足夠資金資助 IDM 進(jìn)行大規(guī)模開發(fā)的公司。隨著后來，當(dāng)我們開始進(jìn)入第二個(gè)半導(dǎo)體時(shí)代時(shí)，這一切都改變了。
第二個(gè)半導(dǎo)體時(shí)代——ASIC
LSI Logic 和 VLSI Technology
2024-03-13 16:52:37
我有一個(gè) CYUSB3KIT-003。 我需要集成一個(gè) NOR 閃存，我可以從中將固件讀取到 RAM，然后 NOR 閃存的一部分內(nèi)存應(yīng)該EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作為大容量存儲(chǔ)設(shè)備。
我應(yīng)該采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺(tái)AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:30
58 
我知道嵌入式軟件構(gòu)建工具報(bào)告程序閃存使用情況。我認(rèn)為他們也報(bào)告了 RAM 使用情況，但他們是否報(bào)告了最大 RAM 使用率？
生成工具可能不知道在運(yùn)行時(shí)將使用多少堆。是否還有其他構(gòu)建工具不知道的 RAM 使用情況？
如何準(zhǔn)確找出運(yùn)行時(shí)使用的RAM量？
2024-01-31 07:48:58
我嘗試讀取閃存，并定義宏內(nèi)存（地址）來讀取閃存。
#define MEM（地址）* ((uint32 *)（地址））
aa = MEM (0xa0008000)；bb=aa
；
但是不能讀取任何
2024-01-24 07:51:33
; 沒有這樣的文件或目錄\"。
似乎串行閃存庫尚未設(shè)置。在庫管理器1.0下，而我使用的是庫管理器2.0，在管理器2.0下找不到串行閃存庫。
在此先謝謝。
2024-01-24 07:09:52
倉儲(chǔ)革新：AR技術(shù)引領(lǐng)物流進(jìn)入智慧時(shí)代 根據(jù)《2022年中國物流行業(yè)研究：深度探析行業(yè)現(xiàn)狀（智能設(shè)備及智能軟件）》，報(bào)告中提及：“中國社會(huì)物流總額依然保持著較為良好的增長態(tài)勢，年增速已恢復(fù)至常年
2023-12-27 17:15:20178 
NOR Flash是一種基于NOR門結(jié)構(gòu)的閃存，NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結(jié)構(gòu)，這意味著每個(gè)存儲(chǔ)單元都有一個(gè)地址，可以直接訪問任何存儲(chǔ)單元，這使NOR Flash具有快速的隨機(jī)訪問能力，適用于執(zhí)行代碼和讀取關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
2023-12-27 14:37:05292 Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)存儲(chǔ)單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實(shí)現(xiàn)高效的隨機(jī)訪問和快速的數(shù)據(jù)檢索。
2023-12-05 15:21:59363 閃存編程也不涉及將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元，為確保準(zhǔn)確編程，Nor Flash 支持字節(jié)級(jí)編程，允許寫入或修改單個(gè)字節(jié)，而無需擦除整個(gè)塊。
2023-12-05 14:03:22390 Nor Flash是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲(chǔ)器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場景。
2023-12-05 13:57:37837 NOR FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)具有重大影響，閃存其獨(dú)特的特性和功能影響著計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的各個(gè)方面
2023-12-05 10:32:31332 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17909 
i.MX RT500/600系列上串行NOR Flash雙程序可交替啟動(dòng)設(shè)計(jì)
2023-10-27 09:36:12236 
僅當(dāng)存在待發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)串行時(shí)鐘波特發(fā)生器才產(chǎn)生對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)位模式的時(shí)鐘脈沖嗎？如果緩沖區(qū)沒數(shù)據(jù)，串行時(shí)鐘就一直空閑嗎？
2023-10-17 08:20:06
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
恩智浦i.MX RT1060/1010上串行NOR Flash冗余程序啟動(dòng)設(shè)計(jì)
2023-09-26 16:53:52364 
Programming – IAP)可以使用微控制器支持的任一種通信接口(如I/O端口、USB、CAN、UART、I2C、SPI等)下載程序或數(shù)據(jù)到存儲(chǔ)器中。IAP允許用戶在程序運(yùn)行時(shí)重新燒寫閃存存儲(chǔ)器中
2023-09-26 06:18:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用STARTUPE3對(duì)并行NOR閃存進(jìn)行配置后訪問的UltraScale FPGA應(yīng)用說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-14 15:18:20
1 NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231901 
引言：串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲(chǔ)器件，在特殊應(yīng)用場景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲(chǔ)器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-09-05 10:09:341663 
的50.4%。 這標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場的拐點(diǎn)已來臨。過去幾年，全球經(jīng)濟(jì)和市場經(jīng)歷了大的動(dòng)蕩與變化，全閃存存儲(chǔ)依然能穿越周期和保持增長，實(shí)屬難能可貴。 與此同時(shí)，隨著千行百業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型步入深水區(qū)，數(shù)據(jù)已然成為數(shù)字化時(shí)代的核心生產(chǎn)要素、戰(zhàn)略資源以及價(jià)
2023-08-29 18:30:03204 
點(diǎn)擊上方 藍(lán)字 關(guān)注我們 NOR閃存已作為FPGA（現(xiàn)場可編程門列陣）的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性使得FPGA在工業(yè)、通信和汽車ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)
2023-08-15 13:55:02330 
）接口提高了系統(tǒng)性能，簡化了設(shè)計(jì)，并降低了系統(tǒng)成本。Serial Nor Flash的最新八進(jìn)制系列產(chǎn)品包括：八進(jìn)制（xSPI）Flash、八進(jìn)制RAM和八進(jìn)制MCP。OctaBus Memory將閃存和RAM存儲(chǔ)器集成到同一數(shù)據(jù)I/O總線中，將引腳數(shù)量減少到12個(gè)。
2023-08-11 15:45:32896 
引言：串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲(chǔ)器件，在特殊應(yīng)用場景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲(chǔ)器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-08-11 15:44:221074 
一個(gè)通用的Flash控制器，該控制器具有大多數(shù)eFlash宏支持的通用功能。次級(jí)側(cè)具有用于特定實(shí)現(xiàn)的進(jìn)程相關(guān)Flash宏。GFB用作訪問閃存資源的數(shù)據(jù)路徑，通過其他接口處理與控制相關(guān)的訪問。這有助于通用功能在不同過程中的可重用性。
2023-08-11 07:55:01
制造商: Winbond 產(chǎn)品種類: NOR閃存
2023-08-04 12:46:29
近年來，在物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求下，特別是在各種新興應(yīng)用的推動(dòng)下，NOR?Flash迎來了低谷翻轉(zhuǎn)的機(jī)遇。不僅中高容量價(jià)格穩(wěn)定，而且低容量NOR?Flash價(jià)格的下降也大大縮小。特別是在TWS
2023-07-31 14:33:10460 Flash閃存是一種存儲(chǔ)器,主要用于一般性程序存儲(chǔ)，以及電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)。根據(jù)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)不同,Flash主要有兩種，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 我正在嘗試讓我的 ESP-12F 進(jìn)入閃存模式以從 Arduino IDE 上傳程序。然而，當(dāng)我嘗試將 ESP-12F 置于閃存模式時(shí)，我在 GPIO0 上獲得了時(shí)鐘輸出 (26 MHz)。如果我
2023-06-05 07:47:50
我們知道外部串行NOR Flash是接到i.MXRT的FlexSPI外設(shè)引腳上，有時(shí)串行NOR Flash啟動(dòng)也叫FlexSPI NOR啟動(dòng)。
2023-06-02 17:43:28928 
大家好，我之前使用過 esp12 f，但在這個(gè)特定模塊中，我無法通過串行 uart gpio 0/15 low 進(jìn)入上傳代碼模式，也無法使用 arduino ide 上傳代碼，它只是像此處的視頻一樣
2023-06-01 06:05:16
我需要為生產(chǎn)目的對(duì) ESP8285 IC 進(jìn)行閃存編程。我正在尋找可以在 3 秒內(nèi)完成此操作的 SPI 閃存編程器，而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道嗎？
2023-05-31 10:11:19
和 26（U0TXD，U0RXD）。有與 SD_Data_2 和 3（引腳 18 和 19）的連接，所以我的問題是 - 我可以使用 18 和 19 通過串行連接進(jìn)入閃存模式，還是我有一塊不是為訪問通常的串行引腳而設(shè)計(jì)的板？在無法訪問 25 和 26 的情況下，他們?nèi)绾卧谏a(chǎn)環(huán)境中閃現(xiàn)這個(gè)東西？
2023-05-26 10:02:03
為了避免在一些用于測試 ESP8266 固件的串行終端和一些閃存編程工具之間切換，我制作了自己的小 win 程序，它將這兩個(gè)任務(wù)合并到一個(gè) exe 中。
如果 USB2UART 橋的 RTS
2023-05-24 07:39:04
記：S32G_QSPI_NOR_20211125_V3.pdf。不幸的是，在中文中，為 MT35XU256ABA1G12-0AAT 提供了 QSPI 重新配置數(shù)據(jù)，與我們的非常相似：
LUT@0x244（從閃存基地址 0
2023-05-22 09:35:01
我對(duì)從 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 閃存感到頭疼。
該板是定制板（不是 NXP RDB2 或 EVP 之一）。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
我有一個(gè)帶有兩個(gè) rt600 處理器的設(shè)置，其中只有一個(gè)連接了閃存。
我想從閃存啟動(dòng)一個(gè)處理器，然后該處理器通過串行連接將圖像發(fā)送到另一個(gè)處理器。
兩個(gè)圖像都需要經(jīng)過身份驗(yàn)證。我已經(jīng)成功地為第一個(gè)
2023-05-18 06:56:48
了 evkmimxrt1160_flexspi_nor_config.c 中的閃存配置。
代碼編譯但在我運(yùn)行它時(shí)永遠(yuǎn)不會(huì)進(jìn)入主要狀態(tài)（請(qǐng)參見下面的屏幕截圖）：
知道我哪里出錯(cuò)了嗎？我附上了 MCUXpresso 項(xiàng)目。
2023-05-18 06:28:12
是 0x90000000
根據(jù)文檔（表 1. 系統(tǒng)內(nèi)存映射）
兩者都是有效的（ DRAM - GPP DRAM 區(qū)域#1（ 0-2 GB））。
上傳圖片時(shí)沒有錯(cuò)誤。
NOR 閃存的標(biāo)準(zhǔn)刻錄命令是（來自文檔
2023-05-16 07:43:42
我正在使用 S32G274A 板（不是 NXP 產(chǎn)品之一，它是由第三方制造的），它安裝了 Micron
MT35XU512ABA 八進(jìn)制串行 NOR 閃存。對(duì)于 M7_0，我必須調(diào)整 RTD
2023-05-16 06:04:49
我們?cè)诎迳鲜褂?MIMXRT1051CVL5B。
通過 LPSPI NOR/EEPROM（BOOT_MODE[1:0]= x01 串行下載器）成功連接到引導(dǎo)實(shí)用程序。
在燒斷保險(xiǎn)絲并定義
2023-05-10 08:53:24
500 毫秒在閃存上切換一次，所以有東西在運(yùn)行。我的理解是，對(duì)于未初始化的閃存，它最終應(yīng)該會(huì)故障轉(zhuǎn)移到串行下載器。使用 blhost 嘗試與其交談毫無進(jìn)展（無回復(fù)）。我已經(jīng)將 BOOTMODE 更改
2023-05-09 07:42:23
MXRT1050 FlexSPI 模塊具有 LUT，最多支持 16 個(gè)序列，相當(dāng)于 16 個(gè)閃存命令。
現(xiàn)在許多 NOR 閃存芯片支持的命令遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過 16 條。
1. 有沒有辦法支持超過 16 個(gè)
2023-05-08 06:52:22
我正在為我們的原型使用 IMXRT1172xx 微控制器。因?yàn)槲覀冇?jì)劃將 LittleFS 與在 Ext 中運(yùn)行的應(yīng)用程序代碼一起使用。64MB的閃存。
出于測試目的，我能夠成功運(yùn)行 SDK 中提
2023-05-08 06:44:03
從 QSPI NOR flash 重啟開發(fā)板并停止自動(dòng)啟動(dòng)以進(jìn)入 U-Boot 提示符。
3. 在 U-Boot 下，使用以下選項(xiàng)之一將固件下載到參考板：
? 從 TFTP 服務(wù)器加載固件
2023-05-06 08:30:16
我正在使用帶有連接到 lpspi3 接口的 NOR 閃存的 i.MX8Q。
這是我的設(shè)備樹的相關(guān)部分
&lpspi3 {
pinctrl-names = \\\"
2023-05-06 06:23:09
我有一個(gè)iMX8X iMX8QXP，我正在嘗試在 NOR 閃存（最終是 eMMC）上設(shè)置輔助引導(dǎo)容器集。我試圖在燒掉任何 OTP 保險(xiǎn)絲之前驗(yàn)證基本功能，所以這就是我目前對(duì) NOR 閃存進(jìn)行分區(qū)
2023-05-05 10:40:17
、BA、AMASK寄存器） 》
RCW 的 IFC 起始地址為 0x0000_0000
我假設(shè) IFC 在 CS0 上的 NOR 閃存設(shè)備的第一個(gè)地址找到 RCW。它是否正確？
PowerPC 內(nèi)核復(fù)位
2023-05-04 07:16:23
。SPI-NOR 內(nèi)存有類似的東西嗎？fitImages 有用嗎？
4. 由于 uuu 強(qiáng)制 bootcmd=fastboot 0，我如何將其更改為從我的 SPI-NOR 閃存加載？我需要 2 個(gè)不同版本
2023-05-04 06:30:41
的 uboot 映像的簽名有一些問題，但是當(dāng)我使用 SDP 將簽名的映像下載到開放板時(shí)，我沒有看到 HAB 錯(cuò)誤。
我認(rèn)為 imx6ul 在關(guān)閉后無法進(jìn)入串行模式，這沒有多大意義。我的理解是，如果無法驗(yàn)證圖像
2023-04-23 07:11:40
據(jù)表 SMBR2 寄存器時(shí)它的含義第 4 位 BT 保險(xiǎn)絲選擇是邏輯 0 那么 BT 保險(xiǎn)絲選擇有什么用，我認(rèn)為 BT 保險(xiǎn)絲選擇位狀態(tài)發(fā)生變化，這就是為什么處理器不使用 GPIO 啟動(dòng)模式引腳進(jìn)入 ISP
2023-04-20 06:20:48
我們有一個(gè)定制板，其中存在 T1042 處理器。以前我已經(jīng)能夠通過修改 T1042D4DRB QORIQ SDK 項(xiàng)目的 u-boot 源代碼從 SDCARD 啟動(dòng)它。現(xiàn)在，我試圖從 NOR 閃存啟動(dòng)它，但我無法成功。 我已經(jīng)將圖像寫入了NOR flash的以下地址。
2023-04-17 07:55:21
我正在使用 mpc5777c 微控制器。我在 nxp 閃存代碼示例中看到了這些代碼。我不明白為什么他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">閃存操作后恢復(fù)閃存控制器緩存。據(jù)我了解，RestoreFlashControllerCache
2023-04-17 07:17:57
大家好，我們剛剛獲得了自己設(shè)計(jì)的第一個(gè)原型，其中包含以下組件：- MCU 是 MIMXRT1061CVL5B - 閃存是連接到 QSPI1 的微芯片 SST26VF064B - J-link SWD
2023-04-17 07:06:03
我從使用板載 NOR 閃存映像啟動(dòng)的 LS1028A 處理器 EVM 開始?，F(xiàn)在，需要從 I2C EEPROM [RCW] 啟動(dòng)并跳轉(zhuǎn)到 NOR Flash [U-Boot Image]。如何在 RCW PBI 命令中指定它？
2023-04-14 07:45:39
帶多I/O SPI的3V四路串行閃存
2023-04-06 11:13:39
在 sdk 的“l(fā)vgl demo widgets”示例中添加 flash 支持時(shí)，我已經(jīng)能夠重現(xiàn)該問題。當(dāng) lvgl 正在運(yùn)行時(shí)通過 spi 發(fā)送閃存擦除命令時(shí)，應(yīng)用程序會(huì)停止。調(diào)試器通常會(huì)
2023-04-06 06:14:27
方式對(duì)其進(jìn)行預(yù)配置？我從 Keil MDK-ARM 示例中獲取了“flexspi/nor”項(xiàng)目，將其構(gòu)建為在 RAM 中運(yùn)行，啟動(dòng)進(jìn)入調(diào)試，并鏈接到閃存。讀取 VendorID 和狀態(tài)寄存器。QE 狀態(tài)寄存器的第 6 位設(shè)置為“1”
2023-04-06 06:03:46
4 Mbit SPI串行閃存
2023-04-04 20:31:37
我需要一些關(guān)于 i.MX RT 1160 EVK 中的閃存支持的說明1. 在 SPT V4.1 中，我可以看到一些 FLEX SPI NOR 變體，如 IS25WP128、AT25SF128A
2023-03-29 08:24:08
512 Kbit SPI串行閃存
2023-03-28 18:25:33
512K位CMOS串行NOR閃存 TSSOP8_3X4.4MM
2023-03-28 17:08:17
16M位串行閃存
2023-03-28 16:48:13
微米串行NOR閃存3V，多I/O，4KB扇區(qū)擦除
2023-03-28 15:18:09
512K位[x 1]CMOS串行閃存
2023-03-28 15:17:15
32M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
32M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
8M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
超低功耗，8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗，8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗，8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
4/2M 位 SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:07
8M位串行NOR閃存，1024K字節(jié)
2023-03-28 12:50:24
16 Mbit SPI串行閃存
2023-03-28 00:21:26
3V 4位串行NOR閃存，帶雙和四芯SPI SOP8
2023-03-28 00:18:22
串行閃存與雙/四spi
2023-03-27 11:56:46
我正在使用 i.MXRT1176 并計(jì)劃使用 FlexSPI 模塊將固件更新寫入外部 NOR 閃存。該應(yīng)用程序?qū)耐煌獠看鎯?chǔ)器運(yùn)行，但是，更新將寫入不同的部分。我以前沒有使用過帶有外部程序存儲(chǔ)器
2023-03-24 08:08:30
我有一個(gè)有趣的問題，我確定是配置問題。這是我第一次使用 QSPI 閃存設(shè)備和 i.MX 系列部件。我通常在 M4 或更小的機(jī)器上跑得慢很多。我有 2 個(gè) NOR 閃存設(shè)備連接到 RT1062
2023-03-24 07:52:57
的 ivt_flashloader.bin 文件和實(shí)用程序從我們的 FlexSPI NOR 閃存讀取/寫入。為了進(jìn)步我實(shí)際上有兩個(gè)問題：- 有人可以向我解釋一下為 EVKB 板提供的 ivt_flashloader.bin
2023-03-24 07:17:47
）。現(xiàn)在我們正在嘗試從未融合單元上的 FLEXSPI NOR 存儲(chǔ)器啟動(dòng)生產(chǎn)測試應(yīng)用程序。我正在嘗試使用 MIMXRT1060 的閃存加載器將應(yīng)用程序加載到 NOR 內(nèi)存中。寫入似乎沒問題，但應(yīng)用程序似乎
2023-03-23 07:37:28
我正在嘗試編寫代碼來測試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認(rèn)逐個(gè)扇區(qū)擦除閃存是可行且有效的，然后繼續(xù)我測試的其他階段。（我不想一次擦除整個(gè)芯片，因?yàn)槲覀兊闹饕浖枰獜?b class="flag-6" style="color: red">閃存中
2023-03-23 06:06:43
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