功率半導體作為一種重要的元器件，在強電與弱點之間的轉換控制中起著十分重要的作用，自誕生以來一直備受工程師的喜愛和關注。經過了很長一段時間的發(fā)展，功率半導體在相關電源電路中的應用已經不可替代。尤其是在當前太陽能著力發(fā)展的時代，功率半導體更是大踏步向前，雖然目前有著氮化鎵與碳化硅等更好的材料，但由于價格以及相關因素的緣故，功率半導體器件在相當長一段時期內會起著重要的作用，下面我們就功率半導體的技術以及未來的技術發(fā)展趨勢進行分析，希望能給大家提供必要的幫助。

　　一、功率半導體的重要性

　　功率半導體器件是進行電能（功率）處理的半導體產品，是弱電控制與強電運行間的橋梁。

　　在可預見的將來，電能將一直是人類消耗的最大能源。從手機、電視、洗衣機、到高速列車，均離不開電能。無論是水電、核電、火電還是風電，甚至各種電池提供的化學電能，大部分均無法直接使用，75%以上的電能應用需由功率半導體器件進行功率變換以后才能供設備使用。

　　每個電子產品均離不開功率半導體技術。功率半導體的目的是使電能更高效、更節(jié)能、更環(huán)保并給使用者提供更多方便。如通過變頻來調速，使變頻空調在節(jié)能50-70%的同時，更環(huán)保、更安靜、讓人更舒適。人們希望便攜式電子產品一次充電后有更長的使用時間，在電池沒有革命性進步以前，需要更高性能的功率半導體器件進行高效的電源管理。正是由于功率半導體能將“粗電”變?yōu)椤熬姟保虼怂枪?jié)能減排的基礎技術和核心技術。

　　隨著綠色環(huán)保在國際間的確立與推進，功率半導體的應用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C產業(yè)（計算機、通信、消費類電子產品和汽車），擴展到新能源（風電、太陽能）、軌道交通、智能電網等新領域。據國際市場調研機構HISISuppliResearch報告，2011年全球功率半導體市場在2010年大增37.8%以后，繼續(xù)增長6.7%，達到331億美元。中國是全球功率半導體的最大市場，占據了超過全球50%以上的份額。

　　與微處理器、存儲器等數字集成半導體相比，功率半導體的產品壽命周期相對較長，可為幾年甚至十幾年；同時功率半導體不追求特征尺寸的快速縮小，不要求最先進的生產工藝，其生產線成本遠低于Moore定律制約下的超大規(guī)模集成電路。因此，功率半導體非常適合我國的產業(yè)現狀以及我國能源緊張和構建和諧社會的國情。

　　二、功率半導體的定義與分類

　　功率半導體（PowerSemiconductor，PowerManagementSemiconductor）器件可定義為進行功率處理的半導體器件。典型的功率處理功能包括變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理等。

　　功率半導體器件包括功率二極管、功率開關器件與功率集成電路，前兩者也稱為功率（分立）器件。國內常常將功率（分立）器件稱為電力電子器件，這是因為早期的功率半導體器件如大功率二極管、晶閘管等主要應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)領域。

　　圖1給出了功率半導體器件的分類。功率半導體器件包括功率（分立）器件（PowerDiscreteDevices）和功率集成電路。功率（分立）器件由功率二極管（PowerRectifiers和PowerDiodes）、功率晶體管（PowerTransistors）和晶閘管類器件（Thyristors）組成，其中常見的功率晶體管包括以VDMOS（VerticalDouble-DiffusionMOSFET）為代表的功率MOS器件（PowerMOSFETs）、絕緣柵雙極晶體管IGBT（InsulatedGateBipolarTransistors）和功率雙極晶體管（PowerBipolarTransistors或PowerBJT：PowerBipolarJunctionTransistors）。功率晶體管和晶閘管又可統(tǒng)稱為功率開關器件（PowerSwitches）。

　　功率集成電路（PIC：PowerIC）在國際上又常被稱為智能功率集成電路（SPIC：SmartPowerIC，國內又有人稱之為靈巧功率集成電路）或高壓集成電路（HVIC：HighVoltageIC），在本文中，我們將電源管理集成電路（PowerManagementIC）也納入PIC的范疇。

　　二十世紀八十年代之前的功率半導體器件主要是功率二極管、可控硅整流器（SCR）和功率BJT。除功率BJT中部分功率不大的晶體管可工作至微波波段外，其余的功率半導體器件都是低頻器件，一般工作在幾十至幾百赫茲，少數可達幾千赫茲。然而功率電路在更高頻率下工作時將凸顯許多優(yōu)點，如高效、節(jié)能、減小設備體積與重量、節(jié)約原材料等。因此在二十世紀八十年代發(fā)生了“20kHz革命”，即功率半導體電路中的工作頻率提高到20kHz以上。這時傳統(tǒng)的功率半導體器件如SCR和GTR（巨型晶體管或稱為電力晶體管）等因速度慢、功耗大而不再適用，以功率MOS和IGBT為代表的新一代功率半導體器件因此應運而生。新一代功率半導體器件除具有高頻（相對于傳統(tǒng)功率器件而言）工作的特點外還都是電壓控制器件，因而使驅動電路簡單，逐漸成為功率半導體器件的主流和發(fā)展方向，在國際上被稱為現代功率半導體器件（ModernPowerSemiconductorDevices）。

　　現代功率半導體器件的制造技術與超大規(guī)模集成電路一樣都是以微細加工和MOS工藝為基礎，因而為功率半導體的集成化、智能化和單片系統(tǒng)化提供了可能，進而促進了將功率半導體器件與過壓、過流、過溫等傳感與保護電路及其驅動和控制電路等集成于同一芯片的單片功率集成電路的迅速發(fā)展。

　　目前市場主流的功率半導體器件是硅基器件，包括部分SOI（SOI：SilicononInsulator）基高壓集成電路，隨著以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的寬禁帶半導體材料制備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和硅基GaN電力電子器件逐漸成為功率半導體器件的重要發(fā)展領域。

　　三、功率半導體技術與產業(yè)發(fā)展狀況

　?。ㄒ唬┕β识O管

　　功率二極管是功率半導體器件的重要分支，占據9%的功率半導體市場份額（2011年數據）。

　　目前商業(yè)化的功率二極管以PiN功率二極管和肖特基勢壘功率二極管（SBD）為主。前者有著耐高壓、大電流、低泄漏電流和低導通損耗的優(yōu)點，但電導調制效應在漂移區(qū)中產生的大量少數載流子降低了關斷速度，限制了電力電子系統(tǒng)向高頻化方向發(fā)展。具有多數載流子特性的SBD有著極高的開關頻率，但其串聯的漂移區(qū)電阻有著與器件耐壓成2.5次方的矛盾關系，阻礙了SBD的高壓大電流應用，加之SBD極差的高溫特性、大的泄漏電流和軟擊穿特性，使得硅SBD通常只工作在250伏以下的電壓范圍內。

　　為了獲取高壓、高頻、低損耗功率二極管，研究人員正在兩個方向進行探索。一是沿用成熟的硅基器件（超大規(guī)模集成電路）工藝，通過新理論、新結構來改善高壓二極管中導通損耗與開關頻率間的矛盾關系，二是采用新材料研制功率二極管。

　　在硅基功率二極管方面，結合PN結低導通損耗、優(yōu)良阻斷特性和SBD高頻特性兩者優(yōu)點于一體的新器件正逐漸走向成熟并進入市場，如美國Vishay公司推出的45V-200V的TMBS系列產品，美國PowerIntegrations公司推出的Qspeed系列二極管產品等。

　　此外，為開發(fā)具有良好高頻特性和優(yōu)良導通特性的高壓快恢復二極管，通過控制正向導通時漂移區(qū)少數載流子濃度與分布的新結構器件也不斷出現并成功應用于高性能IGBT模塊中，如英飛凌公司的EmCon二級管、ABB公司的SPT＋二極管和日本富士電機的SASFWD等。***Diode公司充分利用MOS控制二極管理論和VLSI工藝研制的超勢壘二極管（SuperBarrierRectifier）已經在市場上多處替代SBD。

　　隨著半導體工藝技術的發(fā)展，微處理器、通訊用二次電源等都需要低電壓大電流功率變換器。隨著功率變換器輸出電壓的降低，整流損耗成為變換器的主要損耗。為使變換器效率達到90%以上，一種利用功率MOS器件低導通電阻特點的同步整流器（SR：SynchronousRectifier）及同步整流技術應運而生，低導通損耗功率MOS器件的迅速發(fā)展為高性能同步整流器奠定了強大的發(fā)展基礎。

　　砷化鎵（GaAs）SBD雖然已獲應用，但GaAs材料1.42eV的禁帶寬度和僅1.5倍于硅材料的臨界擊穿電場，使得GaAsSBD只能工作在600伏以下的電壓范圍內，遠遠不能滿足現代電力電子技術的發(fā)展需要。SiC材料以其3倍硅的禁帶寬度、10倍硅的臨界擊穿電場、2倍硅的飽和漂移速度和3倍硅的熱導率等優(yōu)良特性而得到迅速發(fā)展。SiCSBD是第一個商業(yè)化的SiC電力電子器件，目前Cree、Rohm、Infineon等十余家廠商已經將SiCSBD產品添加在其產品系列中。Cree公司已量產600-1700V/1-50A的系列SiCSBD產品，2010年所銷售的SiCSBD超過了700億伏安（VA）。

　　SiC基PiN二極管比Si基PiN二極管具有更高的阻斷電壓（》10kV）和更高的開關速度（》10倍）。2012年，日本京都大學報道了耐壓21.7kV的SiCPiN二極管，Cree公司于2006年報道了在1.5cm？1.5cm的4H-SiC芯片上，單管輸出電流達180A的4.5kVPiN二極管。在3英寸N型4H-SiC晶圓上，Cree公司制作的10kV/20APiN二極管合格率已經達到40%。

　　國內近幾年在功率二極管領域發(fā)展迅速，芯片加工線已從3-4英寸向5-6英寸，甚至8英寸發(fā)展，并有江蘇宏微、深圳芯微等設計公司涉足，在快恢復二極管（FRD）方面，國產器件已占據國內80%以上市場份額。

　?。ǘ┕β示w管

　　1.功率BJT

　　功率BJT是第一個商業(yè)化的功率晶體管，雖然存在二次擊穿、安全工作區(qū)受各項參數影響而變化大、熱容量小、過流能力低等缺點，學術界也一直有功率BJT將被功率MOS和IGBT所取代的觀點，但由于其成熟的加工工藝、極高的成品率和低廉的成本，使功率BJT仍然在功率開關器件里占有一席之地（2010年占整個功率半導體市場5%份額）。

　　與Si基BJT相比，SiC基BJT具有低20～50倍的開關損耗以及更低的導通壓降，且SiCBJT由于二次擊穿的臨界電流密度是Si的大約100倍而免于傳統(tǒng)的二次擊穿困擾，雖然與場控器件相比較，BJT的驅動電路較為復雜，但和SiCJFET和VDMOS器件相比，其制作工藝簡單。美國GeneSiC公司已推出1200V/10A的SiC功率BJT產品，并正開發(fā)1200V-10kV的系列SiC功率BJT。

　　國內有眾多廠商在生產硅基功率BJT，如深圳深愛、華潤華晶、吉林華微等，廣泛應用于綠色照明、充電器等領域，在國際功率BJT領域占據較大份額。

　　2.功率MOSFET

　　功率MOSFET應用領域廣闊，是中小功率領域內主流的功率半導體開關器件，是DC-DC轉換的核心電子器件，占據著功率半導體市場單類產品的最大份額（2010年市場銷售65億美元，占整個功率半導體市場份額21%）。

　　功率MOSFET起源于1970年代推出的垂直V型槽MOSFET（VerticalV-grooveMOSFET：VVMOS），在VVMOS基礎上發(fā)展起來的以VDMOS為代表的多子導電的功率MOSFET顯著地減小了開關時間，同時利用了硅片自身的特性實現了縱向耐壓，沖破了電力電子系統(tǒng)中20kHz這一長期被認為不可逾越的障礙。

　　功率MOSFET是一種功率場效應器件，通常由多個MOSFET元胞（Cell）組成。目前功率MOSFET主要包括中高壓領域傳統(tǒng)結構平面柵功率MOS器件（VDMOS），中低壓領域高密度槽柵功率MOS，和近幾年發(fā)展迅速的超結（SJ：SuperJunction或Multi-RESURF或3DRESURF，電子科技大學陳星弼院士的專利中稱其為復合緩沖層：CompositeBufferLayer）功率MOS。

　　功率MOS是低壓

　　此外，在低壓功率MOS器件領域，美國TI公司結合RFLDMOS結構的低柵電荷、電荷平衡機理的低導通電阻以及引入N＋Sinker所具有的雙面冷卻所研發(fā)的NextFETTM獲得了好的市場效果。

　　為開發(fā)高壓低功耗功率MOS，德國Infineon公司在1998年推出了基于超結的CoolMOS。由于采用新的耐壓層結構，CoolMOS在保持功率MOS優(yōu)點的同時，有著極低的導通損耗。目前國際上已有包括Infineon、IR、Toshiba、Fairchild和我國華虹NEC等多家公司采用該結構生產600V-900V低功耗功率MOS。

　　除硅基功率MOS外，新材料也不斷應用于功率MOS的發(fā)展中，多種基于GaAs、SiC和GaN材料的功率MOS已研制成功。美國DARPA高功率電子器件應用計劃－HPE的目標之一就是研制10kV的SiCMOSFET。2011年1月，繼日本Rohm公司首次在市場上推出SiC功率MOS以后，美國Cree公司也推出了1200V的SiCMOSFET產品。內置SiC-SBD與SiC-MOSFET的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）也首次由日本Rohm公司量產。

　　國內從1980年代即開始功率MOS研發(fā)，但直到2003年才由紹興華越開始VDMOS量產，和由華虹NEC為境外客戶代工槽柵功率MOS。近年來，國內功率MOS產業(yè)取得了飛速發(fā)展，已開始逐漸取代國外產品，江蘇東光、深圳深愛、吉林華微、華潤華晶、華潤上華、杭州士蘭微（600460，股吧）、重慶渝德、華虹NEC、上海宏力等一大批4－8英寸生產線均在批量生產功率MOS芯片，也產生了南方芯源、無錫新潔能、成都方舟等一批以功率MOS為主營業(yè)務的專業(yè)設計公司。但國內功率MOS的主流產品還是以平面柵功率MOS（VDMOS）為主，在專利保護眾多、市場競爭激烈、市場份額最大的低壓槽柵功率MOS領域，國內雖有涉足，但多以代工為主，缺乏具有自主知識產權和市場競爭力的高端產品。

　　國內針對SJ結構的設計和國際同步，電子科技大學等單位對SJ結構進行了大量而卓有成效的研究。SJ結構國際學術界認同的原始專利來源之一是我國的陳星弼院士，但是受限于工藝條件，國內在SJ結構的制備技術和器件開發(fā)上長期未獲進展。2009年底，上海華虹NEC和電子科技大學合作，采用深槽刻蝕和外延填充技術成功實現了SJ功率MOSFET，擊穿電壓達到750V，部分動態(tài)參數優(yōu)于國外同類產品。該成果打破了國內在SJ結構的制備和SJ器件的實用化研究方面的空白，同時也成為國際上首家8英寸SJ功率MOSFET代工平臺。目前上海華虹NEC的SJ功率MOSFET平臺已基本成熟，已有國內外十余家企業(yè)在其平臺上逐步量產產品。

　　3.IGBT

　　IGBT自1980年代發(fā)明后很快走入市場并取得巨大成功。IGBT電壓應用領域從370V到6500V，是中高功率應用的主流開關器件。2010年全球IGBT市場銷售額較2009年增長56%，達到32億美元，占整個功率半導體市場份額10%。

　　隨著研發(fā)人員對IGBT器件物理的深入理解和微電子工藝的進步，IGBT正向導通時漂移區(qū)非平衡載流子濃度分布控制以及關斷時快速抽取的所謂“集電極工程”、表面電子濃度增強的“柵工程”、IGBT芯片內含續(xù)流二極管功能的逆導型IGBT，以及短路安全工作區(qū)和壓接式封裝等方面不斷取得進展，各大公司不時宣布自己研制生產的IGBT進入了第X代?？傮w而言，可以把IGBT的演變歸納為以下六代。

　　第一代—CZ（Czochralski，直拉）晶片（異質外延片）平面柵PT型（PunchThough，穿通）型，采用異質雙外延在DMOS工藝基礎上制得；

　　第二代—CZ晶片（異質外延片）精細結構平面柵PT型；

　　第三代—CZ晶片（異質外延片）槽柵（TrenchGate）PT型；

　　第四代—FZ（Float-Zone，區(qū)熔）晶片平面柵NPT（NonPunchThough，非穿通）型；

　　第五代—FZ晶片槽柵電場截止（FieldStop：FS或弱穿通LightPunch-Through：LPT）型，包含CSTBC（CarrierStoredTrenchgateBipolarTransistor）結構，同時也包括逆導（ReverseConducting：RC）、逆阻（ReverseBlocking：RB）型結構IGBT。

　　第六代—第五代基礎上有更薄的硅片，更精細的元胞結構。

　　未來IGBT將繼續(xù)向精細圖形、槽柵結構、載流子注入增強和薄片加工工藝發(fā)展，其中薄片加工工藝極具挑戰(zhàn)（Infineon公司2011年已經展示其8英寸、40m厚的IGBT芯片）。同時，電網等應用的壓接式IGBT、更多的集成也是IGBT的發(fā)展方向，如從中低功率向高功率發(fā)展的RC-IGBT。

　　除硅基IGBT外，SiC材料已被用于IGBT的研制，2007年，Purdu大學研制了阻斷電壓高達20kV的SiCP-IGBT，同年Cree公司也報道了12kV的SiCN-IGBT，美國DARPA高功率電子器件應用計劃－HPE的目標之一就是研制10-20kV的SiCIGBT。隨著SiC材料生長技術的進一步完善，SiCIGBT將走向實用。

　　國內在“八五”科技攻關中即安排了IGBT研發(fā)，但長期以來只有樣品沒有產品，只有IGBT模塊生產，沒有IGBT芯片國產化。近兩年，我國IGBT產業(yè)在國家政策及重大項目的推動及市場牽引下得到了迅速發(fā)展，呈現出大尺寸FZ單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術全面蓬勃發(fā)展的大好局面。天津中環(huán)半導體股份有限公司研制的6英寸FZ單晶材料已批量應用，在國家“02”科技重大專項的推動下，8英寸FZ單晶材料已取得重大突破；電磁灶用1200VNPT型IGBT已由多家企業(yè)（江蘇東光、華潤華晶、山東科達等）批量供貨，這標志著我國國產IGBT芯片打破了國外一統(tǒng)天下的局面；華潤上華和華虹NEC基于6英寸和8英寸的平面型和溝槽型600V、1200V、1700V、2500V和3300VIGBT芯片已研制成功，正進行可靠性考核或部分進入量產；4500V和6500VIGBT芯片研制也在積極推進中；杭州士蘭微基于全部自身芯片（IGBT、FRD、高壓DriverIC）的IPM模塊已研發(fā)成功正進入用戶考核；封裝技術取得重大進展。株洲南車時代電氣股份有限公司的IGBT功率模塊已在國內地鐵及機車上裝車運行，產品性能等同于國外產品。株洲南車在建立海外功率半導體研發(fā)中心的同時，正在湖南建設大功率IGBT產業(yè)化基地，在擴展IGBT模塊封裝線的基礎上，建設8英寸IGBT芯片生產線。中國北車集團屬下的西安永電電氣有限責任公司在國家“02”科技重大專項“高壓大功率IGBT模塊封裝技術開發(fā)及產業(yè)化”項目中研制的6500V/600AIGBT功率模塊已成功下線，使企業(yè)成為世界第四個、國內第一個能夠封裝6500V以上電壓等級IGBT的廠家。此外，江蘇宏微的IGBT模塊已成功進入電焊機市場，浙江嘉興斯達的IGBT模塊正積極向國外市場推廣。雖然國內IGBT行業(yè)近年來取得了重大進展，但我們必須清醒地看到，國內IGBT行業(yè)與國外相比還存在巨大差距，主要是芯片生產技術上，在量大面廣的400V-600V薄片FS（場阻）結構IGBT芯片生產、高可靠高性能IGBT芯片技術、壓接式IGBT功率模塊生產技術等領域我們與國際先進水平還有較大差距。

　　4.SiCJFET、SiCSIT及硅基GaN開關器件

　　作為沒有肖特基接觸和MOS界面的單極器件JFET，由于采用p-n結柵極，避免了SiCMOSFET存在的低反型層溝道遷移率和SiO2層可靠性低的問題。SiCJFET功率開關已成為SiC單極器件的熱點研究領域，美國Rutgers大學報道的常關型Ti-VJFET器件的阻斷電壓已達到11kV，比導通電阻130m.cm2，品質因子930MW/cm2。美國SemiSouth公司已商業(yè)推出從650V-1700V的系列SiCJFET產品。

　　靜電感應晶體管（Staticinductiontransistors，SIT）是一種由pn結柵或肖特基結柵控制的多子導電器件，除了應用在微波功率器件的低頻領域（UHF－C波段）外，SiCSIT是市場上第一款SiC功率開關器件。該SiCSIT器件耐壓為1200V，導通電阻為12m.cm2。

　　GaN材料具有3倍硅的禁帶寬度、10倍硅的臨界擊穿電場和2.5倍硅的飽和漂移速度，特別是基于GaN的AlGaN/GaN結構具有更高的電子遷移率，使得GaN器件具有低導通電阻、高工作頻率，能滿足下一代電子裝備對功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。近年來，隨著GaN材料在光電器件領域的廣泛應用，加速了GaN材料的發(fā)展，特別是大直徑硅襯底GaN外延生長技術的進步以及逐步商業(yè)化，使得GaN具有更低廉的成本價格，有力地促進了GaN功率半導體器件的發(fā)展。

　　目前，基于GaN的功率開關器件主要包括AlGaN/GaNHEMT（HFET）、GaN基MOSFET和MIS-HEMT等結構。其中，AlGaN/GaNHEMT具有工藝簡單、技術成熟、優(yōu)良的正向導通特性和高的工作頻率等優(yōu)點，成為GaN功率開關器件中最受關注的結構。

　　眾所周知，基于AlGaN/GaN結構的晶體管是耗盡型（常開型）器件，而具有正閾值電壓的增強型（常關型）功率開關器件能夠確保功率電子系統(tǒng)的安全性、降低系統(tǒng)成本和復雜性等，是功率系統(tǒng)中的首選器件。因此，對于AlGaN/GaNHEMT器件而言，增強型HEMT器件實現技術也是研究者們極其關注的問題。目前國際上多采用超薄AlGaN層、凹槽柵、P型柵和氟離子注入等方法實現增強型導電溝道。

　　目前基于6英寸硅基GaN平臺，IR公司和EPC公司分別推出了30V和100V/200V的GaN場效應電力電子器件，600V-900VGaN器件在近期也將推向市場。以歐洲微電子研究中心為代表的研發(fā)機構正開展8英寸硅基GaN電力電子器件研究。

　　（三）晶閘管類器件

　　在半導體功率開關器件中，晶閘管是目前具有最高耐壓容量與最大電流容量的器件，其最大電流額定值達到10kA，電壓額定值可達12kV。ABB公司和株洲南車時代公司已分別在150mm直徑的硅片上工業(yè)化生產8.5kV/4kA和7.2kV/4.5kA的晶閘管。

　　晶閘管改變了整流管“不可控”的整流特性，為方便地調節(jié)輸出電壓提供了條件。但其控制極（門極）僅有控制晶閘管導通的作用，不能使業(yè)已導通的晶閘管恢復阻斷狀態(tài)，只有借助將陽極電流減小至維持電流以下或陰、陽極間電壓反向來關斷晶閘管。在整流電路中，交流電源的負半周自然會關斷晶閘管，但在直流電路中，要想關斷晶閘管必須設置能給其施加反向電壓的換向電路才行，這給應用帶來很大麻煩。一種通過門極控制其導通和關斷的晶閘管？門極關斷晶閘管GTO在這種情況下應運而生并得到發(fā)展，目前已有包括日本三菱電機公司、瑞典ABB等多家廠商能在6英寸硅片上生產6kV/6kA，頻率1kHz的GTO，研制水平已達8kV/8kA。但GTO仍然有著復雜的門極驅動電路、低耐量的di/dt和dV/dt，小的安全工作區(qū)（SafeOperatingArea—SOA），以及在工作時需要一個龐大的吸收（Snubber）電路等缺點。針對GTO的上述缺陷，在充分發(fā)揮GTO高壓大電流下單芯片工作和低導通損耗特點的基礎上，多種MOS柵控制且具有硬關斷（HardSwitching）能力的新型大功率半導體器件在上世紀九十年代相繼問世并陸續(xù)走向市場。所謂硬關斷晶閘管即是在關斷時能在一個很短的時間內（如1？s）完成全部陽極電流向門（柵）極的轉移，此時的晶閘管關斷變成了一個pnp晶體管關斷模式，因而無需設置龐大、笨重且昂貴的吸收電路。硬關斷晶閘管的代表性產品包括瑞典ABB公司研制的集成柵換流晶閘管IGCT、美國硅功率公司提出的MOS關斷晶閘管MTO和由美國AlexHuang提出的發(fā)射極關斷晶閘管ETO。在硬關斷晶閘管中，IGCT應用較為廣泛。IGCT是集成門極驅動電路和門極換流晶閘管（GCT）的總稱，其中GCT部分是在GTO基礎上做重大改進而形成，是一種較理想的兆瓦（MW）級中高壓半導體開關器件。我國株洲南車時代公司也量產有4.5kV/4kA的IGCT。

　?。ㄋ模┕β始呻娐?/strong>