JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全球領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當(dāng)今DRAM主導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:50
3509 和?x16 配置中均可提供高達(dá)?2133Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，并可與1.5V DDR3實(shí)現(xiàn)100%兼容。目前，華邦的?DRAM 產(chǎn)品布局包括1Gb-4Gb DDR3、128Mb-2Gb DDR
2022-04-20 16:04:032554 
最近我在調(diào)試自制6657板子的DDR3初始化，發(fā)現(xiàn)一個(gè)很奇怪的現(xiàn)象，百思不得其解，我分別用GEL和KEYSTONE DDR3 INIT 在6657EVM開發(fā)板上做DDR3初始化，是沒有問題的，我用
2019-01-08 10:19:00
供了計(jì)算寄存器字段值并顯示結(jié)果的公式。每一個(gè)方程都包含一個(gè)-1，因?yàn)榧拇嫫饔蚴歉鶕?jù)DDR3時(shí)鐘周期-1。編程時(shí)間值的目的是用DRAM時(shí)鐘來計(jì)算它們，循環(huán)和四舍五入到下一個(gè)最高的整數(shù)值。圖 17
2018-01-18 22:04:33
大家好，為了能夠leveling成功，DDR3的布線約束需要規(guī)定到每一片DRAM的CLK長度與DQS長度差值不能超過一定范圍。但是根據(jù)6678或者6670開發(fā)板，其中關(guān)于DQS和CLK長度差的布線
2019-01-02 15:21:58
嗨，我是FPGA領(lǐng)域的新手?，F(xiàn)在我正在使用Genesys2。我必須控制DDR3內(nèi)存。我在Digilent網(wǎng)站上找到了一些使用micrlaze處理器的DDR3示例。但是，在我的情況下，我不必
2019-05-05 15:29:38
與DDR3的天下了.如果覺得上面的說明依然不夠有力，那么請(qǐng)看下面：下圖來自韓國（hynix）原廠文檔截圖。這是文檔中的DDR2圖形處理記憶體?！ ∵@是 DDR3記憶體可以看見最高規(guī)格的DDR3為
2011-02-23 15:27:51
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:53:43
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-03-12 16:05:56
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 22:58:49
概述: JS-9300A內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:55:45
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 23:00:19
1概述 當(dāng)今計(jì)算機(jī)系統(tǒng)DDR3存儲(chǔ)器技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用，數(shù)據(jù)傳輸率一再被提升，現(xiàn)已高達(dá)1866Mbps.在這種高速總線條件下，要保證數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量的可靠性和滿足并行總線的時(shí)序要求，對(duì)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)提出
2014-12-15 14:17:46
通過DDR3內(nèi)存名MT41J128M16-16Meg*16*8Banks通過命名怎樣算出內(nèi)存的大??？
2017-06-15 21:19:11
各位朋友有沒有遇到過DDR3 Vref 信號(hào)上100nF濾波電容失效的情況？我們板子用到了2顆DDR3芯片，VREFCA和VREFDQ管腳各自通過兩個(gè)10K電阻分壓得到0.76V。主芯片上還有一個(gè)MEM_VREF管腳也是通過兩個(gè)1K電阻分壓得到0.76V。
2019-02-19 10:41:35
DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random accessmemory）是應(yīng)用在計(jì)算機(jī)及電子產(chǎn)品領(lǐng)域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。DDR3 在 DDR2
2019-05-22 08:36:26
DDR3基礎(chǔ)詳解最近在IMX6平臺(tái)下做DDR3的測(cè)試接口開發(fā)，以前在學(xué)習(xí)嵌入式時(shí)，用的是官方源碼，沒有做過多的研究。此時(shí)需要仔細(xì)研究DDR3的引腳與時(shí)序，此篇是我在學(xué)習(xí)DDR3做的歸納與總結(jié)，其中有
2021-07-28 09:02:52
共享交流一下，DDR3布線技巧
2016-01-08 08:17:53
CPU的DDR3總線只連了一片DDR3，也沒有復(fù)用總線將DDR3的CS直接拉到地的話，DDR3初始化不成功所以說DDR3的CS信號(hào)是通過沿采樣的嗎，電平采樣不行？無法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:24 編輯
各位好！關(guān)于DDR3，之前有小結(jié)過如果進(jìn)行DDR3的SW leveling和進(jìn)行EMIF4寄存器的配置。但是調(diào)試時(shí)，如果進(jìn)行DDR3的問題定位，現(xiàn)小結(jié)一下，附上相關(guān)文檔。如有相關(guān)問題，可在樓下跟帖討論。謝謝！
2018-06-21 04:01:01
專家，你好，想節(jié)省代碼設(shè)計(jì)的周期，請(qǐng)問是否可以提供6670的DDR3的驅(qū)動(dòng)例子？謝謝
2018-06-21 13:34:52
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
你好，ISE版本為13.3，modelsim版本為10.1c 64bit.MIG工具為ddr3生成mcb。modelsim的transcript窗口中的消息如下
2019-07-08 08:44:42
? ? ? BeagleBone的參考設(shè)計(jì)中，DDR3設(shè)計(jì)是DDR3 Device without VTT Termination。而其他的AM335X的參考設(shè)計(jì)都是有VTT Termination
2018-06-21 03:05:42
FPGA如何對(duì)引腳進(jìn)行分塊？是由VCC的電壓不同進(jìn)行自行設(shè)計(jì)分塊？還是每個(gè)塊的引腳都是固定的？在進(jìn)行DDR3與FPGA的硬件連接時(shí)，由FPGA的芯片手冊(cè)得采用SSTL_15電壓標(biāo)準(zhǔn)，即VDDQ
2021-11-29 16:10:48
本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設(shè)計(jì)。Gowin DDR3 參考設(shè)計(jì)可在高云官網(wǎng)下載，參考設(shè)計(jì)可用于仿真，實(shí)例化加插用戶設(shè)計(jì)后的總綜合，總布局布線。
2022-10-08 08:00:34
Achieving High Performance DDR3 Data Rates in Virtex-7 and Kintex-7 FPGAs。Xilinx官方DDR3資料。
2016-05-27 16:39:58
，甚至轉(zhuǎn)虧為盈。不過，受第二季電子廠拉貨速度減緩影響，DRAM價(jià)格4月底顯疲態(tài)；根據(jù)集邦科技的報(bào)價(jià)，近期DDR3 1Gb eTT（有效測(cè)試顆粒）均價(jià)已跌破3美元關(guān)卡，跌至2.87美元，和3月底的3.04
2010-05-10 10:51:03
DDR3的IP核配置完畢后，產(chǎn)生了好多文件，請(qǐng)問如何調(diào)用這些文件實(shí)現(xiàn)DDR3的讀寫呢？看了一些文章，說是要等到local_init_done為高電平后，才能進(jìn)行讀寫操作。請(qǐng)問DDR3的控制命令如
2016-01-14 18:15:19
看完保證你會(huì)做DDR3的仿真
2015-09-18 14:33:11
效能，不會(huì)在零售市場(chǎng)成為技術(shù)主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:35:58
效能，不會(huì)在零售市場(chǎng)成為技術(shù)主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:36:44
嗨，我正在設(shè)計(jì)一個(gè)定制FPGA板＆amp;我將使用帶有Kintex（XC7K160T-2FFG676C）FPGA的DDR3 RAM。我閱讀了xilinx＆amp; amp; amp; amp
2020-04-17 07:54:29
可能會(huì)跳過這個(gè)4Gb單位元元容量，也就是說屆時(shí)單條DDR2的DRAM模塊，容量最大可能只會(huì)到4GB。而DDR3模塊容量將從1GB起跳，目前規(guī)劃單條模塊到16GB也沒問題（注意：這里指的是零售組裝市場(chǎng)專用的unbuffered DIMM而言，server用的FB與Registered不在此限）。
2011-12-13 11:29:47
我是一名labview FPGA程序員，使用的是NI 7975 fpga模塊，它具有kintex 7 fpga。該模塊具有外部DDR3 DRAM 0f 2GB以及kintex 7 fpga資源。數(shù)據(jù)應(yīng)該從芯片到芯片之間會(huì)有多少延遲？這是DDR3 DRAM雙端口（同時(shí)讀寫操作可能??）???
2020-05-20 14:42:11
自己畫的6657的板，發(fā)現(xiàn)DDR3初始化有問題，初始化參數(shù)是按照芯片手冊(cè)來設(shè)置的，寫數(shù)據(jù)進(jìn)去會(huì)出錯(cuò)。初步懷疑是DDR3布線問題,請(qǐng)問TI的大神們，6657對(duì)DDR3的布線有什么具體的要求嗎？或者是
2018-06-21 05:42:03
MT41J25616XX用于DDR3芯片。當(dāng)我們使用MIG工具配置DDR3時(shí)，對(duì)于我們的FPGA，此DDR3組件未顯示在支持的DDR3組件列表中。如果我們使用“創(chuàng)建自定義部件”添加我們的芯片，那么
2019-02-18 09:01:37
設(shè)計(jì)滿足大容量數(shù)據(jù)緩存要求，并具有較強(qiáng)的可移植性。 隨著寬帶雷達(dá)技術(shù)的發(fā)展，超高速和寬帶采樣已成為基本要求［１］，超高速采集系統(tǒng)需要相匹配的數(shù)據(jù)緩存設(shè)計(jì)，DDR3 SDRAM是當(dāng)前最常用的高效方案
2018-08-02 09:34:58
Xilinx Virtex-6系列FPGA中使用MIG3.7 IP核實(shí)現(xiàn)高速率DDR3芯片控制的設(shè)計(jì)思想和設(shè)計(jì)方案。針對(duì)高速實(shí)時(shí)數(shù)字信號(hào)處理中大容量采樣數(shù)據(jù)通過DDR3存儲(chǔ)和讀取的應(yīng)用背景，設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)了
2018-08-30 09:59:01
大量收購現(xiàn)代DDR3長期回收現(xiàn)代ddr3，高價(jià)收購現(xiàn)代DDR3.大量求購現(xiàn)代DDR3.深圳帝歐專業(yè)電子回收，帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com
2021-10-13 19:12:25
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2021-10-13 19:18:05
現(xiàn)在因?yàn)轫?xiàng)目需要，要用DDR3來實(shí)現(xiàn)一個(gè)4入4出的vedio frame buffer。因?yàn)槠邮褂玫氖莑attice的，參考設(shè)計(jì)什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來實(shí)現(xiàn)這個(gè)vedio
2015-08-27 14:47:57
大家好，我在DDR3規(guī)格中發(fā)現(xiàn)JEDEC79-3E定義VOH（DC）是DC輸出高測(cè)量級(jí)別（用于IV曲線線性）。但是沒有關(guān)于如何測(cè)量高輸出直流輸出的指南，特別是當(dāng)信號(hào)在高電壓時(shí)有環(huán)時(shí)，請(qǐng)參見附圖。誰能
2019-04-17 13:59:13
自建Spartan6 DDR3仿真平臺(tái)
2019-08-01 06:08:47
怎樣對(duì)DDR3芯片進(jìn)行讀寫控制呢？如何對(duì)DDR3芯片進(jìn)行調(diào)試？
2021-08-12 06:26:33
本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2021-04-20 06:30:52
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
正常啟動(dòng)。DDR 供應(yīng)商給的建議是之前 c die 是舊版 和Q DIE 制程不同需要主芯片廠確認(rèn)是否有驗(yàn)證這個(gè)必須主控驗(yàn)證，客戶可直接和主控確認(rèn)；如果主控已經(jīng)認(rèn)證客戶直接調(diào)試應(yīng)該就可以這個(gè)和選用的新的DDR3型號(hào)有關(guān)系么，還是直接調(diào)試相關(guān)參數(shù)就可以解決了？
2018-07-27 07:04:39
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 11:34 編輯
各位專家好！剛剛學(xué)習(xí)DSP,還沒有入門。實(shí)驗(yàn)室購買了TMS320C6678開發(fā)板。請(qǐng)問：1、為什么DSP需要外接DDR3?2
2018-06-20 00:40:57
iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場(chǎng)主流
11月24日消息，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測(cè)，DDR3(Double Data Rate 3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場(chǎng)出貨
2009-11-25 09:21:44511 DDR3將是2010年最有前景市場(chǎng)
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世
2009-12-15 10:28:14769 
臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13602 DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，
2010-01-18 16:04:441094 DDR3來臨2010年DRAM市場(chǎng)云開月明
2009年DRAM 市場(chǎng)烏云籠罩，廠商艱難度過黑暗時(shí)期，終于守得云開見月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲
2010-01-26 09:54:00549 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過DDR3
報(bào)道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價(jià)格有望在今年下半
2010-02-05 09:56:18955 Quamtum-SI DDR3仿真解析
Automated DDR3 Analysis
2010-04-29 09:00:114257 
據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM模組市場(chǎng)追蹤報(bào)告，由于速度更快和功耗較低，DDR3技術(shù)在2012年初幾乎完全統(tǒng)治了DRAM模組市場(chǎng)。第一季度DDR3模組出貨量達(dá)到1.507億個(gè)，占全球總體DRAM模組市場(chǎng)的87
2012-05-03 09:19:12871 
總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對(duì)于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:37
36 DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝，管腳露在芯片兩側(cè)的，測(cè)試起來相當(dāng)方便；但是，DDRII和III就不一樣了，
2017-11-06 13:44:108454 
雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮砜纯?b class="flag-6" style="color: red">DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2018-06-07 22:10:0091644 只要遵循適當(dāng)?shù)牟襟E，對(duì)KeyStone DSPs的DDR3 DRAM控制器的初始化是直接的。然而，如果省略了某些步驟，或者如果以錯(cuò)誤的順序執(zhí)行一些序列敏感的步驟，DDR3操作將是不可預(yù)測(cè)的。
2018-04-28 11:09:349 繼儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器價(jià)格走跌之后，原本報(bào)價(jià)尖挺的DRAM也開始松動(dòng)，其中，連續(xù)八季漲價(jià)的DDR3率先走跌，臺(tái)灣包括晶豪科、南亞科等業(yè)者都以DDR3為主要產(chǎn)品，將首當(dāng)其沖。
2018-08-08 10:31:143377 我們通過Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量，封裝，速度等級(jí)等信息。
2019-03-03 11:04:151909 
DDR3 SDRAM是DDR3的全稱，它針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)，與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢(shì)。
2019-10-29 08:00:000 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計(jì)，二、DDR電路的信號(hào)完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計(jì)建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:000 從成本的角度來看，DDR3也許的確要比DDR4低一些，所以從這個(gè)角度可以講通。
2020-09-08 16:28:234062 據(jù)外媒消息，日益嚴(yán)重的DDR3短缺，導(dǎo)致價(jià)格飛漲，三星電子也因此放緩了減少低密度DRAM產(chǎn)能的計(jì)劃。
2021-03-19 10:45:261622 DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點(diǎn)相比DDR3，DDR4存在諸多變更點(diǎn)，其中與硬件設(shè)計(jì)直接相關(guān)的變更點(diǎn)主要有：? 增加Vpp電源；? VREFDQ刪除；? CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為
2021-11-06 20:36:0028 是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。DDR的核心...
2021-11-10 09:51:03154 ??這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測(cè)試?yán)蹋琕ivado也提供了一個(gè)DDR的example，但卻是純Verilog代碼，比較復(fù)雜，這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下，用很簡單的程序就可以進(jìn)行DDR3的測(cè)試。
2022-08-16 10:28:581241 一、DDR3簡介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步，是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915 DDR3 SDRAM使用雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高速操作。雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)是一種8n預(yù)取架構(gòu)，其接口經(jīng)過設(shè)計(jì)，可在I/O引腳上每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。
DDR3 SDRAM的單個(gè)讀或?qū)懖僮饔行У匕?/div>
2023-02-06 10:12:003 本文介紹一個(gè)FPGA開源項(xiàng)目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19743 
摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101089 DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56517 
是目前使用最為廣泛的計(jì)算機(jī)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它已經(jīng)服務(wù)了計(jì)算機(jī)用戶多年。但是，DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進(jìn)步，成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細(xì)介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1600MHz，而DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003901 法人方面解釋說：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無法與之抗衡?！痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下，臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲，給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 已全部加載完成
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