孔，按動(dòng)相應(yīng)的V（BR）鍵，再?gòu)谋碇凶x出反向擊穿電壓值。對(duì)于反向擊穿電壓低于50V的晶體管，也可用圖5-58中所示的電路進(jìn)行測(cè)試。將待測(cè)晶體管VT的集電極C、發(fā)射極E與測(cè)試電路的A端、B端相連（PNP
2012-04-26 17:06:32
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時(shí)吸合電路。剛接通電源時(shí)，16μF電容上電壓為零，兩個(gè)三極管都截止，繼電器不動(dòng)作。隨著16μF電容的充電，過(guò)一段時(shí)間后，其上電壓達(dá)到高電平，兩個(gè)三極管都導(dǎo)通，繼電器延時(shí)吸合。延時(shí)時(shí)間可達(dá)60s。延時(shí)的時(shí)間長(zhǎng)短可通過(guò)10MΩ電阻來(lái)調(diào)節(jié)。
2008-11-07 20:36:15
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺(jué)這兩本書(shū)挺好的，發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍！`
2016-11-08 14:12:33
的設(shè)計(jì)，運(yùn)算放大電路的設(shè)計(jì)與制作。下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等。本書(shū)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)。1．1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
的晶體管，因此基本上僅有功率型。 順便提一下，MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)，是場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的一種
2018-11-28 14:29:28
的縮寫(xiě)，是場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的一種。IGBT為Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)。 Si晶體管的特征 下面就雙極晶體管、MOSFET、IGBT，匯總了
2020-06-09 07:34:33
自來(lái)水的閥門(mén)，從而調(diào)節(jié)水龍頭噴出的巨大的水量（即集電極電流）。借此，可以通俗地領(lǐng)會(huì)這一原理。6. 正確說(shuō)明。下面通過(guò)圖1及圖2對(duì)晶體管的增幅原理作進(jìn)一步詳盡的說(shuō)明。與輸入電壓e和偏壓E1構(gòu)成的基極-發(fā)射極
2019-07-23 00:07:18
自來(lái)水的閥門(mén)，從而調(diào)節(jié)水龍頭噴出的巨大的水量（即集電極電流）。借此，可以通俗地領(lǐng)會(huì)這一原理。6. 正確說(shuō)明。下面通過(guò)圖1及圖2對(duì)晶體管的增幅原理作進(jìn)一步詳盡的說(shuō)明。與輸入電壓e和偏壓E1構(gòu)成的基極-發(fā)射極
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱(chēng)為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號(hào)的小功率晶體管，可根據(jù)電路的要求選擇晶體管的材料與極性，還要考慮被選晶體管的耗散
2012-01-28 11:27:38
的B和C對(duì)稱(chēng)、和E極同樣是N型。也就是說(shuō)，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`
2012-08-20 08:03:59
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱(chēng)為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
編輯-Z場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱(chēng)JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET）兩大類(lèi)。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
的分類(lèi)還沒(méi)結(jié)束，每種類(lèi)型的管子又可分為N型管和P型管，所以說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管下面可以分為6種類(lèi)型的管子，分別是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、P溝道增強(qiáng)型
2019-04-15 12:04:44
溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管?！ ?chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一
2018-12-18 14:06:27
的復(fù)雜性，優(yōu)點(diǎn)是減小柵源電容和增加晶體管寬度，缺點(diǎn)是寄生電阻增加?！ ˇ袞艠O和Ω柵極器件 π柵極（圖5）和Ω柵極（圖6）器件是通過(guò)加長(zhǎng)溝道下方三柵極FinFET的側(cè)壁部分而形成的。這種布置將有效門(mén)數(shù)從
2023-02-24 15:20:59
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前，我們先來(lái)了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
NPN晶體管的b處沒(méi)有電壓輸入時(shí)，c和e之間沒(méi)有電流流動(dòng)，三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。在圖（b）中，當(dāng)正電壓輸入到NPN晶體管的b時(shí)，e的N區(qū)的負(fù)電子被b中P區(qū)的正電子吸引。 由于發(fā)電廠(chǎng)的作用，它們沖向（擴(kuò)散
2023-02-15 18:13:01
是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
P型MOS管開(kāi)關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)
2017-07-25 15:29:55
的“0”和“1”。源極和漏極之間是溝道(Channel)，當(dāng)沒(méi)有對(duì)柵極(G)施加電壓的時(shí)候，溝道中不會(huì)聚集有效的電荷，源極(S)和漏極(S)之間不會(huì)有有效電流產(chǎn)生，晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)。可以把這種關(guān)閉
2017-09-12 11:10:57
場(chǎng)效應(yīng)晶體管只要三步:1.選擇須合適的勾道(N溝道還是P溝道)2.確定場(chǎng)效應(yīng)晶體管的額定電流，選好額定電流以后，還需計(jì)算導(dǎo)通損耗。3.確定熱要求，設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮到最壞和真實(shí)兩種情況。一般建議采用針對(duì)最 壞的結(jié)果計(jì)算,因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量，能夠確保系統(tǒng)不會(huì)失效。`
2019-04-09 11:37:36
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管有兩種基本配置：N 溝道 JFET 和 P 溝道 JFET。N 溝道 JFET 的溝道摻雜有施主雜質(zhì)，這意味著流過(guò)溝道的電流以電子形式為負(fù)（因此稱(chēng)為 N 溝道）。這些晶體管有 P
2023-08-02 12:26:53
制成的二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管。晶體管分為兩大類(lèi)：雙極晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管有三極：雙極晶體管的三極分別由N型和P型組成
2023-02-03 09:36:05
更高的功率耗散，因?yàn)檩敵?b class="flag-6" style="color: red">晶體管不能飽和。在更高的頻率下，更大的相移也是可能的，這可能會(huì)導(dǎo)致負(fù)反饋下的不穩(wěn)定。 達(dá)林頓晶體管原理圖通常描繪了在單個(gè)大圓圈內(nèi)連接在一起的一對(duì)晶體管元件?；パa(bǔ)達(dá)林頓或
2023-02-16 18:19:11
，出于實(shí)際原因，保持區(qū)域大致相同至關(guān)重要?！ ∪缜八?，實(shí)現(xiàn)更多計(jì)算能力的一種方法是縮小
晶體管的尺寸。但隨著
晶體管尺寸的減小，漏極和源極之間的距離降低了柵極控制
溝道區(qū)域電流的能力。正因?yàn)槿绱?，平?/div>
2023-02-24 15:25:29
ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊無(wú)焊面包板一個(gè)2.2 kΩ電阻（或其他類(lèi)似值）一個(gè)100 Ω電阻一個(gè)4.7 kΩ電阻兩個(gè)小信號(hào)NPN晶體管（2N3904或SSM2212）說(shuō)明BJT穩(wěn)定電流源對(duì)應(yīng)的電路如圖1所示
2021-11-01 09:53:18
電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)
2017-06-22 18:05:03
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
導(dǎo)電，故稱(chēng)為單極型晶體管。 單極型晶體管的工作原理 以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例說(shuō)明其工作原理。N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)模型如圖1所示，它由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)組成?！ ?b class="flag-6" style="color: red">圖2是實(shí)際結(jié)構(gòu)
2020-06-24 16:00:16
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種改變電場(chǎng)來(lái)控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒(méi)有
2012-08-03 21:44:34
MOS管在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，目前常用二氧化硅作金屬鋁（Al）柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層，稱(chēng)為金屬一氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)為MOSFET或者M(jìn)OS管。電路符號(hào)G,D,S極怎么區(qū)分G極是比較好
2023-02-10 16:27:24
（1）場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-03-28 11:37:20
,但不能說(shuō)現(xiàn)在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同，能構(gòu)成技術(shù)性能非常好的電路。 2. 場(chǎng)效應(yīng)管的特征：(a) JFET的概念圖 (b) JFET
2011-12-19 16:30:31
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（英語(yǔ)：field-effecttransistor，縮寫(xiě)：FET）是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場(chǎng)去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類(lèi)型載流子的溝道的導(dǎo)電性
2019-05-08 09:26:37
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱(chēng)為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
描述EarthQuaker Devices 污垢發(fā)射器基于硅晶體管模糊電路。除了標(biāo)準(zhǔn)的 Tone、Level 和 Dirt 旋鈕外，Dirt Transmitter 還具有一個(gè) Bias 旋鈕，用于模擬快要耗盡的電池的電壓不足，以獲得類(lèi)似 Velcro 的絨毛音調(diào)。PCB+原理圖
2022-08-10 06:40:23
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門(mén)輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線(xiàn)管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門(mén)電源需要更多的電力。輸入晶體管開(kāi)關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是防護(hù)電壓的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類(lèi)型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型的P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。實(shí)際應(yīng)用中，N場(chǎng)效應(yīng)晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
結(jié)型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。前者是本次討論的重點(diǎn)。 雙極結(jié)型晶體管的類(lèi)型 BJT安排有兩種基本類(lèi)型：NPN和PNP。這些名稱(chēng)是指構(gòu)成組件的P型（正極）和N型（負(fù)極）半導(dǎo)體材料
2023-02-17 18:07:22
，它代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過(guò)什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式。■數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
SI82XX-KIT，Si8235評(píng)估板，2輸入，4 A，5 kV雙ISO驅(qū)動(dòng)器。該板包括用于普通表面貼裝的焊盤(pán)和通孔封裝的FET / IGBT功率晶體管。該板還包括用于額外原型設(shè)計(jì)的補(bǔ)丁區(qū)域，可用于滿(mǎn)足設(shè)計(jì)人員可能需要評(píng)估的任何負(fù)載配置
2020-06-17 14:37:29
檢驗(yàn)器，它只采用一個(gè) N 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（FET），兩個(gè)普通 NPN 小功率晶體三極管，一個(gè)發(fā)光管和一些阻容元件，便可有效的檢驗(yàn)任何晶振的好壞。 晶振檢驗(yàn)器電路，2N3823 結(jié)型 N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管
2008-10-16 12:40:36
等效的提高開(kāi)關(guān)速度的方法，較小R1值也會(huì)加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的另外一種方法，我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時(shí)的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開(kāi)關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢(shì)。對(duì)晶體管
2023-02-27 09:37:29
行必要的調(diào)整。因?yàn)樗麄兊钠鹗茧妷翰灰粯樱窃诿}沖電路和開(kāi)關(guān)電路中不同材料的三極管是否能互換必須進(jìn)行具體的分析，切不可盲目代換。場(chǎng)效應(yīng)晶體管:選取場(chǎng)效應(yīng)晶體管只要三步：1.選擇須合適的勾道(N溝道還是P
2019-03-27 11:36:30
用一般的萬(wàn)用表是不能測(cè)出晶振的好壞的，這里提供了一種簡(jiǎn)單而實(shí)用的晶振檢驗(yàn)器，它只采用一個(gè) N 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（FET），兩個(gè)普通 NPN 小功率晶體三極管，一個(gè)發(fā)光管和一些阻容元件，便可
2020-07-15 17:49:55
; P溝道圖1-8：IGBT的圖形符號(hào)注意，它的三個(gè)電極分別為門(mén)極G、集電極C、發(fā)射極E。圖1-9：IGBT的等效電路圖。上面給出了該器件的等效電路圖。實(shí)際上，它相當(dāng)于把MOS管和達(dá)林頓晶體管做到了一起
2009-05-12 20:44:23
型結(jié)構(gòu)，如圖所示。絕緣門(mén)/雙極性晶體管我們可以看到，絕緣柵雙極性晶體管是一個(gè)三端子，跨導(dǎo)器件，結(jié)合了絕緣柵 n 溝道 MOSFET 輸入和 PNP 雙極性晶體管輸出相連的一種達(dá)靈頓配置。因此，端子被
2022-04-29 10:55:25
。 Mos管在芯片中放大可以看到像一個(gè)“講臺(tái)”的三維結(jié)構(gòu)，晶體管是沒(méi)有電感、電阻這些容易產(chǎn)生熱量的器件的。最上面的一層是一個(gè)低電阻的電極，通過(guò)絕緣體與下面的平臺(tái)隔開(kāi)，它一般是采用了P型或N型的多晶硅用作
2020-07-07 11:36:10
沒(méi)事看看了電力電子，看到這個(gè)原理圖，有點(diǎn)迷糊了，按圖所示，如果集電極C處為N型半導(dǎo)體，按照?qǐng)D中來(lái)C極應(yīng)該接負(fù)極才對(duì)呀？為什么還接正極？這樣如何導(dǎo)通？有沒(méi)有大神指導(dǎo)下GTR的雙晶體管模型是什么樣的？
2020-06-11 09:03:42
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠(chǎng)家是哪家
2022-05-30 16:36:56
是溝道區(qū)，n+區(qū)是漏區(qū)。對(duì)于p型TFET來(lái)說(shuō)，p+區(qū)是漏區(qū)，i區(qū)是溝道區(qū)，n+區(qū)是源區(qū)。漏極電壓用Vd表示，柵極電壓用Vs表示，柵極電壓用Vg表示。隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么----隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
越大,亦即 SIT的源漏極之間是靠漏電壓的靜電感應(yīng)保持其電連接的,因此稱(chēng)為靜電感應(yīng)晶體管。SIT和一般場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)在結(jié)構(gòu)上的主要區(qū)別是：①SIT溝道區(qū)摻雜濃度低，為1012～1015厘米-3
2010-06-25 20:35:16
驅(qū)動(dòng)篇 – BJT晶體管應(yīng)用感謝閱讀本文，在接下來(lái)很長(zhǎng)的一段時(shí)間里，我將陸續(xù)分享項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。從電源、單片機(jī)、晶體管、驅(qū)動(dòng)電路、顯示電路、有線(xiàn)通訊、無(wú)線(xiàn)通信、傳感器、原理圖設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)
2021-07-21 06:31:06
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫(xiě)，稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說(shuō)的晶體管是指雙極晶體管。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場(chǎng)
2020-03-23 11:03:18
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。AMCOM射頻晶體管GaAs FET以其靈敏度而聞名，而GaAs FET產(chǎn)生的內(nèi)部噪聲很小。這主要是由于GaAs具有很強(qiáng)的載流子遷移率。電子可以輕易、快速地穿過(guò)半導(dǎo)體材料。 AMCOM射頻晶體管GaAs FET是一種耗盡器件，這意味著當(dāng)控制電極沒(méi)有電壓時(shí)，它會(huì)導(dǎo)電，當(dāng)柵極有電壓時(shí)，溝道電導(dǎo)率會(huì)降低。
2020-09-17 11:42:23821 晶體管和FET給人的印象是具有信號(hào)放大的功能，即當(dāng)輸入信號(hào)通過(guò)晶體管或者FET后，輸出信號(hào)被直接放大。
2023-10-21 10:23:07598 
MOS的三個(gè)極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的縮寫(xiě)。它是
2023-11-30 14:24:54619 
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