驅(qū)動(dòng)電路的作用：將控制電路輸出的PWM脈沖放大到足以驅(qū)動(dòng)功率晶體管—開關(guān)功率放大作用。
2024-03-21 11:14:35
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本案例是一個(gè)帶RTC功能的工業(yè)產(chǎn)品，RTC部分的供電電路如下下圖，產(chǎn)品發(fā)往市場半年以后，就提示更換RTC電池，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于設(shè)計(jì)壽命5年。
2024-03-15 10:29:3878 
LDL1117S33R 技術(shù)手冊選擇輸出電容ESR時(shí)，范圍是@100Khz,是否選擇電容時(shí)，只要考慮在100Khz時(shí)的 ESR ？
MLCC電容 在不同頻率，有不同的ESR，在1M時(shí)，ESR非常低。
技術(shù)手冊沒有寫明，是電容最低ESR還是只考慮在100Khz時(shí)。
不知道應(yīng)怎么選擇。
2024-03-14 08:07:05
電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時(shí)也稱為Power BJT。但其驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，驅(qū)動(dòng)功率大。
2024-03-07 17:06:38949 
電力晶體管（Giant Transistor—GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時(shí)也稱為Power BJT。但其驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，驅(qū)動(dòng)功率大。
2024-03-07 15:38:291032 
串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個(gè)電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過。而最經(jīng)濟(jì)易行的方法
2024-03-06 20:49:11
，Coeur CST高電流互連系統(tǒng)在尺寸上也很緊湊，使得板對(duì)板的交疊輪廓低至5.00mm，不需要在交疊板上方或下方有一個(gè)大突起。系統(tǒng)還提供兩種型號(hào)的插座分別是帶或不帶浮動(dòng)功能。
靈活的、可擴(kuò)展
2024-03-04 16:25:54
WL_DEV_WAKE (GPIO_1)，默認(rèn)電壓等級(jí)是高還是低？有用于選擇 WL_DEV_WAKE 功能的引腳描述或 SW 設(shè)置的文檔嗎？
2024-03-01 08:39:53
概述FC3215AN是一款低ESR和緊湊的32.768 kHz晶體單元，具有堅(jiān)固的無鉛金屬蓋+接縫密封封裝。它配備了基于我們幾十年來音叉晶體器件的內(nèi)部設(shè)計(jì)和生產(chǎn)技術(shù)專業(yè)知識(shí)而重新設(shè)計(jì)的晶體元件
2024-02-27 09:59:17
0 由于電流會(huì)在電阻上產(chǎn)生損耗功率 P=ESR*I2，當(dāng)ESR越大或者電流越大，發(fā)熱越嚴(yán)重。比如當(dāng)紋波電流較大時(shí)，對(duì)于ESR較大的電解電容，產(chǎn)生的熱量會(huì)使電解液蒸發(fā)，隨著電解液的蒸發(fā)，ESR又會(huì)增加，并陷入惡性循環(huán)，最終導(dǎo)致電容損壞。
2024-02-08 08:24:001087 
電容器的內(nèi)部電極材料對(duì)ESR的形成也有重要影響。不同的電極材料具有不同的電導(dǎo)率。一般來說，使用電導(dǎo)性較好的材料，如銅、銀等，能夠減小ESR的值。
2024-02-08 08:17:00936 
特性
? 用于變壓器的推挽式驅(qū)動(dòng)器? 寬輸入電壓范圍：2.25V 至36 V
? 高輸出驅(qū)動(dòng)：5V 電源時(shí)可達(dá)1.5A
? 低 RON，4.5V 電源時(shí)的最大值為 0.25Ω
? 超低 EMI
2024-01-29 17:15:55
如圖所示的交流取樣恒流源電路。
此電路在電壓輸入端和晶體管之間跨接電阻，R2就是一個(gè)電流采樣電阻。
1、當(dāng)電源加在采樣電阻、晶體管和負(fù)載之間時(shí)，會(huì)在采樣電阻產(chǎn)生壓降，采樣電阻的負(fù)端加在運(yùn)放的反相輸入
2024-01-27 15:11:27
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
RX4901CE是一個(gè)集成了32.768 kHz數(shù)字溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(DTCXO)的RTC模塊。高穩(wěn)定性，低電流消耗，時(shí)間戳功能，當(dāng)外部或內(nèi)部事件發(fā)生時(shí)，可以記錄多達(dá)32個(gè)日期和時(shí)間，以及
2024-01-25 10:28:010 在一個(gè)需要檢測負(fù)載電流的電路，小功率用串聯(lián)低值電阻檢測輸出輸出電流，根據(jù)串聯(lián)的電阻所處的位置，可分為高電位檢測和低電位檢測，這兩種檢測方法各有優(yōu)缺點(diǎn)，首先是低電位檢測，低值電阻串聯(lián)在主回路靠近
2024-01-15 23:37:42
特性
? 用于變壓器的推挽式驅(qū)動(dòng)器? 寬輸入電壓范圍：2.25V 至36 V
? 高輸出驅(qū)動(dòng)：5V 電源時(shí)可達(dá)1.5A
? 低 RON，4.5V 電源時(shí)的最大值為 0.25Ω
? 超低 EMI
2024-01-12 16:08:17
包括一個(gè)基準(zhǔn)電壓源、一個(gè)比例輸出電壓與基準(zhǔn)電壓比較環(huán)節(jié)、一個(gè)反饋放大器和一個(gè)串聯(lián)調(diào)整管組成（雙極型晶體管或FET管）組成，用放大器控制穩(wěn)壓器的壓降維持要求的輸出電壓值。例如，如果負(fù)載電流下降，會(huì)引起輸出
2024-01-08 10:18:28
特性
? 用于變壓器的推挽式驅(qū)動(dòng)器? 寬輸入電壓范圍：2.25V 至36 V
? 高輸出驅(qū)動(dòng)：5V 電源時(shí)可達(dá)1.5A
? 低 RON，4.5V 電源時(shí)的最大值為 0.25Ω
? 超低 EMI
2024-01-04 17:37:19
IRF540是一款常用的N溝道MOSFET晶體管，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。作為一款功率MOSFET晶體管，IRF540的驅(qū)動(dòng)電流大小對(duì)其性能以及應(yīng)用范圍有著重要的影響。在本文中，我們將詳細(xì)介紹
2023-12-25 10:38:53364 FC3215AN是一個(gè)低ESR和緊湊的32.768 kHz晶體單元，有一個(gè)堅(jiān)固的無鉛金屬蓋+接縫密封封裝。它配備了一個(gè)新的重新設(shè)計(jì)的晶體元件，基于我們的內(nèi)部設(shè)計(jì)和生產(chǎn)技術(shù)的專業(yè)知識(shí)的音叉晶體設(shè)備在過
2023-12-14 13:50:590 FC1610BN是一個(gè)小尺寸（1.6 mmx 1.0 mm）和低ESR（70 kΩ）32.768 kHz晶體單元。理想的物聯(lián)網(wǎng)(BLE、LPWA等）需要小尺寸和低功耗的睡眠時(shí)鐘，可穿戴設(shè)備的時(shí)鐘
2023-12-11 11:41:400 場效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場控制的電子器件，常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 有沒有高輸入阻抗低供電電壓3V的JFET運(yùn)放
供電電壓只有3V
2023-11-20 06:54:00
我們用PCF85063AT/AY RTC(圖示附件)建造了IMx8x板。 問題是當(dāng)我打開電源時(shí), 振動(dòng)器停止位數(shù)已經(jīng)設(shè)定。 而 IMx8x驅(qū)動(dòng)程序報(bào)告斷電和丟棄時(shí)間。 在顯微鏡上, 我注意到晶體脈沖
2023-11-13 06:08:04
Maxim開發(fā)環(huán)境是什么？支持keil和iar？
2023-11-09 06:59:35
阻方法：
1、將電阻Rs串聯(lián)到晶體諧振器上面，逐步增大這個(gè)電阻，直到晶振還可以振蕩的極限為止，此時(shí)的阻值大小為Rsmax。
2、根據(jù)晶振手冊中的參數(shù)計(jì)算Re，Re≈ESR*(1+C0/Cs)^2
2023-10-28 16:36:50
DGD0597FUQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的DGD0597FUQ這是一款高頻高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)半橋配置中的 N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓高達(dá)
2023-10-24 10:45:14
。DGD05473 邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn) TTL 和 CMOS 電平（低至 3.3V）兼容，可輕松與 MCU 連接。高側(cè)和低側(cè)的 UVLO 可在電源丟失時(shí)保護(hù) MOSFET。為
2023-10-24 10:17:47
的功率晶體管需要高電壓和高電流的控制，而一般的控制電路很難滿足這一需求。驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的電壓和電流，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)功率晶體管的精確控制。 其次，專用驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的電路保護(hù)功能。在高功率應(yīng)用中，功率晶體管容易
2023-10-22 14:47:33409 1、程序介紹本程序是基于OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)編寫的平臺(tái)驅(qū)動(dòng)案例：RTC目前已在凌蒙派-RK3568開發(fā)板跑通。
2023-09-19 10:14:30437 
LED 有幾種解決方案。較完善的分立式方案是將精密并聯(lián)穩(wěn)壓器和功率雙極性晶體管組合，采用電流吸收器配置。 ? 分立式LED驅(qū)動(dòng)電路圖 在升壓轉(zhuǎn)換器的輸出級(jí)使用線性調(diào)節(jié)，可將 24 V 電源電壓轉(zhuǎn)換為 72 V，為兩個(gè)并聯(lián)的 LED 燈串提供所需的高電壓。兩
2023-09-19 03:17:18156 
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1、程序介紹本程序是基于OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)編寫的平臺(tái)驅(qū)動(dòng)案例：RTC
目前已在凌蒙派-RK3568開發(fā)板跑
2023-09-18 15:45:15
晶體管和電阻做電流源的區(qū)別是什么？? 在電路中，電流源是一種非常常見的元件。它可以提供恒定的電流，以確保電路中其他元件的正常工作。電路中的電流源可以使用多種方式實(shí)現(xiàn)，晶體管（BJT）和電阻分別作為
2023-09-18 10:44:17509 RTC是個(gè)獨(dú)立的定時(shí)器。RTC模塊擁有一個(gè)連續(xù)計(jì)數(shù)的計(jì)數(shù)器，在相應(yīng)的軟件配置下，可以提供時(shí)鐘日歷的功能。修改計(jì)數(shù)器的值可以重新設(shè)置當(dāng)前時(shí)間和日期 RTC還包含用于管理低功耗模式的自動(dòng)喚醒單元。
2023-08-28 10:20:1217284 
電流條件下工作
· 輸出過壓保護(hù)
· 具有高側(cè)電流限制和低側(cè)電流限制的輸出短路保護(hù)，以在硬短路情況下保護(hù)器件
· 過熱保護(hù)
· 輕載時(shí)的脈沖跳躍模式可提高輕載效率
· 采用低ESR陶瓷輸出電容器可
2023-08-23 17:07:49
RTC（real time clock）實(shí)時(shí)時(shí)鐘，在電腦、手機(jī)等電子產(chǎn)品中都有，應(yīng)用較多。它的主要作用就是，在產(chǎn)品斷電之后，時(shí)間還可以繼續(xù)走數(shù)。這樣我們在重新使用電子產(chǎn)品時(shí)，時(shí)間仍然正確。芯片本身可以通過紐扣電池供電，接下來我們一起學(xué)習(xí)一下RTC的驅(qū)動(dòng)。
2023-08-23 09:29:00510 
大功率同步LED降壓恒流驅(qū)動(dòng)方案高效率96%溫度低
方案產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)特點(diǎn)
寬輸入電壓范圍：4V～40V
可設(shè)定電流范圍：10mA～3600mA
固定工作頻率：130KHZ
對(duì)其他設(shè)備的 EMI 抗干擾
2023-08-18 12:05:56
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體
2023-08-02 12:26:53
RTC電路的改進(jìn)方案，如何延長RTC電路的壽命
2023-07-19 09:03:301303 
本案例是一個(gè)帶RTC功能的工業(yè)產(chǎn)品，RTC部分的供電電路如下下圖，產(chǎn)品發(fā)往市場半年以后，就提示更換RTC電池，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于設(shè)計(jì)壽命5年。
2023-07-17 09:38:14904 
我們知道晶體管種類雖然很多，但是基本上分為PNP型和NPN型兩大類。介紹，這兩類晶體管各電極電流方向不同，其電路符號(hào)也是不同的。晶體管電路符號(hào)中發(fā)射極箭頭的方向表示晶體管各電極電流流動(dòng)的方向，利用這一點(diǎn)可以方便分析電路中各電極電流流動(dòng)方向。
2023-07-06 11:22:471773 
第一個(gè)是Maxim的DS1338。Maxim認(rèn)為RTC是模擬IC領(lǐng)域的“英雄”，因?yàn)樗鼈兡軌蛞詼?zhǔn)時(shí)性和可預(yù)測性加強(qiáng)設(shè)計(jì)。DS1338是一款超低功耗串行RTC，具有56字節(jié)非易失性SRAM。數(shù)據(jù)通
2023-06-29 11:22:56348 
mos管的驅(qū)動(dòng)電流如何設(shè)計(jì)呢
如果已經(jīng)知道MOS的Qg
恒壓模式下如何設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)管的電流
恒流模式下設(shè)置多大電流呢
2023-06-27 22:12:29
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流，必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。
2023-06-25 12:24:00556 
振蕩電路用于實(shí)時(shí)時(shí)鐘RTC，對(duì)于這種振蕩電路只能用32.768KHZ 的晶體，晶體被連接在OSC3 與OSC4 之間而且為了獲得穩(wěn)定的頻率必須外加兩個(gè)帶外部電阻的電容以構(gòu)成振蕩電路。
2023-06-21 08:55:31
電流驅(qū)動(dòng)和電壓驅(qū)動(dòng)是電子電路設(shè)計(jì)中常用的兩種驅(qū)動(dòng)方式。它們有著各自不同的優(yōu)缺點(diǎn)，選擇不同的驅(qū)動(dòng)方式可以在不同的應(yīng)用場景中獲得更好的效果。 電壓驅(qū)動(dòng)（Voltage?Drive）是通過控制電路的輸出
2023-06-20 16:44:59908 
RTC是個(gè)獨(dú)立的定時(shí)器。RTC模塊擁有一個(gè)連續(xù)計(jì)數(shù)的計(jì)數(shù)器，在相應(yīng)的軟件配置下，可以提供時(shí)鐘日歷的功能。修改計(jì)數(shù)器的值可以重新設(shè)置當(dāng)前時(shí)間和日期 RTC還包含用于管理低功耗模式的自動(dòng)喚醒單元。
2023-06-16 12:24:332523 
輸入12-80輸出9V電流2.2A四線輸入高亮線低亮線爆閃線車燈驅(qū)動(dòng)方案
LED 水族燈誘魚燈航泊燈植物生長專用驅(qū)動(dòng)降壓恒流芯片！
LED植物生長燈驅(qū)動(dòng)芯片大功率降壓恒流高恒流精度
ACDC平均
2023-06-13 15:43:46
MAX7219/7221為8位、7段共陰極多路復(fù)用LED顯示驅(qū)動(dòng)器，工作在40V至4.5V電源時(shí)可驅(qū)動(dòng)高達(dá)5mA段電流。本應(yīng)用筆記討論了MAX7219/7221如何與外部驅(qū)動(dòng)晶體管配合使用，用于需要
2023-06-08 16:03:231076 
的性能，結(jié)合了高電流操作、極低的 V CE(SAT)和高 H FE，從而導(dǎo)致極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗。這種雙晶體管非常適合用于各種高效驅(qū)動(dòng)功能，包括電機(jī)、燈、繼電器和螺線
2023-06-06 19:42:50
，結(jié)合了高電流操作、極低的 V CE(SAT)和高 H FE，從而導(dǎo)致極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗。這種雙晶體管非常適合用于各種高效驅(qū)動(dòng)功能，包括電機(jī)、燈、繼電器和螺線管，
2023-06-06 19:29:30
RTC 是一個(gè)獨(dú)立的定時(shí)器，能夠在 STM32 的低功耗模式下運(yùn)行。
2023-05-26 15:37:41675 
RTC是集成電路，通常稱為時(shí)鐘芯片。在一個(gè)嵌入式系統(tǒng)中，通常采用RTC來提供可靠的系統(tǒng)時(shí)間，包括時(shí)分秒和年月日等，而且要求在系統(tǒng)處于關(guān)機(jī)狀態(tài)下它也能正常工作（通常采用后備電池供電）。
它的外圍
2023-05-26 15:21:02390 
RTC的本質(zhì)很簡單，就是一個(gè)時(shí)鐘經(jīng)過精確分頻最后得到的一個(gè)1Hz的時(shí)鐘，也可以說是計(jì)數(shù)器，其他大部分功能都是基于這個(gè)計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)的數(shù)字邏輯。
本文講的RTC是基于STM32F030來講的,相比與F1系列的RTC來說，M0的將很多原本需要軟件實(shí)現(xiàn)的功能硬件化了，使用起來更加便利。
2023-05-26 15:15:435620 
現(xiàn)在幾乎所有的電子產(chǎn)品都帶RTC功能，因此RTC電池的壽命肯定是越長越好。
二、 **問題描述**
本案例是一個(gè)帶RTC功能的工業(yè)產(chǎn)品，RTC部分的供電電路如下下圖，產(chǎn)品發(fā)往市場半年以后，就提示更換RTC電池，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于設(shè)計(jì)壽命5年。
2023-05-26 15:14:23377 
當(dāng)Linux內(nèi)核啟動(dòng)時(shí)，它會(huì)從RTC中讀取時(shí)間與日期，作為基準(zhǔn)值。然后通過軟件來維護(hù)系統(tǒng)時(shí)間和日期。Linux系統(tǒng)中提供了RTC核心層，對(duì)于驅(qū)動(dòng)開發(fā)者而言，操作起來就變得很簡單了。我們來看看整體框架。
2023-05-26 15:12:51727 
RTC是集成電路，通常稱為時(shí)鐘芯片。在一個(gè)嵌入式系統(tǒng)中，通常采用RTC來提供可靠的系統(tǒng)時(shí)間，包括時(shí)分秒和年月日等，而且要求在系統(tǒng)處于關(guān)機(jī)狀態(tài)下它也能正常工作（通常采用后備電池供電）。
它的外圍
2023-05-26 15:11:341085 
RTC本質(zhì)上是一個(gè)時(shí)延、流暢、質(zhì)量、成本等幾個(gè)點(diǎn)的平衡，我們不能在某些單點(diǎn)上用力過猛，導(dǎo)致最終的效果大打折扣。拍樂云CEO 趙加雨在LiveVideoStackCon 2020北京站的演講中拋出關(guān)于RTC的六個(gè)問題，同時(shí)站在辯論的正反方與大家拆解如何能夠讓RTC產(chǎn)品給用戶帶來更好的體驗(yàn)。
2023-05-26 15:02:29426 現(xiàn)在很多MCU內(nèi)部已經(jīng)集成了內(nèi)部RTC，但常見的設(shè)計(jì)中為何很多使用獨(dú)立的RTC芯片？進(jìn)行RTC設(shè)計(jì)選型的依據(jù)是什么？應(yīng)該如何選擇？
今天重點(diǎn)介紹一下在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)該怎么選擇RTC功能的實(shí)現(xiàn)？
2023-05-26 14:52:453292 
端一定有RTC電路。
其實(shí)RTC電路簡單，一顆RTC芯片，一顆32.768KHZ的晶體，一顆電池或者一顆帶充電功能的電池。下面，簡單講一個(gè)RTC電路。
2023-05-26 14:51:095776 
晶振外置的RTC應(yīng)用電路一般由RTC芯片、外置32k晶振、負(fù)載電容組成，最常見的電路原理圖大致如下，其中U1為RTC芯片，Y1為32k晶振，C1、C2為晶振負(fù)載電容。
2023-05-26 14:49:461381 
RTC為整個(gè)電子系統(tǒng)提供時(shí)間基準(zhǔn)，主控設(shè)計(jì)均離不開RTC電路設(shè)計(jì)，在應(yīng)用RTC時(shí)，會(huì)出現(xiàn)精度或功耗大的現(xiàn)象，如何解決RTC精度及功耗問題？本文將為您介紹時(shí)鐘芯片應(yīng)用問題及解決方法。
2023-05-26 14:48:412886 
RTC（Real-time Communications）實(shí)時(shí)通訊，我們很容易把RTC和WebRTC（Web Real Time Communication）混淆。RTC是對(duì)實(shí)時(shí)通信的更加寬泛的統(tǒng)稱
2023-05-26 14:27:583747 
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
描述ME6216系列是采用CMOS技術(shù)制造的高精確度、低功耗、正壓調(diào)壓器。該系列提供了一個(gè)大的電流和一個(gè)明顯的小的輟學(xué)電壓。該系列兼容低ESR陶瓷電容。電流限制器的折疊電路也作為輸出電流限制器和輸出
2023-05-23 11:28:06
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:54:02518 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:52:08747 
驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)總漏電流由驅(qū)動(dòng)器本身漏電流、電機(jī)電纜線漏電流、電機(jī)漏電流組成。驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)漏電流大小取決于驅(qū)動(dòng)器逆變IGBT的開關(guān)頻率，逆變IGBT的開關(guān)的速度，直流母線電壓的幅值，電機(jī)的繞組對(duì)機(jī)殼的分布電容（i=C*dU/dt），因此，IGBT的開關(guān)頻率由10kHz降低到5kHz時(shí)，漏電流明顯降低
2023-05-17 10:19:53730 
我們在我們的產(chǎn)品中使用了 LPC1768 微控制器，
如下觀察到的問題，
1）RTC增量問題（同板RTC不工作），
（觸摸圖 32khz 晶體或電容器，RTC 工作正常）
與將任何示波器探頭接觸到工作正常的電容器 RTC 相同。
但儀器 RTC 上的同一板電源不工作。
什么是問題？
2023-05-16 06:08:11
小型化和可擴(kuò)展系統(tǒng)，以提供具有成本效益的解決方案同時(shí)提供一流的性能。H 橋FET 具有非常低的阻抗，從而導(dǎo)致高驅(qū)動(dòng)效率和產(chǎn)生的熱量最少。典型的總Ron(高側(cè) + 低側(cè)) 為 0.23Ω。
每個(gè)H 橋
2023-05-12 15:59:50
如果在CAN高線或CAN低線中出現(xiàn)開路，為什么驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線會(huì)完全中斷？
2023-05-09 10:55:21
實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC: Real-Time Clock)是集成電路，通常稱為時(shí)鐘芯片。目前實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片大多采用精度較高的晶體振蕩器作為時(shí)鐘源。
2023-05-08 10:45:451651 
了解為什么石英晶體振蕩器的驅(qū)動(dòng)電平很重要，以及如何測量它的幾種方法。 驅(qū)動(dòng)電平是指晶體中耗散的功率量。 晶體具有機(jī)械振動(dòng)。 較高的驅(qū)動(dòng)電平會(huì)將振動(dòng)幅度增加到不可接受的水平，并造成不良影響。 為了限制
2023-05-03 17:24:001254 
漏電流會(huì)導(dǎo)致功耗，尤其是在較低閾值電壓下。了解MOS晶體管中可以找到的六種泄漏電流。 在討論MOS晶體管時(shí)，短通道器件中基本上有六種類型的漏電流元件： 反向偏置PN結(jié)漏電流 亞閾值漏電流
2023-05-03 16:27:007771 
本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)，以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了氧化物厚度的減少，從而降低了MOS器件
2023-05-03 11:33:001279 不過，今天主要想聊聊如何通過RTC來實(shí)現(xiàn)該需求。了解STM32的RTC的人可能知道，RTC模塊往往還自帶一個(gè)專門的16位向下計(jì)數(shù)的喚醒定時(shí)器，即下面RTC局部框圖中紅框所在單元。我這里要分享的也不是
2023-04-30 16:32:001059 
絕大多數(shù)STM32系列里的RTC都具有亞秒【或稱子秒】計(jì)數(shù)單元。為了了解亞秒特性及功能，不妨先看RTC的功能框圖。本文中的有關(guān)截圖若無特別說明均來自STM32L4系列參考手冊。 RTC的時(shí)鐘
2023-04-30 16:28:00625 
RTC接口簡介RTC計(jì)數(shù)邏輯位于電池供電域，內(nèi)部為一個(gè)32位遞增計(jì)數(shù)器，只要電池供電域有電，RTC便會(huì)一直運(yùn)行，不受系統(tǒng)復(fù)位以及VDD掉電影響，RTC主要具有以下功能：―日歷功能：32位計(jì)數(shù)器，通過
2023-04-25 11:45:511327 
為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
RTC計(jì)數(shù)邏輯位于電池供電域，內(nèi)部為一個(gè)32位遞增計(jì)數(shù)器，只要電池供電域有電，RTC便會(huì)一直運(yùn)行，不受系統(tǒng)復(fù)位以及VDD掉電影響，RTC主要具有以下功能。
2023-04-21 09:34:461868 
我使用的是基于 imx8mm 的定制板和 android 11。當(dāng)我使用 Google 桌面時(shí)鐘應(yīng)用程序時(shí)，我沒有看到來自正在調(diào)用的驅(qū)動(dòng)程序的 RTC api。此外，當(dāng)警報(bào)觸發(fā)時(shí)，電路板不會(huì)從深度
2023-04-20 08:02:04
絕大多數(shù)STM32系列里的RTC都具有亞秒【或稱子秒】計(jì)數(shù)單元。為了了解亞秒特性及功能，不妨先看RTC的功能框圖。
2023-04-15 11:27:551551 
我正在研究我正在使用 ESP32 WROOM 32E 的項(xiàng)目，這個(gè)項(xiàng)目將由電池供電。我想實(shí)現(xiàn)外部 RTC 晶體功能。
2023-04-12 06:21:18
OC5266 是內(nèi)置功率 MOS，同時(shí)可支持外擴(kuò)驅(qū)動(dòng) NMOS 的一款連續(xù)電感電流導(dǎo)通模式的降壓型驅(qū)動(dòng)一個(gè)或多個(gè) LED LED 燈串。 恒流驅(qū)動(dòng)器，用于OC5266 工作電壓從 5.5V 到
2023-04-07 17:00:19
，SL6505 輸入輸出電流在某個(gè)點(diǎn)會(huì)突變，SL6605 采用了變頻模式避免了這個(gè)現(xiàn)象。其他功能均不變。詳見規(guī)格書最后說明。特點(diǎn) ·MOS 管外置，輸出電壓可調(diào)，可驅(qū)動(dòng)高壓、大功率負(fù)載，如12V1A。 ·驅(qū)動(dòng)
2023-04-07 10:31:45
RTC 8 CLICK
2023-04-06 23:32:52
RTC 8 CLICK
2023-04-06 23:32:52
RTC8563MSF
2023-03-29 22:45:00
的電路中應(yīng)用廣泛。 缺點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電流較大、耐浪涌電流能力差、易受二次擊穿而損壞，所以為了解決這些問題，電力晶體管設(shè)置了驅(qū)動(dòng)電路與保護(hù)電路，它們有什么功能? 下面一起來看看。
2023-03-29 09:08:571675 參考相關(guān)的 DTS 文件啟用 RTC 驅(qū)動(dòng)程序。例如，LS2080AQDS 板，應(yīng)啟用以下選項(xiàng)：<*> Dallas/Maxim DS3232我的問題是 LS1046ARDB 板應(yīng)該使用哪個(gè) DTS 文件來在構(gòu)建之前啟用 RTC 驅(qū)動(dòng)程序以及如何做到這一點(diǎn)？?????
2023-03-29 08:50:52
RTC8563SOF
2023-03-28 18:08:28
IGBT模塊作為汽車電驅(qū)系統(tǒng)最常昂貴的開關(guān)元件。IGBT同時(shí)具有功率MOSFET導(dǎo)通功率小及開關(guān)速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導(dǎo)通電阻?。?b class="flag-6" style="color: red">高電壓和大電流處理能力的半導(dǎo)體元件
2023-03-23 16:01:54
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