于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。 ? 前兩篇文章我們分別探討了 SiC MOSFET的驅(qū)動電壓 ，以及 SiC器件驅(qū)動設(shè)計中的寄生導(dǎo)通問題 。本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給
2022-07-07 09:55:00
2357 
本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設(shè)計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設(shè)計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。
2015-06-12 09:51:234738 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522074 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
，降低了88%。還有重要的一點是IGBT的尾電流隨溫度升高而增加。順便提一下，SiC-MOSFET的高速驅(qū)動需要適當(dāng)調(diào)整外置的柵極電阻Rg。這在前文“與Si-MOSFET的區(qū)別”中也提到過。與IGBT
2018-12-03 14:29:26
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性MOSFET體二極管的另一個重要特性是反向恢復(fù)時間（trr）。trr是二極管開關(guān)特性相關(guān)的重要參數(shù)這一點在SiC肖特基勢壘二極管一文中也已說明過。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
另
一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，
SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗
比Si器件要高?！ ∫虼?，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）?！ ∪绻?/div>
2023-02-07 16:40:49
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-04-09 04:58:00
擊穿耐受能力SiC-MOSFET的優(yōu)點是芯片尺寸可以比Si-MOSFET小，但另一方面，靜電擊穿（ESD）耐受能力卻較低。因此，處理時需要采取充分的防靜電措施。靜電對策舉例?利用離子發(fā)生器除去人體
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
和特性幾乎是相同的，因此理論上相同面積和氧化層厚度的Si MOSFET和SiC MOSFET可以在相同的時間內(nèi)承受大致相同的氧化層電場應(yīng)力（相同的本征壽命）。但是，這只有在器件不包含與缺陷有關(guān)的雜質(zhì)
2022-07-12 16:18:49
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設(shè)計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
閾值電壓的不穩(wěn)定性; 后來，太多的研究出版物都證明了這一點。SiC研究界的許多人在20世紀80年代末和90年代期間進一步研究了SiC-SiO 2系統(tǒng)中各種界面態(tài)的性質(zhì)。 研究在90年代末和21世紀初
2023-02-27 13:48:12
些情況下，也觀察到最小偏差，證實了SiC MOSFET在這些條件下的性能和可靠性。柵極氧化物是碳化硅MOSFET的關(guān)鍵元素，因此其可靠性非常重要。柵極氧化物可靠性的評估分為兩部分。第一部分基于TDDB（時間
2019-07-30 15:15:17
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
一個顯示溫度的音樂時鐘（仿真+代碼），自己一點點敲的....
2013-04-17 20:28:51
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
2013-09-29 09:42:51
STM32學(xué)習(xí)教程5：給等待入門的人一點點建議STM32學(xué)習(xí)教程6：這些代碼大家都用得到STM32學(xué)習(xí)教程7：讓它跑起來，基本硬件功能的建立STM32學(xué)習(xí)教程8：來跟PC打個招呼，基本 串口通訊STM32學(xué)習(xí)
2015-01-28 16:22:37
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔，快速認識評估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計成果分享項目的開展，實施，結(jié)果過程，展示項目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
。補充一下，所有波形的測試是去掉了鱷魚夾，使用接地彈簧就近測量的，探頭的***擾情況是很小的。最后，經(jīng)過了半個小時的帶載實驗，在自然散熱的情況下，測量了SIC-MOSFET的溫度：圖9 溫度測量對于
2020-06-10 11:04:53
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過使用新型開關(guān)管以提高開關(guān)頻率，縮小設(shè)備體積，提高效率，所以急需該評估版以測試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動，望批準！項目計劃1
2020-04-24 18:08:05
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
{:16:}{:16:}{:16:}由于是半路出家，自我感覺C、匯編、單片機、linux、模電、數(shù)電等都會那么一點點，也搞過開關(guān)電源、做過逆變，直流屏系統(tǒng)，25了，感覺就是那么“一點點”好可怕，想去搞嵌入式該怎么學(xué)習(xí)。
2013-04-13 20:25:34
性能如何？650V-1200V電壓等級的SiC MOSFET商業(yè)產(chǎn)品已經(jīng)從Gen 2發(fā)展到了Gen 3，隨著技術(shù)的發(fā)展，元胞寬度持續(xù)減小，比導(dǎo)通電阻持續(xù)降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
以前就有過一點點基礎(chǔ)，想要認認真真學(xué)習(xí)這塊東西要怎么開始??？新人新人，亟待高手指點！
2015-08-04 12:38:28
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
等待才能跳出中斷。搞了很久才知道，原來還有一種方法可以實現(xiàn)edge-triggered那就是通過所謂的pla來實現(xiàn)。但是手冊和ic資料里面一點都沒有說，還是后來從技術(shù)支持人員那才知道。（不是破壞我
2011-11-29 13:37:43
加上所用的LABVIEW版本信息會比較好。因為我是8.5的版本，就經(jīng)常下了高于8.5的VI打不開，或許加個版本分類會比較整理一點，僅僅是菜鳥的一點建議而已
2013-01-07 08:39:53
如何將現(xiàn)有代碼一點點移植到HC32F460上呢？其移植過程是怎樣的？
2021-11-25 06:27:46
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是F...
2021-10-28 10:06:38
也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的...
2021-07-29 09:46:38
Part 01 這兩天有機會測SERDES，對AC COMMON MODE VOLTAGE有一點點認識。 差模/共模電壓的概念可能從學(xué)生時代的來源要追溯到模擬電子線路了，公式很簡單： 我們
2023-03-24 15:28:59
貼片元件特別小 容易丟 我一般都是把它貼在雙面膠上面的 焊一個拿一個 還有焊接的時候不用鑷子先在焊盤上面搪一點點錫然后 把貼片元件放到焊盤上 點一點502凝結(jié)以后直接焊焊點圓潤 還沒有虛焊 效果好 也焊不壞東西個人心得 在這里有班門弄斧的嫌疑了各位大俠見諒啊
2012-11-10 12:48:53
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
SiC MOSFET器件芯片部分出現(xiàn)電學(xué)失效現(xiàn)象：共16個器件，其中5個正常，11個失效。其中失效情況：芯片漏電，及部分芯片燒毀，送測樣品圖如下：金鑒工程師隨機抽取其中一個漏電失效MOS管器件芯片樣品進行
2018-11-02 16:25:31
每日簽到，每天進步一點點，加油！{:4_95:}
2012-12-18 15:58:29
求altium designer10的教學(xué)視頻，比初學(xué)者高級一點點的，謝謝啊！
2013-11-12 09:07:17
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
火線、零線、中性線、地線之差別不是一點點·與交流電打交道總能見到火線、零線、中性線、地線的字眼，那么它們的差別究竟在哪里呢？下面給大家做一詳細的講解?！ひf清楚這些線的關(guān)系，我們必須搬出三相
2019-12-06 09:14:06
本人用L298驅(qū)動一個電壓為12V的電機，電流在0~2A之間可調(diào)。但輸出電壓只有3V多一點點，不知道什么原因，請問哪位知道的大神可以解釋一下嗎？
2017-03-22 13:12:51
1）。圖1.與最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的開關(guān)速度明顯更快，可在功率轉(zhuǎn)換器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真，SiC MOSFET
2023-02-22 16:34:53
，不同SiC材料的優(yōu)越性能。表1顯示了［1］和［2］中討論的不同材料的值。這些值對SiC材料做出了一些有趣的陳述。在4：8x1016cm-3的摻雜水平下，擊穿電場強度Ec比Si好一個數(shù)量級以上。 更高
2023-02-24 15:03:59
和更廣泛的封裝選擇將出現(xiàn)，以適應(yīng)更高電壓和功率等級的應(yīng)用范圍?！ ±纾钚碌墓苍垂矕懦焖伲ǔｊP(guān)型SiC-FET）與IGBT或Si-MOSFET一樣易于驅(qū)動和使用，但在速度及較低靜態(tài)和動態(tài)損耗方面
2023-02-27 14:28:47
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
絕大多數(shù)情況下都取決于IC的規(guī)格，因此雖然不是沒有方法，但選用專為SiC-MOSFET用而優(yōu)化的電源IC應(yīng)該是上策。具體一點來講，在規(guī)格方面，一般的IGBT或Si-MOSFET的驅(qū)動電壓為VGS
2018-11-27 16:54:24
這種像原理圖一樣的外邊框是add line那樣一點點畫嗎？
2019-07-09 04:45:57
O(∩_∩)O哈哈~
2012-06-02 09:00:36
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)
2020-09-29 10:44:00
9 近年來，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件得到了廣泛重視與發(fā)展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應(yīng)力下會產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。本文闡述了如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 樁、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲存等應(yīng)用場景中的需求不斷提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高溫與耐高壓特性 基于SiC材料的器件擁有比傳統(tǒng)Si材料制品更好的耐高溫耐高壓特性，其能獲得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅（SiC）的介電擊穿強度大約是硅（Si）的
2021-08-13 18:16:276631 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器可用于各種應(yīng)用，如消費電子產(chǎn)品，以及可再生能源應(yīng)用，如光伏、風(fēng)能、水力和地?zé)岬?。本文提供了?3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的詳細比較具有寬輸入電壓范圍的半橋 LLC 轉(zhuǎn)換器。
2022-07-29 09:44:201209 
SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 SiC 器件取代服務(wù)器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:43529 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實例。
2023-02-06 14:39:51645 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:011301 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032100 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:102935 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
3.1 驅(qū)動電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低，但只有驅(qū)動電壓達到18V～20V時才能完全開通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對比 Cree的產(chǎn)品手冊
2023-02-27 14:41:099 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動電路保護 SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個應(yīng)用場合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件，其驅(qū)動表面上看來是非常簡單，但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間，一點點來解析MOSFET的驅(qū)動技術(shù)，以及在不同的應(yīng)用，應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動電路。
2023-04-18 09:19:31604 首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 
Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)是一個復(fù)雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 
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