8050晶體管是一種小型設(shè)備,用于引導(dǎo)便攜式無(wú)線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會(huì)給晶體管起數(shù)字名稱,以便更容易識(shí)別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?!?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
的B和C對(duì)稱、和E極同樣是N型。也就是說(shuō),逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低(正向約10%以下)耐壓低 (7 to 8V 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí),當(dāng)需要非常大的電流時(shí),可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象,有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性:就三極管,mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊,請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)!??!
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響是什么?
2021-04-23 06:25:38
的種類電壓電流雙極晶體管集電極發(fā)射極間電壓 : VCE集電極電流 : IC數(shù)字晶體管輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流
2019-04-15 06:20:06
什么是電阻測(cè)量法?晶體管共發(fā)射極電路特點(diǎn)有哪些?
2021-09-27 08:33:35
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?! “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告摘 要晶體管的參數(shù)是用來(lái)表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo),是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作,必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),該系
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過(guò)的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個(gè)開關(guān)的電流方向只能是單向的,pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一,共分上下二冊(cè)。本書作為下冊(cè)主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀,可以獲得晶體管的實(shí)際特性,能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
放大狀態(tài),但是我們此處考慮的是晶體管應(yīng)用于數(shù)字電路,只要求它作為開關(guān)電路,即能夠?qū)ê徒刂咕涂梢粤?。如上圖所示,當(dāng)b處電壓》e處電壓時(shí),晶體管中c極和e極截止。當(dāng)b處電壓《e處電壓時(shí),晶體管中c極和e極
2021-01-13 16:23:43
1.反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí),將萬(wàn)用表置于R×1k檔, NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸?
2021-05-26 06:57:13
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)?有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外,不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片,型號(hào)有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達(dá)林頓晶體管,高頻小信號(hào)晶體管,開關(guān)二極管,肖特基二極管,穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
我有臺(tái)晶體管測(cè)試儀:WQ4832,但是剛買的二手機(jī),不會(huì)用,不知道有沒有高手能指導(dǎo)指導(dǎo)?
2011-10-21 08:57:17
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些?晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
小日本寫的晶體管電路設(shè)計(jì)(上下冊(cè))兩本書非常不錯(cuò),我已經(jīng)全部看完了才來(lái)發(fā)帖的,非常不錯(cuò),語(yǔ)言非常樸實(shí)。
2012-09-02 23:32:49
晶體管電路設(shè)計(jì)
2012-10-25 10:14:21
從事電子設(shè)計(jì)7年了,發(fā)覺這兩本書挺好的,發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)(上)放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)(下)FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍!`
2016-11-08 14:12:33
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù),表示晶體管對(duì)交流(變化)信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比,即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下,最大集電極功率 (PC(max)) 不超過(guò)1W的晶體管。相對(duì)功率晶體管而得名,一般以樹脂封裝居多,這是其特點(diǎn)之一。功率晶體管一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。相比
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”(之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管,例如SiC)。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”,但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”,不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
計(jì)算機(jī)等使用的數(shù)字信號(hào)中,晶體管起著切換0和1的開關(guān)作用。IC及LSI歸根結(jié)底是晶體管的集合,其作用的基礎(chǔ)便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來(lái)基板上的電阻和晶體管分別安裝,數(shù)字晶體管
2019-07-23 00:07:18
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
計(jì)算機(jī)等使用的數(shù)字信號(hào)中,晶體管起著切換0和1的開關(guān)作用。IC及LSI歸根結(jié)底是晶體管的集合,其作用的基礎(chǔ)便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來(lái)基板上的電阻和晶體管分別安裝,數(shù)字晶體管
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋?
2017-03-12 20:30:29
1.晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成,其三個(gè)電極分別為集電極(用字母C或c表示),基極(用字母B或b表示)和發(fā)射極(用字母E或e表示)。如圖5-4所示,晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)(C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多,不同的電子設(shè)備與不同的電子電路,對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來(lái)選擇不同用途,不同類型的晶體管。 1.一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理(例如
2012-01-28 11:27:38
分為硅管和鍺管兩類。 晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于基區(qū)摻雜濃度,并且基區(qū)很薄,集電結(jié)的面積比發(fā)射結(jié)面積大。這是晶體管具有放大能力的內(nèi)部條件。 2. 電流分配與放大作用 體管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
的B和C對(duì)稱、和E極同樣是N型。也就是說(shuō),逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低(正向約10%以下)耐壓低 (7 to 8V 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
電壓(與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng))和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性,但仍比不上功率MOSFET,這是IGBT的弱點(diǎn)?!竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓(與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng))和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性,但仍比不上功率MOSFET,這是IGBT的弱點(diǎn)?!竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那,當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前,我們先來(lái)了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳,它將是集電極(c),基極(b)和發(fā)射極(e)。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管(BJT)。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中,兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn),使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
;產(chǎn)品種類: 數(shù)字晶體管 &
2010-08-17 09:24:08
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替,MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替?或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
。作者簡(jiǎn)介 :鈴木雅臣,任職于Accuphase公司,主要從事數(shù)字視聽設(shè)備設(shè)計(jì)工作。生于日本東京。著有《新·低頻/高頻電路設(shè)計(jì)入門》、《晶體管電路設(shè)計(jì)》等。目錄:第一章 概述學(xué)習(xí)晶體管電路或FET電路
2017-07-25 15:29:55
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的大多數(shù)載流子傳輸。與雙極晶體管相比,場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、限頻高、功耗低、制造工藝簡(jiǎn)單、溫度特性好等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種放大器、數(shù)字電路和微波電路等?;诠璧慕饘費(fèi)OSFET和基于GaAs
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管,連接在一起,從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果,輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
本文探討了鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們?cè)诟鞣N應(yīng)用中的用途,以及它們相對(duì)于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)。 什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管? 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管,它是一個(gè)放大器和一個(gè)
2023-02-24 15:25:29
、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。作者:鈴木雅臣,任職于Accuphase公司,主要從事數(shù)字視聽設(shè)備設(shè)計(jì)工作。生于日本東京。著有《新·低頻/高頻電路設(shè)計(jì)入門》、《晶體管電路設(shè)計(jì)》等。下載鏈接:[hide][/hide]`
2017-06-22 18:05:03
PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
ULN2003是什么?ULN2003的主要特點(diǎn)是什么?ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路有哪些應(yīng)用?怎樣去設(shè)計(jì)一種ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路?
2021-08-11 09:17:12
VT稱為增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓。 單極型晶體管特點(diǎn) 輸入電阻高,可達(dá)107~1015Ω,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(IGFET)可高達(dá)1015Ω?! ≡肼暤?,熱穩(wěn)定性好,工藝簡(jiǎn)單,易集成,器件特性便于
2020-06-24 16:00:16
請(qǐng)教:?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置,有人說(shuō)是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
單結(jié)晶體管觸發(fā)電路具有哪些特點(diǎn)?自動(dòng)控制系統(tǒng)中基本環(huán)節(jié)的有哪些?多諧振蕩器是一種常用的產(chǎn)生什么的電路?
2021-09-18 08:36:29
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下,基極-發(fā)射極結(jié)(稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”)處于正向偏置狀態(tài),而基極-集電極(稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”)則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析?按照我的理解,在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí),如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
電流,進(jìn)而改變流過(guò)給定晶體管的集電極電流?! ∪绻覀冞_(dá)到集電極電流的最大流量,則晶體管已飽和。將晶體管導(dǎo)通所需的輸入電壓和電流量由基極電阻決定 圖5. 數(shù)字邏輯晶體管開關(guān) 在R上方的電路
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)?如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性?如何去檢測(cè)晶體管的性能?怎樣去檢測(cè)特殊晶體管?
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn):如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
、電壓用示波器確認(rèn)晶體管上的電壓、電流。需要全部滿足規(guī)格書上記載的額定值,特別應(yīng)該確認(rèn)下列項(xiàng)目。特別應(yīng)該確認(rèn)的項(xiàng)目晶體管的種類電壓電流雙極晶體管集電極發(fā)射極間電壓 : VCE集電極電流 : IC數(shù)字晶體管
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)?,F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些?
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號(hào)?常見的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種?
2021-10-29 07:04:27
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過(guò)什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
扒開晶體管的外衣
2012-08-20 14:08:55
等效的提高開關(guān)速度的方法,較小R1值也會(huì)加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開關(guān)速度的另外一種方法,我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢?哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦!
2023-03-31 11:47:46
集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下,最大集電極功率 (PC(max)) 不超過(guò)1W的晶體管。相對(duì)功率晶體管而得名,一般以樹脂封裝居多,這是其特點(diǎn)之一。功率晶體管一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。相比
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì),高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
。在數(shù)字設(shè)備中,肯定會(huì)使用大規(guī)模集成電路,所以不會(huì)采用電子管?! ⊥ㄟ^(guò)以上的內(nèi)容可以看到,電子管與晶體管在結(jié)構(gòu)與工作方式上都存在著較大的區(qū)別,這就導(dǎo)致了兩者在應(yīng)用范圍上的不同,顯然適應(yīng)性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統(tǒng)電子管是必然的發(fā)展方向,但在某些特定的設(shè)計(jì)或者場(chǎng)合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
2000一5000(α=0.995-0.9998)。 是以P型襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
。因而同時(shí)具備了MOS管、GTR的優(yōu)點(diǎn)。二.絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的特點(diǎn):這種器件的特點(diǎn)是集MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)于一身。輸入阻抗高,速度快,熱穩(wěn)定性好。通態(tài)電壓低,耐壓高,電流大。它
2009-05-12 20:44:23
繼電器和晶體管輸出具有哪些特點(diǎn)?使用注意事項(xiàng)有哪些?繼電器與晶體管輸出有哪些差別?
2021-10-12 06:28:48
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn):如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請(qǐng)問(wèn)各大大有無(wú) Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù) ,(例如日本型號(hào) 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
上面這段怎么理解啊,這個(gè)是鈴木的晶體管電路上面的,
2019-04-04 02:43:43
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
評(píng)論