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采用電阻內(nèi)藏晶體管使電路變得簡(jiǎn)單的模擬開(kāi)關(guān)電路圖
采用電阻內(nèi)藏晶體管使電路變得簡(jiǎn)單的模擬開(kāi)關(guān)電路圖
- 電路圖(495405)
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2023-07-24 16:54:45
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2023-07-03 10:12:18843
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MOS管開(kāi)關(guān)電路原理圖
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2023-06-20 09:14:371066
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四種晶體管開(kāi)關(guān)電路詳解
“晶體管開(kāi)關(guān)”，是使用晶體管控制電路通斷的開(kāi)關(guān)。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，也稱“模擬開(kāi)關(guān)(analog Switch)”或“邏輯開(kāi)關(guān)(Logic Switch)”。它或許是一些電子發(fā)燒友們DIY時(shí)遇到的第一個(gè)電路。本文將展示四種晶體管開(kāi)關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。
2023-06-12 09:29:00546
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晶體管開(kāi)關(guān)電路計(jì)算實(shí)例(一)
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晶體管溫控電路圖
晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時(shí)吸合電路。剛接通電源時(shí)，16μF電容上電壓為零，兩個(gè)三極管都截止，繼電器不動(dòng)作。隨著16μF電容的充電，過(guò)一段時(shí)間后，其上電壓達(dá)到高電平，兩個(gè)三極管都導(dǎo)通，繼電器延時(shí)吸合。延時(shí)時(shí)間可達(dá)60s。延時(shí)的時(shí)間長(zhǎng)短可通過(guò)10MΩ電阻來(lái)調(diào)節(jié)。
2008-11-07 20:36:15
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2023-02-15 09:12:45909
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使用BJT晶體管實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)
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2022-12-07 14:03:233274
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2022-11-28 11:00:151933
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2022-10-18 09:34:173127
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2022-06-21 16:09:304744
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2019-11-01 16:44:0112164
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晶體管和FET的使用介紹及實(shí)驗(yàn)資料《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》免費(fèi)下載
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2018-09-11 08:00:00
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2018-01-29 16:44:5269032
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2015-10-28 14:58:5020
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