應(yīng)晶體管介紹
本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個方面介紹了有機場效應(yīng)晶體管。
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場效應(yīng)晶體管有哪幾種分類_場效應(yīng)晶體管作用是什么
場效應(yīng)晶體管（英語：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性。
2017-12-20 17:54:5812926
12926增強型和耗盡型場效應(yīng)晶體管
總的來說，場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強型場效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:2020511
20511結(jié)型場效應(yīng)晶體管的霍耳效應(yīng)的理論分析
本文用標(biāo)準(zhǔn)的松弛方法研究了結(jié)型場效應(yīng)晶體管的霍耳效應(yīng)。利用準(zhǔn)平面拉普拉斯方程及有限差分法計算了不同的霍爾電勢分布與磁靈敏度
2011-09-15 14:53:20107
107場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路
場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路
場效應(yīng)晶體管（簡稱場效應(yīng)管）有結(jié)型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。
場效應(yīng)管作為開關(guān)器件應(yīng)用類似
2010-05-24 15:26:0611575
11575場效應(yīng)晶體管放大器
場效應(yīng)晶體管放大器
場效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點，被廣泛應(yīng)
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場效應(yīng)管,晶體管,場效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
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場效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中
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薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)
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TFT(Thin Film Transistor)LCD即薄膜場效應(yīng)晶體管LCD，是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種。
和TN技術(shù)不
2010-03-26 17:22:234737
4737結(jié)型場效應(yīng)晶體管是什么?
結(jié)型場效應(yīng)晶體管是什么?
結(jié)型場效應(yīng)晶體管 利用場效應(yīng)原理工作的晶體管，簡稱FET。場效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場的方向或大小，
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3598場效應(yīng)晶體管的分類及使用
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133場效應(yīng)管基礎(chǔ)知識
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一、場效應(yīng)管的分類
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)
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新型高耐壓功率場效應(yīng)晶體管
新型高耐壓功率場效應(yīng)晶體管
摘要：分析了常規(guī)高壓MOSFET的耐壓與導(dǎo)通電阻間的矛盾，介紹了內(nèi)建橫向電場的高壓MOSFE
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什么是場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
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6293功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理
功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理
功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小
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810低成本有機場效應(yīng)晶體管研究取得新進展
低成本有機場效應(yīng)晶體管研究取得新進展
近年來，有機場效應(yīng)晶體管由于在大面積、柔性化和低成本有源矩陣顯示、射頻標(biāo)簽等方面的潛在應(yīng)用前景而備受學(xué)術(shù)界和工業(yè)界
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工商網(wǎng)監(jiān)
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