0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機械電位器的功能，用簡單的2線數(shù)字接口取代機械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應(yīng)用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應(yīng)用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應(yīng)用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:32:20
（Microcontroller Unit, MCU）市場，最新推出95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲器（95納米5V SG eNVM）工藝平臺。在保證產(chǎn)品穩(wěn)定性能的同時，95納米5V SG eNVM工藝平臺以其低功耗、低成本
2017-08-31 10:25:23
談到內(nèi)存，我們都會想到PC，對于單片機或者arm來說也是存在內(nèi)存的，簡單的理解是：內(nèi)存嘛……就是存放東西的地方，只不過這個東西是數(shù)據(jù)而已，好了，還是把重點放在mcu上面，對于一款mcu來說，在性能
2021-07-16 07:56:26
上。此設(shè)計工作在低功耗模式下，并可減少 CPU 工作量，進而有助于降低總體功耗。主要特色磁脈沖測量2.9uA 待機電流非易失性片上 FRAM 實時存儲支持 NFC 和低于 1GHz BoosterPack電池電壓監(jiān)視器此終端設(shè)備設(shè)計已經(jīng)過測試，并包含硬件、固件、GUI、演示和用戶指南
2018-08-23 12:08:52
nvSRAM的工作，隨后將介紹在企業(yè)級SSD中采用nvSRAM器件的具體細節(jié)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">非易失性SRAM（nvSRAM） nvSRAM在單個器件中完美結(jié)合了兩大CMOS技術(shù)：SRAM和SONOS非易失性技術(shù)
2018-09-26 09:44:52
我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
經(jīng)過超過八年的MRAM研發(fā)，Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商業(yè)設(shè)備。該器件采用256K x 16位配置（圖1），并具有異步設(shè)計，帶有標準的芯片，寫入和輸出使能引腳
2020-09-15 14:20:31
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機存取存儲器)，三者科技內(nèi)涵各有所長,市場預(yù)測尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
，非易失性存儲器還需確保足夠的讀寫次數(shù)來記錄至少 20 年數(shù)據(jù)。此外，為了達到汽車級認證和資格，所有子系統(tǒng)應(yīng)采用符合 AEC-Q100 標準的存儲器組件。同時，功能性安全性能符合ISO 26262標準是另外一
2018-05-21 15:53:37
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
（LPSB）下，其在25C時的泄漏電流小于55mA，相當于每比特的漏電流僅為1.7E-12A。對于32Mb數(shù)據(jù)，它具有100K個循環(huán)的耐久性，而對于1Mb的數(shù)據(jù)可以>1M個循環(huán)。它在260°C
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
AT87F51是一個低功耗，高性能CMOS 8位微控制器，帶有4K字節(jié)的快速閃存可編程只讀存儲器。該設(shè)備是采用Atmel的高密度非易失性內(nèi)存技術(shù)和行業(yè)標準MCS - 51（TM）的指令集和引腳兼容
2013-09-03 11:39:03
的高密度、非易失性存儲技術(shù)生產(chǎn)，兼容標準MCS-51指令系統(tǒng)，片內(nèi)置通用8位中央處理器和Flash存儲單元，功能強大的AT89LV55單片機可為您提供許多高性能低價位的系統(tǒng)控制應(yīng)用場合。AT89LV55有
2013-11-12 16:00:24
bq4011是一個非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結(jié)合?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
保持新鮮一般說明DS1553是一個全功能、符合2000年（Y2KC）標準的實時時鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1553
2020-09-17 17:24:23
?在引導(dǎo)閃存之間選擇 ?設(shè)置ASIC配置/配置文件 ?服務(wù)器 ?網(wǎng)絡(luò)存儲 ?路由器 ?電信設(shè)備 ?PC外圍設(shè)備 一般說明 DS4520是一個9位非易失性（NV）I/O擴展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數(shù)據(jù)保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
一些微控制器配有片載 EEPROM，這樣既提供了非易失性數(shù)據(jù)存儲器，還能節(jié)省板空間。然而，隨著數(shù)據(jù)安全變得愈發(fā)重要，許多現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)需要一種實用的方法，利用非易失性存儲器來安全地存儲數(shù)據(jù)，同時還可
2020-12-28 07:32:47
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-12 11:55 編輯
Flash全名叫做Flash Memory，屬于非易失性存儲設(shè)備(Non-volatile Memory Device)，與此
2018-06-12 09:52:07
Flash的硬件實現(xiàn)機制Flash全名叫做Flash Memory，屬于非易失性存儲設(shè)備(Non-volatile Memory Device)，與此相對應(yīng)的是易失性存儲設(shè)備(Volatile
2018-07-18 15:50:36
飛思卡爾的Kinetis設(shè)備提供FlexMemory技術(shù)，該技術(shù)為靈活的內(nèi)存使用提供了多功能和強大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優(yōu)點的基礎(chǔ)上，加入了多項創(chuàng)新的特性，使得高云半導(dǎo)體在非易失性FPGA領(lǐng)域逐步建立了領(lǐng)先優(yōu)勢
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
。然而，我很難找到描述 LPC55S69 的兩個內(nèi)核如何訪問芯片上的靜態(tài) RAM 和閃存資源的應(yīng)用說明或技術(shù)規(guī)范。NXP 是否提供此類應(yīng)用說明？我在哪里可以找到這個？我用各種搜索短語搜索了論壇，例如“雙關(guān)心內(nèi)存
2023-04-12 08:54:14
在那里，我正在編寫一個應(yīng)用程序的WYZBEE板從紅松信號。他們使用來自FM4的M9BFX6XM家族的M9MF568。對于我的應(yīng)用程序，我試圖在非易失性工作快閃存儲器中存儲帳戶憑據(jù)和無線LAN配置。一
2019-11-01 10:53:50
非易失性MRAM芯片組件通常在半導(dǎo)體晶圓廠的后端工藝生產(chǎn)，下面英尚微電子介紹關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個方面.
2021-01-01 07:13:12
MSP430G 系列處理器是一款低成本16 位處理器，其并不具備 EEPROM。為了存儲非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了 256 字節(jié)的 Flash 空間作為信息
2019-10-18 09:00:50
我使用的是MPLAB X IDE v3.35、PicKit3和PIC32MX360F512L。我還在為應(yīng)用程序的非易失性存儲保存這個內(nèi)存的一個塊?？紤]到一個512K的存儲設(shè)備，這個值是有意義
2019-11-05 15:39:52
Pango DesignSuite，可支持千萬門級FPGA器件設(shè)計開發(fā)高云半導(dǎo)體：推出中國首顆55nm嵌入式Flash SRAM非易失性FPGA芯片，實現(xiàn)可編程邏輯器件、嵌入式處理器無縫連接安路
2021-09-10 14:46:09
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲器
2020-12-31 07:15:20
我在定制板上使用 STM32H745，帶有 Micron 閃存 (MT25QU512ABB)電路板經(jīng)過測試，我能夠通過 QSPI 管理 NOR 內(nèi)存。我試圖更改非易失性配置寄存器來設(shè)置兩件事：命令
2022-12-19 07:15:57
如題，MCU運行時的狀態(tài)不是易失的嗎，那每次上電時應(yīng)該就是初始狀態(tài)。為什么還需要上電復(fù)位電路來在MCU上電時，給它復(fù)位呢？
2018-04-12 09:19:56
現(xiàn)代化戰(zhàn)爭對吸波材料的吸波性能要求越來越高，一般傳統(tǒng)的吸波材料很難滿足需要。由于結(jié)構(gòu)和組成的特殊性，使得納米吸波涂料成為隱身技術(shù)的新亮點。納米材料是指三維尺寸中至少有一維為納米尺寸的材料，如薄膜
2019-08-02 07:51:17
器件為市場上的許多8位MCU提供了編譯器友好的替代方案。對了解FRAM來說，這些新型低成本MSP430 MCU器件是一個很好的切入點。FRAM為程序員提供了極大的靈活性，還具有作為非易失性程序和非易失
2019-07-25 04:45:11
菜鳥求助：一個外部設(shè)備的驅(qū)動加載后會自動在/dev下生成相應(yīng)的設(shè)備文件，請問這個設(shè)備文件只是在內(nèi)存中存在嗎？應(yīng)該是個臨時的文件吧，掉電丟失。設(shè)備文件在硬盤中或者其他非易失性存儲介質(zhì)中會占用存儲空間嗎？
2016-09-04 18:28:43
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
納米制程功耗低性能強國民做安全芯片起家，自帶多種加密算法安全性高與臺積電簽訂多份采購訂單，供貨較為穩(wěn)定MCU產(chǎn)品已得到多家行業(yè)龍頭客戶認可并導(dǎo)入（華為、大疆、寧德時代）寬產(chǎn)品線、覆蓋32位MCU從低端到高端的絕大多數(shù)應(yīng)用場景國民技術(shù)MCU表示Pin數(shù)與flash容量的字母后綴與ST、GD對應(yīng)含義
2021-11-01 07:51:48
AN0002—AT32 MCU如何使用片上Flash來實現(xiàn)EEPROM功能當前諸多嵌入式應(yīng)用場景都需要用到 EEPROM 作為非易失性的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。出于客戶低成本的考慮，AT32 系列部分
2021-11-26 07:15:32
低功耗應(yīng)用提高安全性。此外，它們還采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或閃存提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲器架構(gòu)，從而可簡化安全系統(tǒng)設(shè)計。
2019-07-08 06:03:16
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
本文就如何充分利用mcu的非易失性存儲提供了一些想法。一定有工程師經(jīng)常需要8位微控制器提供的16、32、甚至64 KB的程序內(nèi)存的很大一部分。那么如何充分利用MCU的非易失性存儲呢？本文將會介紹
2021-12-20 06:42:35
保護您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲
2021-12-24 07:27:45
我應(yīng)該用什么API來存儲非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
在嵌入式設(shè)計中，許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2019-09-23 08:31:04
在2019全球閃存峰會上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
osal_snv_init();這的NV條目 是指什么？ VOIDosal_snv_write(22, 10,buf); VOIDosal_snv_read(22 , 10,buf1); 我調(diào)用讀寫NV 函數(shù) 這時buf1 的內(nèi)內(nèi)容和buf 一樣 然后我屏掉VOIDosal_snv_write(22, 10,buf);在運行一次 按理說buf1 也應(yīng)該和buf 內(nèi)容一樣 因為上次保存到flash 了，可是結(jié)果并沒有，不知道哪里抹掉了。這個uint16 ID 這個參數(shù)是如果傳遞的，我如何知道系統(tǒng)使用了那些地址，那些地址能給用戶開發(fā)使用的？
2019-10-16 09:14:09
我如何獲得該產(chǎn)品的波動性聲明？我們的客戶需要它。其他帖子稱，大多數(shù)產(chǎn)品都具有易失性存儲器，但根據(jù)數(shù)據(jù)表，除了易失性DDR3內(nèi)存外，該主板還具有非易失性SPI閃存和EEPROM存儲器。提前致謝
2019-04-08 06:51:36
預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載，我們有一個困難，顯然制造商沒有對NVLS編程，因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個問題出現(xiàn)（對于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設(shè)置為隨機數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
1. 存儲器理解存儲器是計算機結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
CAT5140采用8引腳MSOP封裝。含片上8位非易失性電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)，使設(shè)計人員能一次就校準，并在上電(power-up)時保持存儲器的電阻觸點(wiper)設(shè)置范圍。這
2021-04-16 06:29:19
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位計數(shù)器模式中使用Time1。下面的函數(shù)在代碼中定期調(diào)用。每次調(diào)用上述函數(shù)后，Timer1應(yīng)該重置為零。有時它不是這樣發(fā)生的，但有時它像預(yù)期的那樣工作。我必須將“T1Value”聲明為易失性變量還是其他可能出現(xiàn)的問題？任何幫助都是值得贊賞的。
2020-04-08 06:36:57
有什么辦法可以使發(fā)送到 VL6180 的偏移校準數(shù)據(jù)（也許還有串擾校準數(shù)據(jù)）不會像這樣易失？每次重啟后它被覆蓋的原因是什么？設(shè)備地址也是如此。盡管這對我來說至少更合理一些。背景：對于一個 IoT
2023-01-04 06:00:00
和大量非易失性內(nèi)存，這些內(nèi)存分配給不同的內(nèi)存區(qū)域，用于額外存儲圖像/等。 我的問題是構(gòu)建成功的 touchgfx 應(yīng)用程序是否需要兩種內(nèi)存類型？無論如何，我們都需要非易失性存儲器來存儲數(shù)據(jù)，但在我
2022-12-26 07:41:51
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
電子元器件涂層的耐磨性測試是很重要的檢測試驗，Taber5750線性磨耗儀是目前應(yīng)用非常廣泛的耐磨測試儀，本文講述采用Taber5750線性磨耗儀對高耐磨親水親油易清潔納米涂層的耐磨性進行測試
2017-10-13 16:53:27
中波長的1/50，具有在較低頻段諧振的可能。但是由于單根碳納米管天線輸入阻抗很高，導(dǎo)致天線效率太低，并沒有實際應(yīng)用的可能。因此采用碳納米管陣列構(gòu)建微波器件更具有現(xiàn)實意義。提出采用中點饋電的碳納米管束作為天線陣
2019-05-28 07:58:57
在 wiki 中，我發(fā)現(xiàn)了這些行：5.3 非易失性計數(shù)器↑每個證書都嵌入了一個非易失性計數(shù)器值，該值被檢查以控制防回滾機制。有兩種非易失性計數(shù)器： - 可信非易失性計數(shù)器 - 非可信易失性計數(shù)器在
2023-02-02 07:32:04
我想為我的 MCU 添加一些易失性內(nèi)存 (32~64 MB)。我目前正在查看 STM32H/F7 設(shè)備。大多數(shù) DRAM 需要如此多的走線，以至于內(nèi)存占用的 PCB 面積使我的設(shè)計不切實際。似乎有一
2023-01-11 06:54:35
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設(shè)集，面向各種感應(yīng)和測量應(yīng)用。該架構(gòu)、FRAM和外設(shè)，結(jié)合大量低功耗模式，可以延長
2021-11-03 07:28:04
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
類別非易失性非易失性非易失性易失性晶胞結(jié)構(gòu)*11T1C/2T2C2T1T6T數(shù)據(jù)改寫方法覆蓋寫入擦除+寫入扇面擦除+ 寫入覆蓋寫入寫入循環(huán)時間150ns*25ms10μs55ns耐久力最大 1012
2014-06-19 15:49:33
的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點多多:非易失性，寫入速度快，無限次寫入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約
2009-10-15 08:22:44
793 中芯國際共同宣布銳迪科RDA5802N 調(diào)頻接收器(RF Receiver)芯片，一個采用中芯國際的55納米低漏電(LL)工藝平臺以及寅通科技 IP 解決方案的產(chǎn)品已于日前開始量產(chǎn)。
2011-03-11 10:18:161142 飛思卡爾半導(dǎo)體日前推出新的32位Qorivva微控制器(MCU)，該產(chǎn)品基于Power Architecture技術(shù)，目的是使過去只有在豪華汽車中才能見到的環(huán)繞攝像泊車輔助系統(tǒng)變得更加經(jīng)濟適用并普及到更廣泛
2011-06-16 09:00:411829 Freescale公司的MPC5676R是采用Power Architecture?技術(shù)的32位多核Qorivva MCU,主要用在汽車動力總成系統(tǒng)
2011-12-01 10:09:502367 
飛思卡爾半導(dǎo)體公司日前宣布推出Qorivva MPC5746M多核微控制器（MCU），旨在滿足全球?qū)μ岣咂噭恿偝上到y(tǒng)性能日益增長的需求，同時又能符合最新的安全和應(yīng)用要求。
2012-04-26 08:35:451069 全球電子創(chuàng)新設(shè)計Cadence公司與上海華力微電子，15日共同宣布了華力微電子基于Cadence Encounter數(shù)字技術(shù)交付55納米平臺的參考設(shè)計流程。華力微電子首次在其已建立55納米工藝上實現(xiàn)了從RTL到GDSII的完整流程。
2013-08-16 11:08:111383 華力55納米SONOS嵌入式閃存在55納米邏輯平臺上僅增加了4張光罩，與業(yè)界其它量產(chǎn)的55納米嵌入式閃存技術(shù)（需要額外加入9~12張光罩）有非常強的成本優(yōu)勢。但華力團隊仍然通過系列技術(shù)創(chuàng)新進一步提升質(zhì)量，降低成本。
2018-04-27 14:16:067397 
Freescale公司的MPC5668x系列是Qorivva 雙核32位MCU，集成了FlexRay，以太網(wǎng)和媒體本地總線。MPC5668x系列采用32位CPU核（e200z650）和Power
2018-07-06 17:40:004677 
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