的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至 150mm 以上，其 SmartSiC? 晶圓的研發(fā)水準再創(chuàng)新高，可滿足汽車市場不斷增長的需求。 ? 首批200mm SmartSiC?襯底誕生于 Soitec與CEA-Leti
2022-05-06 13:48:42
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Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors （ALLOS）達成了一項戰(zhàn)略舉措，展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍/綠光micro-LED的生產(chǎn)。維易科和ALLOS合作將其
2018-02-26 10:24:109432 IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團”）全球領先的化合物半導體晶圓產(chǎn)品和先進材料解決方案供應商，近日宣布將推出全新 8英寸 (200mm) 紅、綠、藍三色（ “RGB
2023-06-19 15:35:07422 
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡技術的并行發(fā)展共同助力提高設計和成本效率。5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導體到基站系統(tǒng)架構再到網(wǎng)絡拓撲的無線基礎設施。在半導體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-31 07:47:23
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
我國科學家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學新型半導體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的選擇?！ ∩罡h(huán)保 為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現(xiàn)有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術接近其發(fā)展極限，設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技術迭代。2018 年，氮化鎵技術走出實驗室，正式運用到充電器領域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統(tǒng)硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術，當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
時間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優(yōu)勢曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優(yōu)化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
。與典型的PN結MOSFET不同，GaN器件的雙向結構可以使用雙柵結構控制電流。用于電機驅(qū)動的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為
2019-03-14 06:45:11
首先報道了基于氮化鎵雙異質(zhì)結構、波長為402.5 nm的受激輻射。1996年日本日亞公司中村修二領導研制出世界上第一支GaN基紫光激光器。從此，波長為405 nm的氮化鎵紫光激光器的發(fā)展和應用推動
2020-11-27 16:32:53
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
內(nèi)的波長標準偏差標準為1.3nm，波長范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數(shù)在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產(chǎn)硅4545
2014-01-24 16:08:55
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未來可以做到10英寸、12英寸，整個晶圓的長度可以拉長至2米
2017-08-29 11:21:41
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
，可幫助系統(tǒng)設計人員簡化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結合
2017-08-03 10:11:14
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
在射頻領域采用硅基氮化鎵（GaN on Si）技術的供應商。我們采用硅基氮化鎵（GaN Si）技術以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的連續(xù)波（CW）射頻功率晶體管產(chǎn)品，支持頻率從DC到6GHz
2017-08-14 14:41:32
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
失真(DPD)來修正，但實踐表明，碳化硅基氮化鎵器件實現(xiàn)DPD優(yōu)化相當困難。碳化硅中的電荷捕獲效應被認為是由于其硅結構中的晶格 缺陷所致，最終導致功率放大器的線性化困難MACOM氮化鎵的功率密度是裸片
2017-08-30 10:51:37
是硅基氮化鎵技術。2017 電子設計創(chuàng)新大會展臺現(xiàn)場演示在2017年的電子設計創(chuàng)新大會上，MACOM上海無線產(chǎn)品中心設計經(jīng)理劉鑫表示，硅襯底有一些優(yōu)勢，材料便宜，散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領域
2017-07-18 16:38:20
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
STTS751溫度傳感器是否可以測量200mm到5mm變化距離的液體溫度呢？
2022-12-07 10:41:55
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術都在電動汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關
2018-07-19 16:30:38
的設計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
TI始終引領著提倡開發(fā)和實施全面性方法，確保在嚴苛操作環(huán)境下，GaN設備也能夠可靠地運行和具有出色的使用壽命。為此，我們用傳統(tǒng)的硅方法制作GaN的硅基，從而利用硅的內(nèi)在特性。
2019-07-31 06:19:34
買不到，200mm設備由于零配件的來源少，導致維護困難。這有可能導致二手設備的價格急劇上升，將使200mm生產(chǎn)線失去該有的吸引力?！ ?shù)據(jù)顯示，2016年年底全球有8英寸硅片月產(chǎn)能520萬片及12英寸
2017-08-23 10:14:39
運行時的電性能和效率要比傳統(tǒng)的硅材料高得多。對于已被實際使用的碳化硅半導體和氮化鎵半導體來說，其耐受電壓（高于標稱電壓，用于保持可靠性的基礎電壓）的需求是不同的。例如，碳化硅耐電壓大于或等于1000
2023-02-23 15:46:22
eMode硅基氮化鎵技術，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加，因此成本的控制非常關鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢，隨著硅基氮化鎵技術的成熟，它能以最大的性價比優(yōu)勢取得市場的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
（GaN）原廠來說尤為常見，其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開關性能所引起的測試難題，下游的氮化鎵應用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產(chǎn)品的電源，因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
我想了解關于LED關于外延片生長的結構，謝謝
2013-12-11 12:50:27
和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步：元器件選型對于工程師來說，GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢，但在設計上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
efficiency
65.3%
71.8%
表1：基于Si和氮化鎵器件逆變器的系統(tǒng)的效率比較。扭矩和速度用傳感器測量。
表1展示出當基于硅器件的 20 kHz 逆變器轉(zhuǎn)為采用氮化鎵器件的100 kHz 逆變器
2023-06-25 13:58:54
大幅降低電流在保護板上的損耗，隨著手機充電功率達到200W，電池端的電流達到20A。傳統(tǒng)硅MOS溫升明顯，甚至需要輔助導熱措施來為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后，可以無需導熱材料，降低快充過程中
2023-02-21 16:13:41
已經(jīng)非常明朗。而除了熟知的手機廠商之外，各大電商品牌推出的氮化鎵快充產(chǎn)品更是琳瑯滿目，極大豐富了產(chǎn)品的品類，為消費者帶來更多選擇，同時也對推動氮化鎵快充的發(fā)展，起到了重要的作用。今天這篇文章就為大家盤點
2021-04-16 09:33:21
第 1 步 – 柵極驅(qū)動選擇 驅(qū)動GaN增強模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）的柵極與驅(qū)動硅（Si）MOSFET的柵極有相似之處，但有一些有益的差異?！ ◎?qū)動氮化鎵E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
畫等長線的時候，兩根線的差距差了200MM，并且線的密集程度較大，怎么處理？另外 AD中的xSignals怎么用的，有啥用
2019-07-12 18:01:52
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
的獨特性意味著，幾乎所有這些材料都不能用作半導體。不過，透明導電氧化物氧化鎵（Ga2O3）是一個特例。這種晶體的帶隙近5電子伏特，如果說氮化鎵（3.4eV）與它的差距為1英里，那么硅（1.1eV）與它的差距
2023-02-27 15:46:36
各位大神，目前國內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
`2015年11月23-25日，銳潔機器人受邀出席由中國科學技術協(xié)會與工業(yè)和信息化部以及北京市人民***共同主辦的2015世界機器人博覽會，并在國家會議中心“北京智能機器人展區(qū)”隆重舉行200mm減
2015-12-02 10:48:57
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
產(chǎn)品分類： UVLED面光源XM200-200T系列UVLED面光源固化機 發(fā)光面積：200mm*200mm（可定制） 波長：365nm~405nm（可定制） 散熱方式： 高效風冷 控制方式：手動
2022-07-26 16:28:52
產(chǎn)品分類： UVLED面光源XM200-200系列UVLED面光源固化機 發(fā)光面積：200mm*200mm（可定制） 波長：365nm~405nm（可定制） 散熱方式： 高效風冷 控制方式：手動控制
2022-07-26 16:43:35
NPT2020PT2020 是一款 48 V 硅基氮化鎵晶體管，工作頻率為 DC 至 3.5 GHz，功率為 50 W，增益為 17 dB。它采用陶瓷封裝，面向軍事和大批量商業(yè)市場。
2023-04-14 15:39:35
200mm的爆炸式需求，掀起了對于二手半導體制造設備的瘋狂需求，這些設備能在較老的工藝節(jié)點使用。目前問題是沒有足夠的二手設備可用，并不是所有的新的或擴大的200mm fab廠都能承擔得起翻新或新設備的開支。
2017-09-11 11:23:39
4 1.物聯(lián)網(wǎng)時代200mm生產(chǎn)線是熱點；
2.200mm生產(chǎn)線需關注維護成本；
3.建一條以國產(chǎn)設備為主的200mm生產(chǎn)線
2017-09-23 09:24:001811 法國阿斯克新城和德國德累斯頓 - 2018 年 2 月 1 日 - 來自電子、微電子及納米技術研究院 （IEMN） 的最新結果顯示，ALLOS 即將推出的適用于 1200 V 器件的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品具有超過 1400 V 的縱向和橫向擊穿電壓。
2018-02-26 10:17:425666 
11月2日，中芯集成電路(寧波)有限公司歷經(jīng)七個月的建設，200mm特種工藝(晶圓/芯片)N1產(chǎn)線將迎來正式投產(chǎn)的重要時刻，同時，中芯寧波N2項目、南大光電與安集微電子等三個項目也正式動工。
2018-11-07 10:30:105163 Veeco Instruments Inc. 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，致力于為Micro LED生產(chǎn)應用提供業(yè)內(nèi)領先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術。
2018-11-13 17:02:593480 Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，雙方共同努力，致力于為Micro LED生產(chǎn)應用提供業(yè)內(nèi)領先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術。
2018-11-15 14:53:493397 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應用其獨特的應變工程技術，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN-on-Si） 外延片的出色一致性和可重復性。此外，公司還報告了其 300 mm 外延片的成功發(fā)展藍圖。
2020-04-08 16:53:123930 
據(jù)報道，德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學（KAUST）研究團隊達成合作，雙方將共同研發(fā)高效硅基InGaN紅色Micro LED。
2020-07-22 14:51:48576 8英寸200mm晶圓相比于12英寸300mm晶圓雖然看起來“落后”很多，但仍有廣泛的市場應用，產(chǎn)能在近來也是越發(fā)緊張。
2020-11-27 09:49:251717 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應用其獨特的應變工程技術，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重復性
2020-12-24 10:20:301340 過去幾個月來一直存在的備受關注的問題就是許多新款電子產(chǎn)品很難買到。這涉及到很多相關因素，例如 COVID-19、經(jīng)濟環(huán)境、良率問題等，但對于導致如此普遍的芯片缺貨問題有一個新的爭論：對 200mm
2020-12-24 10:26:221963 全球芯片短缺主要表現(xiàn)在成熟晶圓工藝生產(chǎn)的器件，包括電源管理、MCU、RF器件、傳感器和各種分立器件等。全球200mm晶圓廠數(shù)量有限和產(chǎn)能不足是導致芯片短缺的一個主要原因。本文作者（顧正書
2021-06-17 17:50:152798 氮化鎵外延片生長工藝較為復雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:353012 氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片，它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 14:05:413722 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3210570 報告書稱，功率化合物半導體在消費者、汽車及產(chǎn)業(yè)領域非常重要，是200mm投資的最大驅(qū)動力，特別是電動汽車變頻和充電站的發(fā)展將促進世界200mm晶片生產(chǎn)能力的增長。
2023-09-20 09:52:04415 
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