PCB布線設(shè)計(jì)時(shí)寄生電容的計(jì)算方法
在PCB上布兩條靠近的走線,很容易產(chǎn)生寄生電容。由于這種寄生電容的存在,
2009-09-30 15:13:33
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在被測(cè)點(diǎn)阻抗較高時(shí),即使該點(diǎn)僅有較小的電容,其帶寬也會(huì)受限。在基于磁簧繼電器的多路選擇器中,由于各磁簧繼電器的寄生電容會(huì)在輸出端并聯(lián),加大了輸出端的電容,使得電路的帶寬變窄。
2018-12-14 15:14:47
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首先,我們介紹設(shè)計(jì)寄生電容對(duì)三極管產(chǎn)生的影響;然后,我們學(xué)習(xí)上拉電阻和下拉電阻的含義以及在電路中的使用方法。
2019-05-20 07:28:00
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我們應(yīng)該都清楚,MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層,因此柵源和柵漏之間必然存在一個(gè)寄生電容CGS和CGD,溝道未形成時(shí),漏源之間也有一個(gè)寄生電容CDS,所以考慮寄生電容時(shí),MOSFET
2021-01-08 14:19:59
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寄生電容有一個(gè)通用的定義:寄生電容是存在于由絕緣體隔開(kāi)的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容(通常不需要的),是PCB布局中的一種效應(yīng),其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好像就是電容,但其實(shí)并不是真正的電容。
2024-01-18 15:36:14
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,由于干擾源的不確定性,串擾噪聲一般會(huì)同時(shí)影響信號(hào)的邊沿和幅度。因此,對(duì)于串擾來(lái)說(shuō)兩個(gè)方面的影響都應(yīng)該考慮。串擾形成的根源在于耦合。在多導(dǎo)體系統(tǒng)中,導(dǎo)體間通過(guò)電場(chǎng)和磁場(chǎng)發(fā)生耦合。這種耦合會(huì)把信號(hào)的一部分能量傳遞到鄰近的導(dǎo)體上,從而形成噪聲。耦合的方式主要有兩種:1、容性耦合。2、感性耦合。
2019-05-31 06:03:14
。兩根線(也包括PCB的薄膜布線)獨(dú)立的情況下,相互間應(yīng)該不會(huì)有電氣信號(hào)和噪聲等的影響,但尤其是兩根線平行的情況下,會(huì)因存在于線間的雜散(寄生)電容和互感而引發(fā)干擾。所以,串擾也可以理解為感應(yīng)噪聲
2018-11-29 14:29:12
電容會(huì)進(jìn)一步減小,這種現(xiàn)象正是使用隔離底線抑制串擾的出發(fā)點(diǎn)之一。圖2.容性耦合(Capacitive coupling)感性耦合如果一條走線上有數(shù)字信號(hào)傳輸,在信號(hào)電平跳變過(guò)程中,即信號(hào)處于跳變邊沿
2018-12-24 11:56:24
所謂串擾,是指有害信號(hào)從一個(gè)傳輸線耦合到毗鄰傳輸線的現(xiàn)象,噪聲源(攻擊信號(hào))所在的信號(hào)網(wǎng)絡(luò)稱為動(dòng)態(tài)線,***擾的信號(hào)網(wǎng)絡(luò)稱為靜態(tài)線。串擾產(chǎn)生的過(guò)程,從電路的角度分析,是由相鄰傳輸線之間的電場(chǎng)(容性)耦合和磁場(chǎng)(感性)耦合引起,需要注意的是串擾不僅僅存在于信號(hào)路徑,還與返回路徑密切相關(guān)。
2019-08-02 08:28:35
低頻下,所有三種電容器均未表現(xiàn)出寄生分量,因?yàn)樽杩姑黠@只與電容相關(guān)。但是,鋁電解電容器阻抗停止減小,并在相對(duì)低頻時(shí)開(kāi)始表現(xiàn)出電阻特性。這種電阻特性不斷增加,直到達(dá)到某個(gè)相對(duì)高頻為止(電容器出現(xiàn)電感)。鋁聚合物電容器為與理想狀況不符的另一種電容器。
2019-08-15 06:33:32
紋波電壓波形中都能看到其某些部分。圖2:電容器及其寄生要素在連續(xù)同步降壓調(diào)節(jié)器中形成不同的紋波電壓圖3顯示了一個(gè)深度連續(xù)反激或者降壓調(diào)節(jié)器的波形,其輸出電容器電流可以為正和負(fù),而具體狀態(tài)會(huì)不斷快速變化
2018-09-29 09:22:17
寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串聯(lián),在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。
2019-09-29 10:20:26
寄生電容的影響是什么?焊接對(duì)無(wú)源器件性能的影響是什么?
2021-06-08 06:05:47
和噪聲等的影響,但尤其是兩根線平行的情況下,會(huì)因存在于線間的雜散(寄生)電容和互感而引發(fā)干擾。所以,串擾也可以理解為感應(yīng)噪聲。
2019-08-08 06:21:47
在LTC6268-10芯片手冊(cè)中,為了減小寄生反饋電容的影響,采用反饋電阻分流的方式減小寄生電容。
請(qǐng)問(wèn),在這種工作方式下,為了使寄生電容降到最低,對(duì)電路板的材料類型和厚度有什么要求嗎?
2023-11-16 06:28:44
MOSFET的工作波形。由于感性負(fù)載下,電流相位上會(huì)超前電壓,因此保證了MOSFET運(yùn)行的ZVS。要保證MOSFET運(yùn)行在感性區(qū),諧振電感上的諧振電流必須足夠大,以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲(chǔ)
2018-11-21 15:52:43
感性負(fù)載下,電流相位上會(huì)超前電壓,因此保證了MOSFET運(yùn)行的ZVS。要保證MOSFET運(yùn)行在感性區(qū),諧振電感上的諧振電流必須足夠大,以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲(chǔ)的電荷可以在死區(qū)時(shí)間內(nèi)被
2018-07-13 09:48:50
)越快,產(chǎn)生的串擾也就越大??臻g中耦合的電磁場(chǎng)可以提取為無(wú)數(shù)耦合電容和耦合電感的集合,其中由耦合電容產(chǎn)生的串擾信號(hào)在受害網(wǎng)絡(luò)上可以分成前向串?dāng)_和反向串擾Sc,這個(gè)兩個(gè)信號(hào)極性相同;由耦合電感產(chǎn)生的串擾信號(hào)
2009-03-20 14:04:47
信號(hào)沿的變化(轉(zhuǎn)換率)越快,產(chǎn)生的串擾也就越大??臻g中耦合的電磁場(chǎng)可以提取為無(wú)數(shù)耦合電容和耦合電感的集合,其中由耦合電容產(chǎn)生的串擾信號(hào)在受害網(wǎng)絡(luò)上可以分成前向串?dāng)_和反向串擾Sc,這個(gè)兩個(gè)信號(hào)極性相同;由
2018-08-29 10:28:17
沿的變化(轉(zhuǎn)換率)越快,產(chǎn)生的串擾也就越大。 空間中耦合的電磁場(chǎng)可以提取為無(wú)數(shù)耦合電容和耦合電感的集合,其中由耦合電容產(chǎn)生的串擾信號(hào)在受害網(wǎng)絡(luò)上可以分成前向串?dāng)_和反向串擾Sc,這個(gè)兩個(gè)信號(hào)極性相同;由
2020-06-13 11:59:57
)所示。 圖13W規(guī)則只是一個(gè)籠統(tǒng)的規(guī)則,在實(shí)際的PCB設(shè)計(jì)中,若死板地按照3W規(guī)則來(lái)設(shè)計(jì)會(huì)導(dǎo)致成本的增加。無(wú)法滿足3W規(guī)則時(shí),可以通過(guò)對(duì)串擾的量化的理解,來(lái)改變一些其他的參數(shù)保持信號(hào)完整性。2.串
2014-10-21 09:53:31
飽和現(xiàn)象。 圖11 圖11為RT=0.3ns,L=2000mil,線間距從3mil變化至12mil時(shí)串擾的變化。4. 結(jié)論在實(shí)際的工程操作中,高速信號(hào)線一般很難調(diào)節(jié)其信號(hào)的上升時(shí)間,為了減少串擾,我們
2014-10-21 09:52:58
寄生電容是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,一個(gè)電阻的串聯(lián),低頻情況下表現(xiàn)不明顯,而高頻情況下,等效值會(huì)增大。在計(jì)算中我們要考慮
2021-01-11 15:23:51
串擾串擾的途徑:容性耦合和感性耦合。串擾發(fā)生在兩種不同情況:互連性為均勻傳輸線(電路板上大多數(shù)線)非均勻線(接插件和封裝)近端遠(yuǎn)端串擾各不同。返回路徑是均勻平面時(shí)是實(shí)現(xiàn)最低串擾的結(jié)構(gòu)。通常發(fā)生這種
2017-11-27 09:02:56
。兩根線(也包括PCB的薄膜布線)獨(dú)立的情況下,相互間應(yīng)該不會(huì)有電氣信號(hào)和噪聲等的影響,但尤其是兩根線平行的情況下,會(huì)因存在于線間的雜散(寄生)電容和互感而引發(fā)干擾。所以,串擾也可以理解為感應(yīng)噪聲
2019-03-21 06:20:15
什么是串擾?互感和互容電感和電容矩陣串擾引起的噪聲
2021-02-05 07:18:27
航空通信系統(tǒng)變得日益復(fù)雜,我們通常需要在同一架飛機(jī)上安裝多條天線,這樣可能會(huì)在天線間造成串擾,或稱同址干擾,影響飛機(jī)運(yùn)行。在本教程模型中,我們利用COMSOL Multiphysics 5.1 版本模擬了飛機(jī)機(jī)身上兩個(gè)完全相同的天線之間的干擾,其中一個(gè)負(fù)責(zé)發(fā)射,另一個(gè)負(fù)責(zé)接收,以此來(lái)分析串擾的影響。
2019-08-26 06:36:54
橫截面的幾何結(jié)構(gòu)(幾何結(jié)構(gòu)決定電場(chǎng)分布,電場(chǎng)分布決定有效介電常數(shù))。嚴(yán)格來(lái)說(shuō),不管是延遲還是時(shí)延都取決于導(dǎo)體周圍的有效介電常數(shù)。在微帶線中,有效介電常數(shù)受橫截面的幾何結(jié)構(gòu)影響比較大;而串擾,其有效
2015-01-05 11:02:57
串擾信號(hào)產(chǎn)生的機(jī)理是什么串擾的幾個(gè)重要特性分析線間距P與兩線平行長(zhǎng)度L對(duì)串擾大小的影響如何將串擾控制在可以容忍的范圍
2021-04-27 06:07:54
在高壓回路中,正負(fù)極對(duì)地會(huì)產(chǎn)生一個(gè)寄生電容,而寄生電容與回路中的電阻會(huì)組成一個(gè)RC充放電電路。在使用國(guó)標(biāo)電流橋檢測(cè)電路方法時(shí),正負(fù)極對(duì)地的寄生電容和電阻的大小會(huì)影響到AD采集。在RC充滿的時(shí)間一般為3RC以上,在此過(guò)程中如何探討RC電路充滿電壓的時(shí)間?
2020-07-27 23:14:10
,同樣對(duì)傳輸線2有 。 圖1 雙傳輸線系統(tǒng)中電容示意圖在實(shí)際的電路PCB中,往往N多條傳輸線共存,如果要考慮所有傳輸線間的串擾情況,那將是非常復(fù)雜的N階矩陣。信號(hào)間串擾信號(hào)的仿真分析一般通過(guò)電磁場(chǎng)仿真器
2016-10-10 18:00:41
。 由以上兩式,我們可以看出遠(yuǎn)端串擾總噪聲由于容性和感性耦合的極性關(guān)系而相互消減,即遠(yuǎn)端串擾是可以消除的。在PCB布線中,帶狀線(Stripline) 電路更能夠顯示感性和容性耦合之間很好的平衡,其
2018-09-11 15:07:52
從開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容(100毫微微法拉)會(huì)讓您無(wú)法滿足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢?在Digi-Key中,這種電容器不多。即使有,它們也會(huì)因寄生問(wèn)題而提
2019-05-14 08:00:00
在嵌入式系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)中,串擾是硬件工程師必須面對(duì)的問(wèn)題。特別是在高速數(shù)字電路中,由于信號(hào)沿時(shí)間短、布線密度大、信號(hào)完整性差,串擾的問(wèn)題也就更為突出。設(shè)計(jì)者必須了解串擾產(chǎn)生的原理,并且在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)用恰當(dāng)?shù)姆椒?,?b class="flag-6" style="color: red">串擾產(chǎn)生的負(fù)面影響降到最小。
2019-11-05 08:07:57
大部分傳導(dǎo) EMI 問(wèn)題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問(wèn)題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。對(duì)于該討論主題的第 1 部分,我們著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時(shí)會(huì)發(fā)生的情況1. 只需
2022-11-22 07:29:30
貼片晶振的PCB layout需要注意哪些晶振相鄰層挖空是如何控制寄生電容Cp的呢?為什么溫度會(huì)影響晶振頻率呢?
2021-02-26 07:43:28
VDMOS的基本原理一種減小寄生電容的新型VDMOS結(jié)構(gòu)介紹
2021-04-07 06:58:17
也是基于電容的特性,下面將從結(jié)構(gòu)上介紹這些寄生電容,然后理解這些參數(shù)在功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的定義,以及它們的定義條件。1、功率MOSFET數(shù)據(jù)表的寄生電容溝槽型功率MOSFET的寄生電容的結(jié)構(gòu)如圖
2016-12-23 14:34:52
;Verdana">磁芯對(duì)電感寄生電容的影響分析</font></strong&
2009-12-23 16:07:01
途徑,異步信號(hào)線,控制線,和IO口走線上,它會(huì)使電路或者元件出現(xiàn)功能不正常的現(xiàn)象。 串擾中的信號(hào)耦合分為容性耦合和感性耦合,通常感性串擾占的比例大于容性串擾。
2020-11-02 09:19:31
可知,在多負(fù)載的Fly_By鏈路中,由于分支Stub,過(guò)孔寄生電容,芯片封裝電容和Die電容等因素,導(dǎo)致負(fù)載呈容性,使得信號(hào)在支路部分感受到的阻抗將會(huì)比實(shí)際走線阻抗偏低。而容性負(fù)載補(bǔ)償就是事先將支路部分
2023-05-16 17:57:26
噪聲的傳導(dǎo)回路面積較大,進(jìn)一步推動(dòng)輻射發(fā)射的產(chǎn)生。
在第 3 部分
中,我將全面介紹降壓穩(wěn)壓器電路中影響 EMI 性能和開(kāi)關(guān)損耗的感性和
容性寄生元素。通過(guò)了解相關(guān)電路
寄生效應(yīng)的影響程度,可以采取適當(dāng)?shù)拇胧?/div>
2020-11-03 07:54:52
檢驗(yàn)具有高轉(zhuǎn)換率電流的關(guān)鍵回路寄生組分和輻射EMI功率級(jí)寄生電容EMI頻率范圍和耦合模式
2021-02-24 08:01:34
,寄生電容的影響已經(jīng)不能忽視了。在系統(tǒng)中,這些不期望的電容來(lái)自方方面面,比如PCB的材質(zhì)、厚度、板層結(jié)構(gòu)、走線平行度,這些都是影響PCB板的寄生電容,還有元器件本身的寄生電容,最可惡的是這些東西還受
2020-12-15 15:48:52
變高,邊沿變陡,印刷電路板的尺寸變小,布線密度加大等都使得串擾在高速PCB設(shè)計(jì)中的影響顯著增加。串擾問(wèn)題是客觀存在,但超過(guò)一定的界限可能引起電路的誤觸發(fā),導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法正常工作。設(shè)計(jì)者必須了解串擾產(chǎn)生
2009-03-20 13:56:06
產(chǎn)生的串擾隨受干擾線路負(fù)載阻抗的增大而增大,所以減小負(fù)載可以減小耦合干擾的影響;
??;??? [td]2)盡量增大可能發(fā)生容性耦合導(dǎo)線之間的距離,更有效的做法是在導(dǎo)線間用地線隔離
2018-08-28 11:58:32
和遠(yuǎn)端串擾這種方法來(lái)研究多線間串擾問(wèn)題。利用Hyperlynx,主要分析串擾對(duì)高速信號(hào)傳輸模型的侵害作用并根據(jù)仿真結(jié)果,獲得了最佳的解決辦法,優(yōu)化設(shè)計(jì)目標(biāo)?!娟P(guān)鍵詞】:信號(hào)完整性;;反射;;串擾;;近
2010-05-13 09:10:07
電容器的寄生作用與雜散電容.pdf
2006-04-04 23:33:03
0 鐵氧體電感器在較高頻率時(shí)可等效為“電阻、電感”的串聯(lián)支路與一寄生電容的并聯(lián),該電容的存在對(duì)電感器的高頻性能有重要影響。本文建立了鐵氧體環(huán)形電感器2D平行平面場(chǎng)和3D
2009-04-08 15:45:17
66 寄生電容對(duì)電磁干擾濾濾器效能的影響
本文將針對(duì)交換式電源供應(yīng)器在高頻切換所帶來(lái)的傳導(dǎo)性電磁干擾(Conducted Electromagnetic Interference)問(wèn)題,藉由不同繞
2010-06-19 16:30:37
54 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比,它的開(kāi)關(guān)速度快,開(kāi)關(guān)損耗小,輸入電阻高,驅(qū)動(dòng)電流小,頻率特性好,跨導(dǎo)高度線性
2009-11-25 17:49:50
1003 電容器的寄生作用與雜散電容
電容器的寄生作用問(wèn):我想知道如何為具體的應(yīng)用選擇合適的電容器,但我又不清楚許多不同種類 的電容器有哪些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)?
2009-11-26 10:44:19
2130 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比,它的開(kāi)關(guān)速度快,開(kāi)關(guān)損耗小,輸入電阻高,驅(qū)動(dòng)電流小,頻率特性好,跨
2009-11-27 09:24:23
613 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比,它的開(kāi)關(guān)速度快,開(kāi)關(guān)損耗小,輸入電阻高,驅(qū)動(dòng)
2010-01-11 10:24:05
1321 寄生電容,寄生電容是什么意思
寄生的含義 寄身的含義就是本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線構(gòu)之間總是有互容,互
2010-03-23 09:33:55
2558 電容器的寄生作用與雜散電容
電容器的寄生作用問(wèn):我想知道如何為具體的應(yīng)用選擇合適的電容器,但我又不清楚許多不同種類 的電容器有哪
2010-01-04 17:03:54
1297 
電容器的寄生作用與雜散電容,還不錯(cuò)哦
2016-06-15 15:53:57
6 電磁干擾EMI中電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)是通過(guò)導(dǎo)線或公共電源線進(jìn)行傳輸,互相產(chǎn)生干擾稱為傳導(dǎo)干擾。傳導(dǎo)干擾給不少電子工程師帶來(lái)困惑,如何解決傳導(dǎo)干擾?這里,我們先著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入
2018-05-18 01:17:00
2785 
電容器的寄生作用與雜散電容
2017-01-28 21:32:49
5 二極管以其單向?qū)щ娞匦?,在整流開(kāi)關(guān)方面發(fā)揮著重要的作用;其在反向擊穿狀態(tài)下,在一定電流范圍下起到穩(wěn)壓效果。令人意外的是,利用二極管的反偏壓結(jié)電容,能夠有效地減少信號(hào)線上的接入寄生電容,這里將近一步討論這個(gè)運(yùn)用。
2017-03-21 11:31:30
3813 
升壓設(shè)計(jì)中最關(guān)鍵的部件之一像圖1是變壓器。變壓器的寄生組件,可以使他們偏離它們的理想特性和寄生電容與二次關(guān)聯(lián)可引起大共鳴開(kāi)關(guān)電流前沿的電流尖峰波形。這些尖峰可以導(dǎo)致調(diào)節(jié)器顯示表現(xiàn)為義務(wù)的不穩(wěn)定的操作
2017-05-02 14:15:40
19 寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串連,在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。
2018-01-31 10:09:29
21526 
寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串連,在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。
2018-01-31 10:57:56
26012 電容的寄生電感和寄生電阻主要是指它的引線和極板形成的電感和電阻,尤其是容量較大的電容更為明顯。如果你解剖過(guò)電容器,會(huì)看到它的極板是用長(zhǎng)達(dá)1米的金屬薄膜卷曲而成的,其層狀就像一個(gè)幾十、甚至上百圈的線圈
2018-01-31 13:44:55
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本文首先介紹了寄生電容的概念,其次介紹了寄生電容產(chǎn)生的原因,最后介紹了寄生電容產(chǎn)生的危害。
2019-04-30 15:39:37
28588 分布電容強(qiáng)調(diào)的是均勻性。寄生跟強(qiáng)調(diào)的是意外性,指不是專門(mén)設(shè)計(jì)成電容,卻有著電容作用的效應(yīng),比如三極管極間電容。單點(diǎn)說(shuō),兩條平行走線之間會(huì)產(chǎn)生分布電容,元器件間在高頻下表現(xiàn)出來(lái)的容性叫寄生電容。
2019-04-30 15:56:30
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減小電感寄生電容的方法
如果磁芯是導(dǎo)體,首先:
用介電常數(shù)低的材料增加繞組導(dǎo)體與磁芯之間的距離
2019-07-18 08:00:00
1 寄生電感一半是在PCB過(guò)孔設(shè)計(jì)所要考慮的。在高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)中,過(guò)孔的寄生電感帶來(lái)的危害往往大于寄生電容的影響。它的寄生串聯(lián)電感會(huì)削弱旁路電容的貢獻(xiàn),減弱整個(gè)電源系統(tǒng)的濾波效用。我們可以用下面的公式來(lái)簡(jiǎn)單地計(jì)算一個(gè)過(guò)孔近似的寄生電感。
2019-10-11 10:36:33
19064 在產(chǎn)品的EMC設(shè)計(jì)中,對(duì)PCB和物理結(jié)構(gòu)的EMC評(píng)估,是非常重要的一環(huán),往往還具有決定性作用。一個(gè)比較優(yōu)秀的設(shè)計(jì),應(yīng)該可以較大程度地避免干擾電流流過(guò)產(chǎn)品內(nèi)部電路,并將其導(dǎo)向大地。
2020-03-31 16:10:30
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寄生的含義就是本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容,又稱雜散電容。
2020-09-17 11:56:11
27673 寄生電容是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,一個(gè)電阻的串聯(lián),低頻情況下表現(xiàn)不明顯,而高頻情況下,等效值會(huì)增大。在計(jì)算中我們要考慮進(jìn)去。
2020-10-09 12:04:17
34949 AN39-升壓變壓器設(shè)計(jì)中的寄生電容效應(yīng)
2021-04-28 17:42:25
4 的,今天我們就來(lái)講解一下,對(duì)于理想的MOS器件來(lái)說(shuō),我們只考慮器件本身,而不考慮MOS的寄生電容的話,那么是無(wú)需考慮驅(qū)動(dòng)電流的大小的。相信大家都聽(tīng)過(guò)一個(gè)名詞,叫寄生電容,也叫雜散電容,是電路中電子元件
2022-04-07 09:27:12
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Q=CU,在相同電壓下,電容越大,所能儲(chǔ)存的電荷就越多。 簡(jiǎn)單來(lái)講,任何兩個(gè)面之間都有寄生電容。但同樣,這兩個(gè)面的大小,位置關(guān)系,兩個(gè)面中間的介質(zhì)材料等因素都會(huì)影響寄生電容的大小。舉個(gè)例子,變壓器的每匝導(dǎo)線間,都會(huì)有寄生電容,
2022-07-27 14:23:55
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繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后,本篇就作為功率開(kāi)關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說(shuō)明。MOSFET的寄生電容:MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:24
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作者:泛林集團(tuán)半導(dǎo)體工藝與整合工程師 Sumant Sarkar 使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測(cè)寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型 減少柵極金屬和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容
2023-03-28 17:19:08
559 
來(lái)源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志 作者:Sumant Sarkar, 泛林集團(tuán)半導(dǎo)體工藝與整合工程師 使用Coventor SEMulator3D? 創(chuàng)建可以預(yù)測(cè)寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型 減少柵極金屬
2023-06-02 17:31:46
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本文要點(diǎn)寄生電容的定義寄生電容影響電路機(jī)理消除寄生電容的方法當(dāng)你想到寄生蟲(chóng)時(shí),你可能會(huì)想到生物學(xué)上的定義——一種生活在宿主身上或在宿主體內(nèi)的有機(jī)體,從宿主身上吸取食物。從這個(gè)意義上說(shuō),寄生蟲(chóng)可能是
2022-05-31 11:09:01
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使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測(cè)寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型
2023-07-06 17:27:02
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寄生電容有一個(gè)通用的定義:寄生電容是存在于由絕緣體隔開(kāi)的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容(通常不需要的),是 PCB 布局中的一種效應(yīng),其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好像就是電容,但其實(shí)并不是真正的電容。
2023-07-24 16:01:36
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pcb連線寄生電容一般多少 隨著電子產(chǎn)品制造技術(shù)的成熟和發(fā)展,隨之而來(lái)的是布線技術(shù)的迅速發(fā)展。不同的 PCB 布線技術(shù)對(duì)于電路性能的影響不同,而其中最常見(jiàn)的問(wèn)題之一就是 PCB 連線寄生電容。這種
2023-08-27 16:19:44
1608 許多優(yōu)點(diǎn),但由于它們的關(guān)斷速度受到所謂的寄生電容影響,使其對(duì)快速切換應(yīng)用有限制。因此,理解寄生電容對(duì)MOS管快速關(guān)斷的影響至關(guān)重要。在本文中,我們將探討MOS管寄生電容的作用以及如何減輕其對(duì)快速關(guān)斷的影響。 MOS管的寄生電容: 在MOS管中,寄生電容產(chǎn)生的原因是因?yàn)楫?dāng)
2023-09-17 10:46:58
1244 電容器的寄生作用與雜散電容
2022-12-30 09:21:51
3 電容器的寄生作用與雜散電容
2023-03-01 15:37:55
1 SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
2023-12-05 14:31:21
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寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長(zhǎng)度、器件之間的物理距離等因素引起的。
2024-02-21 09:45:35
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評(píng)論