方案應(yīng)用:森利威爾SL3160 150V耐壓IC替代PN6005、PN6006電源芯片概述SL3160 是一款用于開(kāi)關(guān)電源的內(nèi)置150V 高壓MOSFET 的DC-DC 控制器。SL3160 內(nèi)置
2023-02-01 10:00:38
(TO-252)低開(kāi)啟電壓1.6V低內(nèi)阻低結(jié)電容低開(kāi)啟電壓溫升低轉(zhuǎn)換效率高過(guò)電流大抗沖擊能力強(qiáng)公司主營(yíng)產(chǎn)品:30V、60V、100V、150V全系列nmos管,2N10、3N10、4N10、5N
2020-11-11 17:10:06
MIC4414YFT EV,MIC4414評(píng)估板是一款低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于在低側(cè)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中切換N溝道增強(qiáng)型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開(kāi)啟 低結(jié)電容東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司專(zhuān)業(yè)從事DC-DC中低壓MOS管市場(chǎng),專(zhuān)注中低壓MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售
2020-09-24 16:34:09
報(bào)告。功能框圖特性描述以下各節(jié)介紹了DRV8303的特性:三相門(mén)驅(qū)動(dòng)器半橋驅(qū)動(dòng)器使用帶涓流充電泵的引導(dǎo)配置來(lái)支持100%的占空比操作。每個(gè)半橋被配置成驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道mosfet,一個(gè)用于高壓側(cè),一個(gè)用于
2020-09-14 17:31:17
`惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】專(zhuān)注中低壓MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售?;莺0雽?dǎo)體提供30V -150V系列中低壓NMOS管,廠家直銷(xiāo),質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 ,大量現(xiàn)貨?;莺0雽?dǎo)體MOS管廣泛運(yùn)用于LED
2021-02-02 16:19:12
方案:電動(dòng)車(chē)儀表盤(pán)、控制器專(zhuān)用芯片,替代PN6005描述SL3150是一款降壓調(diào)節(jié)器,它提供精確的恒定電壓(CV)無(wú)光耦合器調(diào)節(jié)。它有一個(gè)集成150V MOSFET以簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)和降低成本。這些特征使其
2022-06-17 10:22:35
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
MOSFET的區(qū)別N 溝道和 P 溝道 MOSFET 之間的主要區(qū)別在于,N 溝道通常連接到負(fù)載(被供電的器件)的接地 (-) 側(cè),而 P 溝道連接到 VCC (+)側(cè)。為什么你必須將一個(gè)與消極聯(lián)系起來(lái)
2023-02-02 16:26:45
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS(ON)<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS(ON)和低門(mén)電荷。[td=331]◆RDS(ON)
2018-11-16 13:42:48
/場(chǎng)效應(yīng)管:100V5A封裝:SOT-23溝道:N溝道,產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,廣泛運(yùn)用于LED電源,充電器,小家電,電源,混色LED燈等電子產(chǎn)品,公司免費(fèi)提供HC510樣品,并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持產(chǎn)品型號(hào)
2020-07-24 17:25:11
功率MOSFET有二種類(lèi)型:N溝通和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中,選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
180度?! 「叨?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)器 高端驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)浮動(dòng)低RDS(ON)N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電源和下沉柵極電流的最大輸出電阻為5Ω。低輸出電阻允許驅(qū)動(dòng)器在3nF負(fù)載下有20ns的上升和下降時(shí)間。高壓側(cè)
2020-07-21 15:49:18
、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼相框、計(jì)步器、電子稱、搖控器、GPS、機(jī)頂盒、手電筒、礦燈、燈飾品、電子禮品)我司還提供以下MOS管產(chǎn)品:SL2302N溝道SOT23-3 20V4.2A可替代
2020-06-10 14:03:57
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS(αMOSLV)技術(shù),具有極低的RDS(on),低柵極電壓和高電流能力,非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
DVRFD631-150,開(kāi)發(fā)板是一種通用電路板,旨在簡(jiǎn)化IXRFD631柵極驅(qū)動(dòng)器的評(píng)估,并為電源電路開(kāi)發(fā)提供構(gòu)建模塊。 IXRFD631柵極驅(qū)動(dòng)器出廠時(shí)已安裝在評(píng)估板上,并經(jīng)過(guò)全面測(cè)試。電路板設(shè)計(jì)允許將驅(qū)動(dòng)器和MOSFET連接到散熱器,這樣做可以將電路板組件用作接地參考的低側(cè)電源開(kāi)關(guān)
2019-08-07 08:48:20
ETA7008是一個(gè)低側(cè)過(guò)電壓保護(hù)(OVP)芯片,其僅有34mΩ開(kāi)關(guān)阻抗。它使用了一個(gè)低側(cè)保護(hù)拓?fù)浼軜?gòu),確保了非常低的導(dǎo)通阻抗和高壓保護(hù)能力。ETA7008內(nèi)部電路由一個(gè)電壓比較器,一個(gè)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器
2019-12-04 20:02:49
H6203G 是一款150V高耐壓芯片支持100V轉(zhuǎn)3.3V 100V轉(zhuǎn)5V 100V轉(zhuǎn)12V。
產(chǎn)品描述
H6203G是一種內(nèi)置150V耐壓MOS,支持輸入高達(dá)120V的高壓降壓開(kāi)關(guān)控制器,可以向負(fù)載
2024-01-26 14:13:26
概述:IRS26302DJBPF美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起,在最高20V
2021-05-18 07:25:34
獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。該輸出驅(qū)動(dòng)器有一個(gè)高脈沖電流緩沖級(jí),適用于最小的驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo),同時(shí)浮動(dòng)通道可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)工作在高達(dá)600V高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
MOSFET的浮柵驅(qū)動(dòng)。高速度(HS)比較器保護(hù)公共總線通過(guò)關(guān)閉短路的電源將MOSFET置于300ns以下并保證低反向當(dāng)前。一種外接電阻可編程HS檢測(cè)電平比較器允許用戶設(shè)置N溝道MOSFET
2020-09-28 16:35:05
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)上下功率而設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹_@些驅(qū)動(dòng)程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制器N溝道
2020-09-30 16:47:03
大家好,我使用兩個(gè) mosfet 作為開(kāi)關(guān)(為了打開(kāi)或關(guān)閉接觸器,打開(kāi)或關(guān)閉一些 PCB 等,不需要高頻),一個(gè)高側(cè) mosfet 和一個(gè)低側(cè) mosfet。我想用 L6395 驅(qū)動(dòng)程序控制它們
2022-12-14 08:26:16
程序?yàn)镾O-8和DFN10 3x3包裝電氣特性表5。電氣特性(VCC=12 V±15%,TJ=0°C至70°C,除非另有規(guī)定)設(shè)備說(shuō)明和操作L6743、L6743Q為高壓側(cè)和低壓側(cè)提供大電流驅(qū)動(dòng)控制N溝道
2020-09-22 16:32:27
LED驅(qū)動(dòng)芯片概述:LN2544 為一款高效率、降壓型、內(nèi)置高壓MOSFET 的恒流LED 驅(qū)動(dòng)電路。LN2544 采用固定關(guān)斷時(shí)間的峰值電流檢測(cè)模式,最高輸出電壓可達(dá)100V。芯片包括一個(gè)PWM
2014-05-12 11:32:13
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式,給方案設(shè)計(jì)帶來(lái)更多的選擇。半橋/全橋轉(zhuǎn)換器同步降壓、升降壓拓?fù)潆娮訜?、無(wú)線充 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電源電壓工作范圍為 4.5V
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
NCP5106BA36WGEVB,NCP5106,36 W鎮(zhèn)流器評(píng)估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC,提供兩路輸出,用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT,采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術(shù),以確保正確驅(qū)動(dòng)高端電源開(kāi)關(guān)。該驅(qū)動(dòng)程序使用2個(gè)獨(dú)立輸入
2019-10-12 10:31:24
本帖最后由 Sillumin驅(qū)動(dòng) 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC,提供兩個(gè)輸出,用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT,使用自舉技術(shù)
2021-11-23 13:57:47
NCP5181BAL36WEVB,NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評(píng)估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,提供兩路輸出,用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET,這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開(kāi)關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同,N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開(kāi)關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)
2018-03-03 13:58:23
典型應(yīng)用降壓配置中的模擬調(diào)光,當(dāng)VIN2超過(guò)150V時(shí),用于RT8485高壓大電流LED驅(qū)動(dòng)器控制器,用于降壓,升壓或降壓 - 升壓拓?fù)洹?RT8485是一款電流模式PWM控制器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)外部MOSFET,用于高電流LED應(yīng)用
2019-10-21 08:35:26
替代方案:SL3150 PIN對(duì)PIN 驪微 PN6005描述:SL3150 是一款降壓調(diào)節(jié)器,它提供精確的恒定電壓(CV)無(wú)光耦合器調(diào)節(jié)。它有一個(gè)集成150V MOSFE以簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)和降低成本。這些
2022-06-02 15:49:13
SL3160
150V/0.8A 開(kāi)關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器
概述
SL3160 是一款用于開(kāi)關(guān)電源的內(nèi)置150V 高壓MOSFET 的DC-DC 控制器。
SL3160 內(nèi)置高壓啟動(dòng)和自供電功能,可滿足
2023-09-18 14:44:25
SOT23-3L100V 3ASL2N15N溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道SOT23-3 -20V 4ASL3423P溝道
2020-07-02 10:34:17
SOT23-3L100V 3ASL2N15N溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道SOT23-3 -20V 4ASL3423P
2020-07-01 15:00:33
3ASL2N15N溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道SOT23-3 -20V 4ASL3423P溝道SOT23-3
2020-05-29 14:03:20
技術(shù)制造的單通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,并采用PowerSSO-36封裝。它旨在通過(guò)3V和5VCMOS兼容接口驅(qū)動(dòng)12V汽車(chē)接地負(fù)載,從而提供保護(hù)和診斷功能?! N7000AY集成了高級(jí)保護(hù)功能,例如負(fù)載電流
2020-06-30 16:58:08
記本電腦電源切換SCSI終端電源切換蜂窩電話電源管理電池充電和管理高端工業(yè)和汽車(chē)開(kāi)關(guān)步進(jìn)電機(jī)和直流電機(jī)控制說(shuō)明LTC1154單高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器允許使用低高側(cè)交換應(yīng)用的成本N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。內(nèi)部電荷泵提高柵極
2020-09-08 17:28:16
功能應(yīng)用程序四個(gè)獨(dú)立輸出,峰值>3A,1A繼電器和電磁閥驅(qū)動(dòng)器連續(xù)電流能力高阻抗汽車(chē)噴油器驅(qū)動(dòng)器最大導(dǎo)通電阻為1.3?溫度燈驅(qū)動(dòng)器每個(gè)開(kāi)關(guān)的真實(shí)瞬時(shí)功率限制電源切換開(kāi)關(guān)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器高生存電壓
2020-09-14 17:34:44
`描述KF2030是一個(gè)低側(cè)過(guò)電壓保護(hù)(OVP)芯片,其僅有34mΩ開(kāi)關(guān)阻抗。它使用了一個(gè)低側(cè)保護(hù)拓?fù)浼軜?gòu),確保了非常低的導(dǎo)通阻抗和高壓保護(hù)能力。KF2030內(nèi)部電路由一個(gè)電壓比較器,一個(gè)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器
2017-08-25 12:02:32
LTC1163的典型應(yīng)用 - 三路1.8V至6V高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LTC1163 / LTC1165三路低壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器可通過(guò)低至1.8V電源的廉價(jià)低RDS(ON)N通道開(kāi)關(guān)切換電源或接地參考負(fù)載
2020-04-17 10:09:17
MOSFET作為開(kāi)關(guān)使用串聯(lián)在電池負(fù)極和開(kāi)關(guān)電源負(fù)極之間,但總是燒壞MOSFET,MOSFET選用的是IXFN420N10T,Ids可達(dá)420A,Vds最大100V,而開(kāi)關(guān)電源是適配48V,電池是鉛酸電池
2016-09-06 12:51:58
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器?MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分?如何計(jì)算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
5A (5N10)SOT23-3封裝,內(nèi)阻155mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型號(hào); HC085N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V15ASOT89封裝,內(nèi)阻70mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)
2020-09-23 11:38:52
5A (5N10)SOT23-3封裝,內(nèi)阻155mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀型號(hào); HC085N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V15ASOT89封裝,內(nèi)阻70mR,可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)
2020-10-14 15:18:58
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)上下功率而設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。這些驅(qū)動(dòng)程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制器N溝道
2020-09-29 17:38:58
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V(絕對(duì)最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
,可以分別提供高達(dá)1A的灌電流和拉電流能力。該芯片還具有專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的內(nèi)置高速運(yùn)算放大器可提供出色的瞬態(tài)響應(yīng)特性。BD35395FJ-M終端穩(wěn)壓器IC需要提供3.3V或5.0V的偏置供電電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)內(nèi)置的N溝道
2019-04-28 05:31:27
的占空比。 調(diào)光驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)與LED串聯(lián)的外部n溝道MOSFET,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)20kHz的寬范圍調(diào)光控制。除PWM調(diào)光以外,MAX16834還通過(guò)REFI端DC輸入提供模擬調(diào)光??删幊涕_(kāi)關(guān)頻率
2021-05-17 06:49:06
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開(kāi)關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC。圖2:用自舉電路對(duì)高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
FAN7382MX 是一款單片半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器集成電路 FAN7382 可以驅(qū)動(dòng)最高在 +600V 下運(yùn)行的 MOSFET 和 IGBT。高電壓工藝和共模干擾抑制技術(shù)提供了高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
封裝內(nèi)集成了3個(gè)獨(dú)立芯片: P溝道MOSFET(高側(cè))、N溝道MOSFET(低側(cè))和采用半橋配置的驅(qū)動(dòng)器IC(圖2)。這些模塊采用創(chuàng)新的芯片堆疊和芯片相鄰封裝技術(shù),適用于空調(diào)風(fēng)扇、安全帶系統(tǒng)和燃油泵等
2018-12-07 10:14:08
了用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的Totem圖騰柱驅(qū)動(dòng)器,最簡(jiǎn)單的圖騰柱驅(qū)動(dòng)器如圖1所示,由一個(gè)NPN三極管和一個(gè)PNP三極管對(duì)管組成,有時(shí)候也會(huì)用一個(gè)N溝道MOSFET的一個(gè)P溝道MOSFET對(duì)管組成
2017-02-20 17:46:04
的無(wú)調(diào)節(jié)電源和3到5.5伏的邏輯電源。四個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)廣泛的N通道功率mosfet,并配置為兩個(gè)高端驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)低端驅(qū)動(dòng)器。A4940提供了所有必要的電路,以確保高壓側(cè)和低壓側(cè)外部mosfet的柵極
2020-09-29 16:51:51
的功率水平是需要設(shè)計(jì)師來(lái)確定什么
驅(qū)動(dòng)器和
MOSFET 使用在任何給定的系統(tǒng)。在使用各種電動(dòng)工具時(shí),適當(dāng)考慮這里的廣泛結(jié)果是設(shè)計(jì)過(guò)程中的關(guān)鍵步驟。大多數(shù)
驅(qū)動(dòng)器提供7
v 到13
v 的柵極
驅(qū)動(dòng)電壓???/div>
2022-04-14 14:43:07
直流5V升壓交流150V怎么來(lái)做,我知道要用變壓器,但是我不知道怎么搭建電路,變壓器要怎么來(lái)做?
2014-12-17 11:58:48
此圖是高壓正弦波放大電路,這個(gè)圖能自己產(chǎn)生正弦波,輸出幅度能達(dá)到峰峰值150V的要求嗎?對(duì)電路不是很了解,望高手分析,謝謝!
2018-12-28 11:32:49
現(xiàn)在在做一個(gè)500W的直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng),電機(jī)的額定電流30A左右。在網(wǎng)上看到的這類(lèi)驅(qū)動(dòng)多是H橋的。實(shí)際應(yīng)用中不需要正反轉(zhuǎn),只用PWM調(diào)速即可,請(qǐng)問(wèn)能否用一片MOSFET低側(cè)驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)N溝道的管子來(lái)驅(qū)動(dòng)這個(gè)電機(jī)呢,會(huì)不會(huì)有什么問(wèn)題呢。
2016-01-04 09:42:49
EVAL-CN0196-EB1Z,H橋驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板,采用隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器。 CN0196是由高功率開(kāi)關(guān)MOSFET組成的H橋,其由低壓邏輯信號(hào)控制。該電路在邏輯信號(hào)和高功率電橋之間提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
,新型高壓MOSFET使長(zhǎng)期困擾高壓MOSFET的導(dǎo)通壓降高的問(wèn)題得到解決;可簡(jiǎn)化整機(jī)設(shè)計(jì),如散熱器件體積可減少到原40%左右;驅(qū)動(dòng)電路、緩沖電路簡(jiǎn)化;具備抗雪崩擊穿能力和抗短路能力;簡(jiǎn)化保護(hù)電路并使整機(jī)
2023-02-27 11:52:38
概述:LT4254是一款高壓熱插撥 (Hot Swap?) 控制器允許電路板在帶電背板上安全地插撥。對(duì)于 10.8V 至 36V 范圍內(nèi)的供電電壓,一個(gè)內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器對(duì)高壓側(cè) N 溝道MOSFET的柵極進(jìn)行控制。
2021-04-08 07:50:07
MAX15054 高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器,用于HB LED驅(qū)動(dòng)器和DC-DC應(yīng)用
概述
MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器,高壓應(yīng)用中可工作在較高的開(kāi)關(guān)頻率
2010-01-28 08:43:04
1653 
高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:00
4947 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5,該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:27
1040 
式同步降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器 LTC3895,該器件可驅(qū)動(dòng)一個(gè)全 N 溝道 MOSFET 電源級(jí)。其 4V 至 140V (150V 絕對(duì)最大值) 輸入電壓范圍允許使用高壓輸入電源或具高壓浪涌的輸入工作,從而無(wú)需外部浪涌抑制器件。
2016-05-24 13:55:38
3609 ,簡(jiǎn)稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7003,該器件可采用高達(dá) 60V 的電源電壓工作。
2017-07-14 16:08:51
2045 ,簡(jiǎn)稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7004,該器件用高達(dá) 60V 的電源電壓運(yùn)行
2017-09-11 09:36:58
2795 
高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路:
2017-10-19 16:02:37
23 LTC7000 是一款快速、受保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,該器件包含一個(gè)內(nèi)部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無(wú)限期地保持導(dǎo)通。LTC7000 接收一個(gè)低電壓數(shù)字
2018-06-06 13:45:00
3638 
LTC?7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,采用高達(dá) 135V 的輸入電壓工作。該器件包含一個(gè)負(fù)責(zé)全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)的內(nèi)部充電泵,因而使其能夠無(wú)限期地保持導(dǎo)通。
2018-07-11 15:38:00
2998 
快速150V保護(hù)高側(cè)Driver_zh
2019-08-16 06:08:00
4422 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:11
3 150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:12
9 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:08
1 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:48
2 100mA 同步降壓型轉(zhuǎn)換器具備 150V 輸入能力且靜態(tài)電流僅為 12μA
2021-03-21 09:22:09
0 LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:31
6 LTC3894:150V低IQ降壓式DC/DC控制器,100%占空比性能產(chǎn)品手冊(cè)
2021-05-11 08:13:18
8 LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:14
6 LTC1693:高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:07
5 LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:19
3 LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:54
5 本演示電路是一款面向一般應(yīng)用的 N 溝道半橋。該半橋可用 TTL/CMOS 電平信號(hào)驅(qū)動(dòng)至負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET 的 LT?1336 中。獨(dú)立式高端驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器可實(shí)現(xiàn) 100% 占空比
2021-06-17 21:21:15
7 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源,其中
2022-04-01 09:12:42
2802 MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá)100V的電源電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。針對(duì)
2022-10-25 09:19:34
1347 
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無(wú)限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45
515 遠(yuǎn)小,但在某些應(yīng)用領(lǐng)域,P溝道MOSFET因其本身的電性特點(diǎn),有其不可替代性,目前驪微電子可提供-30~-150V,-3~-46A的P溝道MOSFET解決方案,封裝
2022-11-11 16:00:46
1194 
美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。MXT MV MOSFET,代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09
737 供應(yīng)貼片p溝道mos管-150v、-9ASVGP15161PL3A,提供SVGP15161PL3A供應(yīng)貼片p溝道mos管參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-10-10 16:08:09
3 EVAL-6ED2742S01QM1評(píng)估套件包括一塊三相逆變功率板,內(nèi)含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)六個(gè)額定電壓為150V
2023-11-17 17:08:41
534 
已全部加載完成
評(píng)論