氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應(yīng)用

報告主題：GaN功率晶體管：器件、技術(shù)和可靠性

報告作者：Matteo Meneghini等

參考來源：GaN POWER TRANSISTORS:DEVICES,TECHNOLOGY AND RELIABILITY報告作者：Matteo Meneghini, Carlo De Santi, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni

編輯：黃飛

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晶體管(134506) 晶體管(134506)
氮化鎵(114707) 氮化鎵(114707)

8英寸！第四代半導(dǎo)體再突破，我國氧化鎵研究取得系列進展，產(chǎn)業(yè)化再進一步

方案。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管。研究人員表示，這兩項工作為氧化鎵晶體管找到了新的技術(shù)路線和結(jié)構(gòu)方案。氧化鎵：第四代半導(dǎo)體材料的佼佼者

2023-03-15 11:09:59

氮化鎵(GaN)功率集成電路集成和應(yīng)用

氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用

2023-06-19 12:05:19

氮化鎵: 歷史與未來

，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯

2023-06-15 15:50:54

氮化鎵晶體管GaN的概述和優(yōu)勢

和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！　D-GIT的概述和優(yōu)勢　　松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT

2023-02-27 15:53:50

氮化鎵GaN 來到我們身邊竟如此的快

被譽為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快

2020-03-18 22:34:23

氮化鎵GaN技術(shù)助力電源管理革新

的選擇?！　∩罡h(huán)?！　榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于

2018-11-20 10:56:25

氮化鎵一瓦已經(jīng)不足一元，并且順豐包郵？聯(lián)想發(fā)動氮化鎵價格戰(zhàn)伊始。

度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能，被譽為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式

2022-06-14 11:11:16

氮化鎵充電器

是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化

2021-09-14 08:35:58

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊

2021-03-09 06:33:26

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好？

轉(zhuǎn)換器，將性能與兩種可比場景進行了比較：第一種是所有三種晶體管類型都在500KHz諧振頻率下工作，第二種是500KHz基于GaN的LLC與基于100KHz硅的LLC。主要晶體管是氮化鎵、硅或碳化硅。初級

2023-02-27 09:37:29

氮化鎵功率芯片如何在高頻下實現(xiàn)更高的效率？

氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。氮化鎵電源 IC 在

2023-06-15 15:35:02

氮化鎵功率芯片的優(yōu)勢

更小：GaNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常

2023-06-15 15:32:41

氮化鎵發(fā)展評估

晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢，針對 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運行可提供超過 70

2017-08-15 17:47:34

氮化鎵場效應(yīng)晶體管與硅功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤，不看肯定后悔

本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。

2021-04-13 06:01:46

氮化鎵技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)中處于什么位置？

從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。

2019-08-01 07:38:40

氮化鎵技術(shù)推動電源管理不斷革新

封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。生活更環(huán)保為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會

2019-03-14 06:45:11

氮化鎵激光器的技術(shù)難點和發(fā)展過程

　　激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一，半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優(yōu)勢，是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料

2020-11-27 16:32:53

氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動主流射頻應(yīng)用實現(xiàn)規(guī)?；⒐?yīng)安全和快速應(yīng)對能力

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si

2018-08-17 09:49:42

氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計？

GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計？

2021-06-17 10:56:45

氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎？

2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。毫無疑問，它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。 Keep Tops氮化鎵有什么好處？氮化鎵的出現(xiàn)

2023-08-21 17:06:18

CG2H80015D-GP4 氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）

` 本帖最后由射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯 Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括

2021-04-07 14:31:00

CGH40010F氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN

2020-12-03 11:51:58

CGHV40030氮化鎵高電子遷移率晶體管

Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計。該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格

2020-02-25 09:37:45

CGHV40030氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計。該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格

2020-02-24 10:48:00

CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵

2024-01-19 09:27:13

CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。氮化鎵與硅或砷化

2020-12-03 11:49:15

CMPA801B025F氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管

Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度

2020-12-03 11:46:10

ETA80G25氮化鎵合封芯片支持90-264V輸入，支持27W功率輸出

數(shù)量，實現(xiàn)了高度集成的充電器設(shè)計。鈺泰半導(dǎo)體ETA80G25采用SSOP10封裝，內(nèi)置650V耐壓，850mΩ D-mode氮化鎵開關(guān)管。內(nèi)部開關(guān)管漏極連接大面積銅箔散熱，可實現(xiàn)良好的散熱并滿足絕緣耐壓要求

2021-11-28 11:16:55

GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢

2023-06-19 09:28:46

GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性

材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。

2019-06-25 07:41:00

IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會在深圳召開

所需的功率模塊和各種控制單元模塊。與功率MOS場效應(yīng)晶體管相比，驅(qū)動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉(zhuǎn)換速率帶來的電流變化率和電壓變化率

2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場和應(yīng)用

本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費

2018-02-12 15:11:38

MACOM展示“射頻能量工具包”：將高性能、高成本效益的硅基氮化鎵射頻系統(tǒng)用于商業(yè)應(yīng)用

，可幫助系統(tǒng)設(shè)計人員簡化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結(jié)合

2017-08-03 10:11:14

MACOM：GaN在無線基站中的應(yīng)用

用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線

2017-08-30 10:51:37

MACOM：硅基氮化鎵器件成本優(yōu)勢

`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年

2017-09-04 15:02:41

MACOM：適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵（GaN）

（GaN）那么，問題來了，怎么解決高昂的價格？首先，先了解下什么是硅基氮化鎵，與硅器件相比，由于氮化鎵的晶體具備更強的化學(xué)鍵，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的電場而不會崩潰。這意味我們可以把晶體管

2017-07-18 16:38:20

Micsig光隔離探頭實測案例——氮化鎵GaN半橋上管測試

測試背景地點：國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP

2023-01-12 09:54:23

QPD1004氮化鎵晶體管

QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配

2018-07-30 15:25:55

QPD1018氮化鎵晶體管

QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC

2018-07-27 09:06:34

QPD1018氮化鎵晶體管

`QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC

2019-07-17 13:58:50

SGN2729-250H-R氮化鎵晶體管

）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管

2021-03-30 11:14:59

SGN2729-600H-R氮化鎵晶體管

）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管

2021-03-30 11:24:16

TGF2040砷化鎵晶體管

功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應(yīng)用。帶有氮化硅的保護層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護級別。產(chǎn)品型號：TGF2040產(chǎn)品名稱：砷化鎵晶體管

2018-07-18 12:00:19

TGF2977-SM氮化鎵晶體管

TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報價TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2977-SM是5

2018-07-25 10:06:15

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化鎵發(fā)展技術(shù)

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個

2021-07-06 09:38:20

【技術(shù)干貨】氮化鎵IC如何改變電動汽車市場

增加了半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品的數(shù)量以及所需的電池功率。理論上，這意味著更多的重量和更高的成本。一般而言，隨著總線電壓的增加，硅晶體管開關(guān)的成本會更高，這與汽車電氣化的要求是相反的。此外，一些新的車載系統(tǒng)的性能

2018-07-19 16:30:38

為什么氮化鎵(GaN)很重要？

的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40

2023-06-15 15:47:44

為什么氮化鎵比硅更好？

度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V

2023-06-15 15:53:16

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢？

民幣5220元）以下的晶圓才適用于功率半導(dǎo)體的量產(chǎn)。成功獲得適用于量產(chǎn)功率半導(dǎo)體的、高質(zhì)量、大尺寸氮化鎵晶圓氮化鎵晶片存在以上問題的根源是其晶體生長方式。目前批量生產(chǎn)的 Bulk氮化鎵晶片采用以下方式制造，利用

2023-02-23 15:46:22

什么是氮化鎵功率芯片？

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計的催化劑氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。納微半導(dǎo)體利用橫向650V

2023-06-15 14:17:56

什么是氮化鎵功率芯片？

通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out

2023-06-15 16:03:16

什么是氮化鎵技術(shù)

兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級

2020-10-27 09:28:22

什么是氮化鎵（GaN）？

氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜

2019-07-31 06:53:03

什么是氮化鎵（GaN）？

鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。

2023-06-15 15:41:16

什么是GaN透明晶體管？

地，氮化鎵晶體管以鎳和金的薄膜組配作為柵極金屬，并采用肖特基接觸或金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)。為確保透明，我們可以調(diào)整這種設(shè)計，將這些不透明金屬改變?yōu)橥该鲗?dǎo)電材料如氧化銦錫，它廣泛應(yīng)用于透明

2020-11-27 16:30:52

什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展

半導(dǎo)體工藝兼容性強，這使其更容易與其他半導(dǎo)體器件集成。比如有廠商已經(jīng)實現(xiàn)了驅(qū)動IC和GaN開關(guān)管的集成，進一步降低用戶的使用門檻。[color=rgb(51, 51, 51) !important]正是

2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅

2021-09-23 15:02:11

供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268

概述：NV6127是一款升級產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號2：AON6268絲印：6268屬性：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類型：N 通道

2021-01-13 17:46:43

光隔離探頭應(yīng)用場景之—— 助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問題

客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵

2023-02-01 14:52:03

類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。

2012-12-04 19:52:12

如何學(xué)習(xí)氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通?

的測試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計工程師厘清設(shè)計過程中的諸多細(xì)節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計從入門到

2020-11-18 06:30:50

如何完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源？

如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。

2021-06-17 06:06:23

如何實現(xiàn)氮化鎵的可靠運行

我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能

2022-11-16 06:43:23

如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器

如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵

2021-09-14 06:06:21

如何用集成驅(qū)動器優(yōu)化氮化鎵性能

導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)

2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？

2021-06-15 06:30:55

實現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機驅(qū)動器的氮化鎵器件

的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而

2023-06-25 13:58:54

將低壓氮化鎵應(yīng)用在了手機內(nèi)部電路

帶半導(dǎo)體，相比常規(guī)的硅材料，開關(guān)速度更快，具有更高的耐壓。在降低電阻的同時，還能提供更高的過電壓保護能力，防止過壓造成的損壞。OPPO使用一顆氮化鎵開關(guān)管取代兩顆串聯(lián)的硅MOS，氮化鎵低阻抗優(yōu)勢可以

2023-02-21 16:13:41

微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化鎵

這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過程相結(jié)合，以更低的成本進行廣泛使用，從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從

2018-01-18 10:56:28

想要實現(xiàn)高效氮化鎵設(shè)計有哪些步驟？

　　第 1 步 – 柵極驅(qū)動選擇　　驅(qū)動GaN增強模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）的柵極與驅(qū)動硅（Si）MOSFET的柵極有相似之處，但有一些有益的差異?！　◎?qū)動氮化鎵E-HEMT不會消除任何

2023-02-21 16:30:09

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)介紹

。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。通過導(dǎo)通電阻選擇器件內(nèi)部氮化鎵場效應(yīng)晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或?qū)娮琛?/div>

2022-11-10 06:36:09

有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見錯誤觀念

功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動電路和電路保護集成為單個器件

2023-06-25 14:17:47

求助，請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？

請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？

2024-01-11 07:23:47

用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 基晶體管

)。WBG 板載電動汽車充電器示意圖此外，這兩種寬帶隙化合物半導(dǎo)體(如氮化鎵和碳化硅)的所用材料晶體管據(jù)說具有很高的擊穿電壓，可以在高溫下工作?？紤]到這一點，本文打算研究 GaN 和 SiC 晶體管之間

2022-06-15 11:43:25

硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優(yōu)勢？

2019-09-02 07:16:34

硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底

2014-01-24 16:08:55

納微集成氮化鎵電源解決方案和應(yīng)用

納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用

2023-06-19 11:10:07

請問氮化鎵GaN是什么？

氮化鎵GaN是什么？

2021-06-16 08:03:56

請問candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎？

candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？

2019-11-29 16:04:02

誰發(fā)明了氮化鎵功率芯片？

雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人

2023-06-15 15:28:08

迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化鎵器件

，因此我們能夠借用各種各樣的既有商業(yè)光刻和加工技術(shù)。借助這些方法，精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產(chǎn)生各種各樣的器件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得相對簡單。其他寬帶隙的半導(dǎo)體材料不具備這種難以置信的有用特性，甚至氮化鎵也不

2023-02-27 15:46:36

高壓氮化鎵的未來分析

就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳

2022-11-16 07:42:26

高壓氮化鎵的未來是怎么樣的

會產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說，當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時，其原因在于流經(jīng)電路開關(guān)內(nèi)的電子會產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料，它的發(fā)熱量更低，所以

2018-08-30 15:05:50