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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源新聞>Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下 開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT

Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下 開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT

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2019-08-01 07:20:54

1kW、80 Plus Titanium、GaN CCM 圖騰柱無(wú) PFC 和 LLC 參考設(shè)計(jì)

(PFC)級(jí)。該 PFC 級(jí) 具有 配備集成式驅(qū)動(dòng)器的 TI LMG341xGaN FET,可在寬負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率,并且符合80 Plus Titanium 要求。該設(shè)計(jì)還支持 LLC 隔離式
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400W相移汽車(chē)轉(zhuǎn)換包括BOM及層圖

實(shí)施了同步整流,可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)和高環(huán)路帶寬。該系統(tǒng)在無(wú)負(fù)載且待機(jī)功耗小于 100mW 的情況可提供 12V 穩(wěn)定電壓。通過(guò)變壓可實(shí)現(xiàn)偽隔離,以防 48V 電池發(fā)生次級(jí)側(cè)短路。柵極驅(qū)動(dòng)器
2018-09-30 09:43:10

IGBT驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)能力計(jì)算方法

=oxh_wx3、【周啟老師】開(kāi)關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx大功率IGBT 在使用中驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要,本文給出了不同功率等級(jí)IGBT 驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)計(jì)算方法,經(jīng)驗(yàn)公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動(dòng)板的選型標(biāo)準(zhǔn)。
2019-02-03 21:00:00

IGBT式電機(jī)控制中的使用

;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT一般式電路中的IGBT尤其多用于電機(jī)控制應(yīng)用。圖騰柱式布局創(chuàng)造出
2015-12-30 09:27:49

MOSFETIGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理

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2019-08-29 13:30:22

MOSFETIGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢

MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些?MOSFETIGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢?
2021-11-08 06:11:40

MOS/IGBT電路搭建的介紹

電路(Rectifier)相對(duì)應(yīng),把直流電變成交流電稱(chēng)為逆變。逆變電路可用于構(gòu)成各種交流電源,在工業(yè)中得到廣泛應(yīng)用。為了提高所設(shè)計(jì)的激勵(lì)電源輸出功率和工作頻率, **逆變電路采用逆的方式,相對(duì)于單管和逆變電路,逆變的輸出功率更高、開(kāi)關(guān)損耗更小、可接納的控制方式更多。**逆變電路如下圖所示
2021-11-16 06:14:11

配置隔離端的供電

,隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出端主要從供電軌獲取電流。一旦IGBTMOSFET柵極電壓到達(dá)供電軌,功耗便降為最低,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">柵極本質(zhì)上是一個(gè)電容。對(duì)于高端驅(qū)動(dòng)器而言,高端MOSFET導(dǎo)通時(shí),該吸電流與電壓拉
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式的開(kāi)關(guān)電源有什么優(yōu)缺點(diǎn)

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柵極驅(qū)動(dòng)器是什么

IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱(chēng)為集電極
2021-01-27 07:59:24

柵極驅(qū)動(dòng)器是什么,為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器?

ADuM4121柵極驅(qū)動(dòng)器的典型設(shè)置,其結(jié)合功率MOSFET使用,采用配置,適合電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。在這種設(shè)置中,如果Q1 和 Q2同時(shí)導(dǎo)通,有可能因?yàn)殡娫春徒拥匾_短路而發(fā)生直通。這可能會(huì)永久損壞
2021-07-09 07:00:00

柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能怎么樣?

本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06

式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

結(jié)構(gòu)  引言   功率MOSFET以其開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小和功耗低等優(yōu)點(diǎn)在中小容量的變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)采用功率MOSFET式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí),同一臂上的兩個(gè)功率器件在轉(zhuǎn)換過(guò)程中,柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)
2018-08-27 16:00:08

驅(qū)動(dòng)BLDC電機(jī)的開(kāi)啟高端和低端MOSFET

描述DC-DC 轉(zhuǎn)換 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項(xiàng)目最初旨在為驅(qū)動(dòng) BLDC 電機(jī)的開(kāi)啟高端和低端 MOSFET。最好將此設(shè)計(jì)與柵極驅(qū)動(dòng)器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26

A4989SLDTR-T代替A3986 大功率工業(yè)用雙極二相步進(jìn)電機(jī)雙全柵極驅(qū)動(dòng)器 30-500W

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CK5G14三相柵極驅(qū)動(dòng)器 CK5G14門(mén)極驅(qū)動(dòng)器 普誠(chéng)授權(quán)代理商

CK5G14 在同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 250V 柵極驅(qū)動(dòng)器,特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)。芯片內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間和上下管直通保護(hù),非常有效地阻止
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DRV8313驅(qū)動(dòng)器中文資料

,盡管它也可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)螺線管其他負(fù)載。每個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)通道由N通道功率MOSFET組成,配置在1/2 H配置中。每個(gè)1/2 H驅(qū)動(dòng)器都有一個(gè)專(zhuān)用的接地端子,允許獨(dú)立的外部電流感應(yīng)?! ≡贒RV8313
2020-07-10 14:23:52

FAN73832 具有可變死區(qū)時(shí)間和關(guān)斷保護(hù) 柵極驅(qū)動(dòng)器IC

FAN73832 是一款、柵極驅(qū)動(dòng) IC,帶關(guān)斷和可編程死區(qū)時(shí)間控制功能,能驅(qū)動(dòng) MOSFETIGBT,工作電壓高達(dá) +600 V。飛兆的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可使高側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv
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FAN73912MX 工業(yè)級(jí)電機(jī)解決方案 柵極驅(qū)動(dòng) IC

FAN73912MX是一款單片柵極驅(qū)動(dòng) IC,設(shè)計(jì)用于高壓、高速驅(qū)動(dòng) MOSFETIGBT,工作電壓高達(dá) +1200 V。 HIN 的先進(jìn)輸入濾波針對(duì)噪聲產(chǎn)生的短脈沖輸入信號(hào)提供保護(hù)功能
2021-12-20 09:19:25

H功率驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

框內(nèi)的左下臂驅(qū)動(dòng)電路.    集電極開(kāi)路器件U14是將TTL電平轉(zhuǎn)換成CMOS電平的緩沖/驅(qū)動(dòng)器,當(dāng)U14輸出低電平時(shí),功率MOSFET管VT2的柵極
2009-08-20 18:24:15

H驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與原理

  驅(qū)動(dòng)電路中通常要用硬件電路當(dāng)?shù)乜刂?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān),電機(jī)驅(qū)動(dòng)板主要采用兩種驅(qū)動(dòng)芯片,一種是驅(qū)動(dòng)HIP4082,一種是驅(qū)動(dòng)IR2104,電路是兩個(gè)MOS管組成的振蕩,電路是四個(gè)MOS管組成
2020-07-15 17:35:23

IRS26302DJBPF高速功率MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)器相關(guān)資料分享

概述:IRS26302DJBPF美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)器,它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起,在最高20V
2021-05-18 07:25:34

LN4318替代FD6288 250V 三相柵極驅(qū)動(dòng)器 南麟電子 南麟一級(jí)代理

■ 產(chǎn)品概述LN4318 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的 250V高壓三相柵極驅(qū)動(dòng)器,具有三路獨(dú)立的高低邊輸出,可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)電路中的高壓大功率 MOSFET IGBT。LN4318
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LN8322 電子煙、無(wú)線充 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LN8322SR南麟代理商30V驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC代替RT9612

/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式,給方案設(shè)計(jì)帶來(lái)更多的選擇。/轉(zhuǎn)換同步降壓、升降壓拓?fù)潆娮訜?、無(wú)線充 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電源電壓工作范圍為 4.5V
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Multisim 逆變 IGBT驅(qū)動(dòng)問(wèn)題

本人最近利用Multisim軟件在做一個(gè)逆變電路,用到里面自帶的IGBT模塊,按說(shuō)明文檔驅(qū)動(dòng)電壓為±20V,然而給定驅(qū)動(dòng)脈沖,IGBT并未正常開(kāi)通、關(guān)斷,本人用到的脈沖發(fā)生模塊為Sources
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NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,提供兩路輸出,用于NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器

采用任何其他高側(cè)+低側(cè))配置。它使用自舉技術(shù)確保正確驅(qū)動(dòng)高端電源開(kāi)關(guān)。驅(qū)動(dòng)器采用2個(gè)獨(dú)立輸入,以適應(yīng)任何拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(包括,非對(duì)稱(chēng),有源鉗位和
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STGAP2HD和STGAP2SICD電流隔離型4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器

的虛假開(kāi)關(guān)。對(duì)于這兩個(gè)通道,該器件可以提供高達(dá)4A的強(qiáng)大柵極控制信號(hào),其雙輸出引腳為柵極驅(qū)動(dòng)提供了額外的靈活性。有源Miller鉗位功能可在拓?fù)涞目焖贀Q向期間避免柵極峰。
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【轉(zhuǎn)帖】如何實(shí)現(xiàn)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器?

采用小型封裝的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合隔離的基本驅(qū)動(dòng)器(如圖1所示)以極性相反的信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFETIGBT)的柵極,由此來(lái)控制輸出功率
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一文研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能

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三相逆變器的隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估系統(tǒng)設(shè)計(jì)

柵極驅(qū)動(dòng)器的 +16V/-8V 電壓,能夠通過(guò)具有外部 BJT/MOSFET 緩沖的單極雙極電源為柵極驅(qū)動(dòng)器供電可針對(duì)反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動(dòng)器輸入可選擇通過(guò)如下方式評(píng)估系統(tǒng):柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
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具有升壓穩(wěn)壓N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器

LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V(絕對(duì)最大值)的高壓(HV)軌道上工作
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雙全MOSFET步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)原理圖、程序、教程說(shuō)明

本設(shè)計(jì)介紹的是THB8128大功率、高細(xì)分兩相混合式步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì),見(jiàn)附件下載其原理圖和測(cè)試代碼等。該THB8128步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器支持雙全MOSFET驅(qū)動(dòng),低導(dǎo)通電阻Ron=0.4Ω(上
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可避免柵極電流回路機(jī)制的并聯(lián)IGBT驅(qū)動(dòng)器

驅(qū)動(dòng)配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器級(jí)(驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度不足)以及系統(tǒng)級(jí)均會(huì)帶來(lái)挑戰(zhàn):難以在兩個(gè) IGBT 中保持相等電流分布的同時(shí)確保更快的導(dǎo)通和關(guān)斷。此參考設(shè)計(jì)使用增強(qiáng)型隔離式
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基于式變壓開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的分析

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基于隔離式Fly-Buck電源的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

來(lái)設(shè)置單極雙極 PWM 柵極驅(qū)動(dòng)器延遲時(shí)間短,上升和下降時(shí)間短提供用于驅(qū)動(dòng)的信號(hào)和電源反激式恒定導(dǎo)通時(shí)間,無(wú)需環(huán)路補(bǔ)償可以在 24V±20% 范圍內(nèi)寬松調(diào)節(jié)輸入此電路設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)測(cè)試并包含測(cè)試結(jié)果
2018-12-21 11:39:19

如何使用電流源極驅(qū)動(dòng)器BM60059FV-C驅(qū)動(dòng)SiC MOSFETIGBT?

在開(kāi)啟時(shí)提供此功能。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明,在高負(fù)載范圍和低開(kāi)關(guān)速度(《5V/ns),SiC-MOSFETIGBT的電流源驅(qū)動(dòng)與傳統(tǒng)方法相比,導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中,dv/dt 通常限制為 5V/ns,電流源驅(qū)動(dòng)器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47

如何使用高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET?

IGBT SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時(shí)間的過(guò)流保護(hù)。先進(jìn)的主動(dòng)箝位保護(hù)欠壓和過(guò)壓鎖定保護(hù)。兩個(gè) 1 安培脈沖變壓驅(qū)動(dòng)器,用于故障信號(hào)通信。IX6611設(shè)計(jì)用于為高功率開(kāi)關(guān)器件提供柵極驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 09:52:17

如何將H驅(qū)動(dòng)當(dāng)作電機(jī)步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路

MOSFET的原理是什么?MOSFET的作用是什么?H驅(qū)動(dòng)的原理是什么?如何將H驅(qū)動(dòng)當(dāng)作電機(jī)步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路?
2021-08-06 07:33:11

實(shí)現(xiàn)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

闡述這些設(shè)計(jì)理念,以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合隔離的基本驅(qū)動(dòng)器(如圖1所示)以極性相反的信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET(IGBT
2018-10-23 11:49:22

實(shí)現(xiàn)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式驅(qū)動(dòng)器的功能是驅(qū)動(dòng)臂和下橋臂N溝道MOSFET(IGBT)的柵極,通過(guò)低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗,同時(shí)通過(guò)快速開(kāi)關(guān)時(shí)間降低開(kāi)關(guān)損耗。上
2018-10-16 16:00:23

實(shí)現(xiàn)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)途徑

展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。  采用光耦合隔離的基本驅(qū)動(dòng)器(如圖1所示)以極性相反的信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFETIGBT)的柵極,由此來(lái)控制
2018-09-26 09:57:10

峰岹代理商 FD6288 FD6287 ? 柵極驅(qū)動(dòng) 三相250V柵極驅(qū)動(dòng)器 峰岹代理 電機(jī)驅(qū)動(dòng) 驅(qū)動(dòng)

FD6288T&Q 是一款集成了三個(gè)獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)集成電路芯片,專(zhuān)為高壓、高速驅(qū)動(dòng) MOSFET 設(shè)計(jì),可在高達(dá)+250V 電壓下工作。FD6288T&Q 內(nèi)置 VCC/VBS
2021-06-30 11:48:09

應(yīng)用于新能源汽車(chē)的碳化硅MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的功率模塊系列  產(chǎn)品型號(hào)  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車(chē)級(jí)碳化硅MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35

應(yīng)用電路使用ADuM3100數(shù)字隔離是由高功率開(kāi)關(guān)MOSFET組成的H,由低壓邏輯信號(hào)控制

和低側(cè)。該電路還在控制側(cè)和電源側(cè)之間提供電流隔離。 ADuM7234是一款隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,采用iCoupler技術(shù)提供獨(dú)立且隔離的高端和低端輸出,因此可以在H中專(zhuān)門(mén)使用N溝道MOSFET。該電路可用于電機(jī)控制,帶嵌入式控制接口的電源轉(zhuǎn)換,照明,音頻放大器和不間斷電源(UPS)
2019-11-07 08:53:19

怎么實(shí)現(xiàn)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)?

怎么實(shí)現(xiàn)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)?
2021-10-11 07:18:56

意法半導(dǎo)體推出功能豐富的電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,為碳化硅功率晶體管提供更好控制和保護(hù)

位功能,可用于各種開(kāi)關(guān)拓?fù)淇刂铺蓟瑁⊿iC)MOSFETIGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專(zhuān)用引腳,為設(shè)計(jì)人員防止配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡(jiǎn)便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25

推挽,如何選擇

對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)電路形式,常用推挽式電路,增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力而功率放大的電路形式,常使用或者的電路形式,放大功率同樣是要接外接供電電源,為什么驅(qū)動(dòng)用推挽,功放用?如果交換電路形式呢?謝謝
2020-07-15 01:34:51

推挽,,問(wèn)題,求解答

對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)電路形式,常用推挽式電路,增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力而功率放大的電路形式,常使用或者的電路形式,放大功率同樣是要接外接供電電源,為什么驅(qū)動(dòng)用推挽,功放用?如果交換電路形式呢?謝謝
2017-02-16 14:02:13

新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器不斷變化的格局

將減小元件尺寸,從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量;這些是汽車(chē)和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化,其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46

新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器不斷變化的格局

頻率將減小元件尺寸,從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量;這些是汽車(chē)和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化,其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44

新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的趨勢(shì)和格局

減小元件尺寸,從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量;這些是汽車(chē)和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化,其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32

無(wú)線充電器方案XS016MCU+/驅(qū)動(dòng)芯片

+LDO,可有效改善無(wú)線充電普遍存在的發(fā)熱高、效率低、外圍電路復(fù)雜等問(wèn)題。這種方案除了少數(shù)電阻電容以外,只有兩個(gè)主要元器件:主控和高集成度的/芯片,其中SN-D06集成了驅(qū)動(dòng)芯片、功率
2018-12-07 15:30:46

求教各位大佬:MOSFET驅(qū)動(dòng)空載為什么HO和LO都沒(méi)有輸出波形?

求教各位大佬:MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片空載時(shí)為什么HO和LO都沒(méi)有輸出波形?最近我在做D類(lèi)放大,由于是分模塊做的,驅(qū)動(dòng)芯片沒(méi)有與mosfet相連,是空載。當(dāng)我把pwm波輸入驅(qū)動(dòng)芯片后,驅(qū)動(dòng)器HO和LO無(wú)輸出。調(diào)試了半天也沒(méi)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題。各位大佬如果知道的話,請(qǐng)指點(diǎn)小弟。萬(wàn)分感謝!??!
2018-04-09 23:54:28

汽車(chē)電動(dòng)座椅中多通道柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)

每個(gè)的參數(shù)設(shè)置、晶體管的獨(dú)立協(xié)調(diào)控制以及診斷監(jiān)控。圖3:使用從MCU到DRV8718-Q1汽車(chē)柵極驅(qū)動(dòng)器的菊花鏈配置控制16個(gè)統(tǒng)一控制可減少 MCU 的工作量。只需一條命令,MCU 即可啟用
2022-11-03 07:05:16

汽車(chē)類(lèi)雙通道SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器包括BOM及層圖

描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案,可在配置驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源,其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55

淺析FD2606S柵極驅(qū)動(dòng)器

柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng) N 型功率 MOSFETIGBT。 FD2606S 內(nèi)置 VCC 和 VB 欠壓(UVLO)保護(hù)功能,防止功率管在過(guò)低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS(低至 3.3V),方便與控制設(shè)備接口。該驅(qū)動(dòng)器輸出具有最小驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖設(shè)計(jì)。
2021-09-14 07:29:33

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

管子開(kāi)關(guān)影響。  2)低傳輸延遲  通常情況,硅IGBT的應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率小于40kHZ,碳化硅MOSFET推薦應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率大于100kHz,應(yīng)用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動(dòng)器提供更低的信號(hào)
2023-02-27 16:03:36

用于三相逆變器的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)隔離型電源包括BOM及層圖

電源,輸入范圍為 24V±20%,支持用于三相逆變器(每個(gè)臂為配置)的 6 個(gè) IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器? 低波紋 (
2018-09-06 09:07:35

用于外部N通道功率mosfet控制A4940

源電壓均高于10 V,電源電壓降至7 V。對(duì)于極端的電池壓降條件,在電源電壓降至5.5 V,但柵極驅(qū)動(dòng)電壓降低的情況,可保證正常工作。A4940提供微控制的邏輯級(jí)輸出和配置的N通道功率
2020-09-29 16:51:51

用于工業(yè)應(yīng)用的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器L6390

L6390,用于工業(yè)應(yīng)用的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器。三相功率級(jí)三L6390柵極驅(qū)動(dòng)器之一的應(yīng)用電路
2019-07-08 12:28:25

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器為什么能廣泛運(yùn)用

v 額定 MOSFET 可能有一個(gè)總柵極電荷只有35 nC。為了確保支持功率譜的工具陣容,設(shè)計(jì)人員必須調(diào)節(jié)平均 VREG 電流,驅(qū)動(dòng)器可以提供給 MOSFET柵極,使 MOSFET 處于通態(tài)
2022-04-14 14:43:07

電機(jī)控制的柵極驅(qū)動(dòng)器FD6288T和Pt*5619完成兼容、電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)

驅(qū)動(dòng)器,特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)。芯片內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間和上下管直通保護(hù),非常有效地阻止電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對(duì)功率管產(chǎn)生損害
2019-12-06 13:13:21

自己搭建MOS管電路的驅(qū)動(dòng)器

有大神知道不用集成芯片搭建驅(qū)動(dòng)器的套路嗎?最近看電瓶車(chē)控制里的驅(qū)動(dòng)模塊沒(méi)有類(lèi)似驅(qū)動(dòng)器的芯片,應(yīng)該是自己搭建的,網(wǎng)上看了看也沒(méi)有類(lèi)似的東西,來(lái)請(qǐng)教一
2017-01-14 18:03:50

請(qǐng)問(wèn)怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的和門(mén)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)?

請(qǐng)問(wèn)怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的和門(mén)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)?
2021-06-17 06:45:48

采用ADuM7234隔離式驅(qū)動(dòng)器的EVAL-CN0196-EB1Z H評(píng)估板

EVAL-CN0196-EB1Z,H驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板,采用隔離式驅(qū)動(dòng)器。 CN0196是由高功率開(kāi)關(guān)MOSFET組成的H,其由低壓邏輯信號(hào)控制。該電路在邏輯信號(hào)和高功率電橋之間提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02

采用小型封裝的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的能力

采用小型封裝的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03

隔離驅(qū)動(dòng)電路功能與優(yōu)勢(shì)

負(fù)切換電壓范圍內(nèi),可靠地控制各種MOSFET配置開(kāi)關(guān)特性。為了確保安全和簡(jiǎn)化測(cè)試,選擇12 V直流電源作為本設(shè)計(jì)的電源。自舉柵極驅(qū)動(dòng)電路高端和低端的柵極驅(qū)動(dòng)器電源是不同的。低端柵極驅(qū)動(dòng)電壓以地為
2018-10-24 10:28:10

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器揭秘

通道的器件,此規(guī)格的表述方式相同,但被稱(chēng)為通道間偏斜。傳播延遲偏斜通常不能在控制電路中予以補(bǔ)償。圖6顯示了ADuM4121柵極驅(qū)動(dòng)器的典型設(shè)置,其結(jié)合功率MOSFET使用,采用配置,適合電源和電機(jī)
2018-10-25 10:22:56

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的揭秘

6顯示了ADuM4121柵極驅(qū)動(dòng)器的典型設(shè)置,其結(jié)合功率MOSFET使用,采用配置,適合電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。在這種設(shè)置中,如果Q1和Q2同時(shí)導(dǎo)通,有可能因?yàn)殡娫春徒拥匾_短路而發(fā)生直通。這可
2018-11-01 11:35:35

TI驅(qū)動(dòng)器UCC27714

4-A、600V 柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:05

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

               TF2183(4)M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在配置驅(qū)動(dòng)n-通道
2023-02-27 17:04:43

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

        TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在配置驅(qū)動(dòng)n通道MOSFETigbt。TF半導(dǎo)體的高壓過(guò)程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在配置驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過(guò)程使TF2103M高側(cè)切換到600V的引導(dǎo)操作
2023-06-25 16:39:30

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TF2104M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在配置驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過(guò)程使TF2104M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 09:27:41

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TF21844M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在配置驅(qū)動(dòng)n通道MOSFETIGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過(guò)程使TF21844M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TF2304M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在配置驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過(guò)程使TF2304M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 15:48:29

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TF2003M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在配置驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過(guò)程使TF2003M高側(cè)切換到250V的引導(dǎo)操作
2023-06-27 16:35:30

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TFB0504是一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器,內(nèi)部集成了自舉二極管,能夠在配置驅(qū)動(dòng)n通道mosfetigbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝,使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-27 17:01:42

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TFB0527是一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器,內(nèi)部集成了自舉二極管,能夠在配置驅(qū)動(dòng)n通道mosfetigbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝,使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-28 17:08:12

三相/IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TF2136M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,設(shè)計(jì)用于高壓、高速應(yīng)用,驅(qū)動(dòng)配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF2136M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:46:50

SA2601矽塔科技600V單相柵極驅(qū)動(dòng)芯片SOP8

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601矽塔科技600V單相柵極驅(qū)動(dòng)芯片SOP8,原裝現(xiàn)貨 柵極動(dòng)心片.柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一種用于驅(qū)動(dòng)功率器件(例如電力 MOSFETIGBT
2023-11-07 17:06:58

Diodes推出ZXGD3005E6 10A柵極驅(qū)動(dòng)器

Diodes公司推出ZXGD3005E6 10A柵極驅(qū)動(dòng)器,在電源、太陽(yáng)能逆變器和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路中,實(shí)現(xiàn)超快速的功率MOSFETIGBT負(fù)載切換
2011-03-25 11:29:471088

使用MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT驅(qū)動(dòng)器

柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比,IGBT驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開(kāi)關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用,因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制

通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941

基于IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案

本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分;驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器揭秘

摘要 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱(chēng)為
2021-01-28 08:13:3820

MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理

MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763

意法半導(dǎo)體推出功率MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578

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