SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值,2020年破10億美元

　　市場研究機構(gòu)IHS最新統(tǒng)計報告指出，隨著愈來愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采用；與此同時，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體也已開始進入市場，預(yù)估全球SiC與GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值，將由2015年的2億1，000萬美元，快速成長至 2020年的10多億美元，并于2025年達(dá)到37億美元規(guī)模。

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半導(dǎo)體(200957) 半導(dǎo)體(200957)
SiC(61349) SiC(61349)
GaN(67128) GaN(67128)

功率半導(dǎo)體需求旺預(yù)計2030年SiC增長10倍，GaN翻至60倍

年相比）SiC成長10倍，GaN翻至60倍，Si增長45.1％。該機構(gòu)指出，SiC功率半導(dǎo)體市場主要在中國和歐洲擴張，從2017年~2018年，SiC增長41.8％至3.7億美元。目前，SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）占70％，并且主要在信息和通信設(shè)備領(lǐng)域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低，預(yù)計將進一

2019-06-25 11:22:42

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未來十年將是GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場，將以18%速度增長

在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體

2013-04-26 10:10:04

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半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 10:51:10

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基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計

（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進軍。使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來獲

2021-04-06 17:50:53

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重磅發(fā)布！TI發(fā)布首款汽車級GaN FET：功率密度翻倍，效率達(dá)99%！

(電子發(fā)燒友網(wǎng)報道文/章鷹)近日，著名調(diào)研機構(gòu)Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報告》顯示，在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下，碳化硅（SiC）和氮化

2020-11-18 09:40:57

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具有SiC和GaN的高功率

電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。

2022-07-27 10:48:41

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功率半導(dǎo)體的革命：SiC與GaN的共舞

功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。

2013-03-07 14:43:02

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GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場有望在2027年達(dá)45億美元

全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為7億美元，預(yù)計2021年至2027年的復(fù)合年增長率

2021-05-21 14:57:18

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同是功率器件，為什么SiC主要是MOSFET，GaN卻是HEMT

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子

2023-12-27 09:11:36

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2006年全球25大半導(dǎo)體廠商排名-帶營收額說明

2006年全球25大半導(dǎo)體廠商排名以下為iSuppli此次評出的2006年全球25大半導(dǎo)體廠商排名：  1. 英特爾，營收額313.59億美元

2008-05-26 14:32:52

2016年全球半導(dǎo)體營收排行

今年前20大半導(dǎo)體供貨商營收排名計算。采芯網(wǎng)表示，聯(lián)發(fā)科受惠于中國大陸手機客戶OPPO、Vivo快速成長，可望推升今年營收達(dá)86.1億美元，年增29%，不僅為成長幅度第二大的廠商，更超越英飛凌與ST

2016-11-22 18:11:46

2016上半年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究報告

與宏力半導(dǎo)體合并后的企業(yè)）和華力微電子業(yè)相繼啟動新一輪的產(chǎn)能擴增計劃；在增加（元器件）產(chǎn)能的驅(qū)動下，2016年整個上半年的IC制造業(yè)產(chǎn)值達(dá)到70.4億美元，復(fù)合增長率為11.3%。在IC設(shè)計也保持強勁

2016-06-30 17:26:58

2017年全球壓力感測器產(chǎn)值達(dá)73.4億美元

劃分》表示，全球壓力感測器市場的產(chǎn)值在2011年為51.1億美元，預(yù)計到2017年達(dá)到73.4億美元，2012至2017年的年均復(fù)合增長率為6.3%。壓力感測器在2011年的總出貨量為87億個，預(yù)計到

2012-12-12 15:56:00

2017年全球壓力感測器產(chǎn)值達(dá)73.4億美元

2012-12-12 15:57:25

5G會給半導(dǎo)體帶來什么投資機會

Yole數(shù)據(jù)顯示2017年GaN射頻器件市場規(guī)模約3.8億美元。其中電信、軍事領(lǐng)域的市場占比分別為40%、38%。預(yù)計2023年將達(dá)到13億美元，其中電信、軍事領(lǐng)域的市場占比分別為43%、34

2019-06-11 04:20:38

5G創(chuàng)新，半導(dǎo)體在未來的發(fā)展趨勢將會如何？

2019年中美貿(mào)易戰(zhàn)打響，全球經(jīng)濟衰退并沒有阻擋科技的發(fā)展趨勢。從全球半導(dǎo)體巨頭來看，我國研究調(diào)整機構(gòu)將根據(jù)科技、5g、人工智能的發(fā)展趨勢，汽車、AR應(yīng)用和云數(shù)據(jù)中心成為推動2020年半導(dǎo)體增長

2019-12-03 10:10:00

5G和電動車的興起讓化合物半導(dǎo)體成為新貴

仍在于Wafer Cost，根據(jù)yole development測算，單片成本SiC比Si基產(chǎn)品高出7-8倍。研究機構(gòu)IHS預(yù)測到2025年SiC功率半導(dǎo)體的市場規(guī)模有望達(dá)到30億美元。在未來的10

2019-05-06 10:04:10

2020年度河北gan部開始了嗎？

2020年度河北gan部開始了嗎？，現(xiàn)在已經(jīng)可以做了，有什么問題可以聯(lián)系我

2020-02-21 21:47:02

GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢

2023-06-19 09:28:46

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)

2023-06-25 09:38:13

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)

2023-06-19 11:00:42

GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命

GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)

2023-06-19 11:41:21

GaN功率IC實現(xiàn)了安徽世界上最小的大時代筆電電源適配器怎么樣

，其設(shè)計的方案滿足所有這些挑戰(zhàn)；與舊式慢速基于硅的半導(dǎo)體設(shè)計相比，成本相近甚至更低?！薄　?yīng)需而生的GaN功率IC　　Stephen解釋說，速率與效率是電源設(shè)計中兩個至關(guān)重要的參數(shù)，至今常用的半導(dǎo)體材料

2017-09-25 10:44:14

GaN和SiC區(qū)別

半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC

2022-08-12 09:42:07

GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體

2019-06-25 07:41:00

SiC GaN有什么功能？

基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器

2019-07-31 06:16:52

SiC/GaN功率開關(guān)有什么優(yōu)勢

新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊

2018-10-30 11:48:08

SiC/GaN具有什么優(yōu)勢？

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢

2021-03-10 08:26:03

功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢如何？

功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。

2020-04-07 09:00:54

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域國產(chǎn)替代加速，華秋與MDD達(dá)成合作，精選型號限時9折！

程度不斷增加，功率半導(dǎo)體需求提升，器件應(yīng)用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導(dǎo)體市場將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對應(yīng)復(fù) 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025

2022-11-11 11:15:56

半導(dǎo)體庫存水位上漲半導(dǎo)體市場回暖趨勢明顯

預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)回暖趨勢明朗。4月份全球半導(dǎo)體銷售額環(huán)比改善明顯。據(jù)Wind數(shù)據(jù)顯示，4月份全球半導(dǎo)體銷售額為240.7億美元，環(huán)比增幅達(dá)到3.39%，創(chuàng)2010年5月份以來的新高；同比下降2.11

2012-06-12 15:23:39

半導(dǎo)體行業(yè)的趨勢

以及芯片本身。”結(jié)果也證明多年的鋪墊、耕耘以及巨額的研發(fā)投入已經(jīng)讓Altera變得更強。目前Altera分布在20個國家，有3000名員工，憑借17.3億美元的收入成為全球可編程半導(dǎo)體業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者

2019-06-25 06:31:51

IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管

`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件

2021-04-01 10:35:32

SuperData：預(yù)計2020年全球虛擬現(xiàn)實VR市場規(guī)?？蛇_(dá)280億美元

年的銷量預(yù)測從最初的260萬部降至74.5萬部。但是SuperData依然相信，到2020年，消費版VR軟件的銷售額將從2016年的4.07億美元增長至140億美元。 SuperData

2016-12-15 14:32:33

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化鎵發(fā)展技術(shù)

/ xzl1019 未來 5 年 GaN 預(yù)測的最大市場是移動快速充電，預(yù)計到 2025 年市場將達(dá)到 7 億美元 xi.ii 硅設(shè)計繼續(xù)被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W，大多數(shù)新的更高功率、旗艦智能手機充電器設(shè)計（從 45 W 到 100 W）都是 GaN。如有侵權(quán)，請聯(lián)系作者刪除

2021-07-06 09:38:20

【華秋×薩科微】2023年半導(dǎo)體行業(yè)將迎全新發(fā)展良機

半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概覽WSTS 預(yù)測，2023年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將同比減少4.1％，降至 5,566億美元，但這一波下行周期有望在2023年下半年出現(xiàn)拐點，受益于國際行情，中國半導(dǎo)體市場占全球半導(dǎo)體

2023-03-17 11:08:33

三星半導(dǎo)體發(fā)展面臨巨大挑戰(zhàn)

支MAX3232EUE+T出較前一年增加，前5大半導(dǎo)體廠的資本支出分別為三星電子131億美元、英特爾112億美元、臺積電約83億K1667美元、海力士約37億美元、GlobalFoundries約31

2012-09-21 16:53:46

中國半導(dǎo)體市場份額進一步提升，2023年將迎全新發(fā)展良機

2023-03-17 11:13:35

為什么GaN會在射頻應(yīng)用中脫穎而出？

方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過

2019-08-01 07:24:28

什么是基于SiC和GaN的功率半導(dǎo)體器件？

元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力?！　』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件　　碳化硅

2023-02-21 16:01:16

今年半導(dǎo)體市場不看手機臉色

％，Gartner表示，2018年全球半導(dǎo)體營收預(yù)估將達(dá)到4,510億美元，相較2017年的4,190億美元增加7.5%。雖然手機市場趨緩，但今年半導(dǎo)體市場依舊大好，臺積電就預(yù)測今年仍將有最高達(dá)15

2018-01-29 15:41:31

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身

2021-09-23 15:02:11

全球功率半導(dǎo)體市場格局：MOSFET與IGBT模塊

2022-11-11 11:50:23

全球功率半導(dǎo)體市場格局：前十名供應(yīng)商全是海外企業(yè)？

2022-11-11 11:46:29

全球半導(dǎo)體產(chǎn)值再創(chuàng)新高，AOI設(shè)備需求熱度有望保持

根據(jù)OFweek行業(yè)研究中心最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)表明，2015年全球半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)值3373億美元，較2014年3336億美元微幅增長1.1%，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)值373億美元，與2014年基本持平。在全球智能產(chǎn)業(yè)

2016-02-16 11:33:37

全球前10大IC設(shè)計公司排名出爐

是第三名由華裔黃仁勛創(chuàng)辦的NVIDIA，第五名邁威爾(Marvell)，為印度尼西亞華裔周秀文、戴偉立夫婦共同創(chuàng)立。　　報告指出，全球IC設(shè)計業(yè)產(chǎn)值約為117億美元，較上季下滑8%；IC設(shè)計產(chǎn)值在半導(dǎo)體

2008-05-26 14:28:44

半橋GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計

升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體

2023-06-21 11:47:21

富信半導(dǎo)體：投資10億擴產(chǎn)片式電阻，月產(chǎn)250億只

。位于安徽省馬鞍山的半導(dǎo)體分立器件制造商“安徽富信半導(dǎo)體科技有限公司”，憑借良好的地域優(yōu)勢與時代趨勢，積極研究市場需求，深化市場布局，為快速擴大市場份額開啟了“月產(chǎn)250億只片式電阻”項目：投資10億

2021-12-31 11:56:10

常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？

常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？

2021-11-02 07:13:30

德州儀器第二季度營收37億美元同比增長13%

德州儀器是一家全球性的半導(dǎo)體公司，也是世界一流的實時數(shù)字處理解決方案的設(shè)計商和提供商。自1996年轉(zhuǎn)型成專注于為信號處理市場生產(chǎn)半導(dǎo)體，在全球約有30300名雇員，并在亞洲、歐洲和美洲的超過25個

2017-07-28 14:27:01

意法半導(dǎo)體公布2018年第三季度財報

（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）公布了按照U.S. GAAP(美國通用會計準(zhǔn)則)編制的截至2018年9月29日的第三季度財報。意法半導(dǎo)體第三季度實現(xiàn)凈營收25.2億美元，毛利率

2018-10-29 11:42:21

意法半導(dǎo)體公布2018年第二季度財報

：STM）公布截至2018年6月30日的第二季度財報（按照美國通用會計準(zhǔn)則制定）。2018年第二季度凈營收和毛利率均高于公司上個季度財報業(yè)務(wù)展望的中位數(shù)。意法半導(dǎo)體第二季度財報凈營收為22.7億美元，毛利率

2018-07-26 17:11:14

我國半導(dǎo)體照明技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程及未來展望

的關(guān)鍵所在，還需在研發(fā)人才培養(yǎng)、積累技術(shù)加大投入，突破關(guān)鍵技術(shù)完善專利布局，提升產(chǎn)業(yè)競爭力，推動半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展。2015年我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)值達(dá)4245億元人民幣，相比2014年增長21

2016-03-03 16:44:05

報名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會

`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)

2017-07-11 14:06:55

掙一個億，對半導(dǎo)體企業(yè)來說真不是小目標(biāo)

Insights的報告顯示，2015年營收排前二十的半導(dǎo)體廠商包括了Intel、三星、TSMC、SK海力士和高通等企業(yè)，排名前二十的廠商中，收入最高的是英特爾503億美元，而最低的是飛思卡爾的44億美元。當(dāng)然

2016-09-01 11:36:32

未來5年，GaN功率半導(dǎo)體市場會發(fā)生哪些變化？

市場將以93%的年復(fù)合成長率(CAGR)成長，預(yù)計在2020年時可望達(dá)到3千萬美元的產(chǎn)值。目前銷售GaN功率組件的主要半導(dǎo)體業(yè)者包括英飛凌/IR、宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EfficientPower

2015-09-15 17:11:46

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊

2021-03-09 06:33:26

淺析化合物半導(dǎo)體技術(shù)

美元增長到2022年25億美元1。此外，隨著通信行業(yè)對器件性能的要求逐漸提高，GaN、GaAs等化合物半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，傳統(tǒng)硅工藝器件逐漸被取代，預(yù)計到2025年，化合物半導(dǎo)體將占據(jù)射頻器件市場份額的80%以上。

2019-06-13 04:20:24

用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級6.78 MHz功率放大器設(shè)計資料

用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級6.78 MHz功率放大器設(shè)計

2023-06-21 11:45:06

碳化硅與氮化鎵的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8

2019-05-09 06:21:14

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億

2021-01-12 11:48:45

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元，同比增長15.77%。2020年H1，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元，同比增長16.1%。每一次材料的更新?lián)Q代，都是產(chǎn)業(yè)的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高鐵、太陽能光伏、風(fēng)能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領(lǐng)域均有不小單的作用。

2021-03-25 14:09:37

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制

2023-06-25 07:17:49

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請聯(lián)系站內(nèi)信進行刪除

2019-04-13 22:28:48

第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件

(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs

2017-06-16 10:37:22

芯言新語 | 從技術(shù)成熟度曲線看新型半導(dǎo)體材料

材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見光波段的發(fā)光特性、高擊穿場強、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢，可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過多年的發(fā)展

2017-02-22 14:59:09

適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)

　　本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至

2020-12-21 07:09:34

重磅突發(fā)！又一家芯片公司被收購，價格57億

，共同開發(fā)氮化鎵功率器件。之后，兩家企業(yè)還與富達(dá)投資（Fidelity）一道，于2021年底向GaN Systems投資1.5億美元，推動公司的產(chǎn)品研發(fā)和市場推廣。另外，公司還與車規(guī)半導(dǎo)體重要原廠瑞薩

2023-03-03 16:48:40

飛兆半導(dǎo)體公布2011年第二季業(yè)績成長快

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)公布截至2011年6月26日為止的 2011 年第二季業(yè)績報告。飛兆半導(dǎo)體報告第二季的銷售額為 4.332億美元，比上季增長5%，較

2011-07-31 08:51:14

功率半導(dǎo)體材料GaN和SiC使用新趨勢

“功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)

2012-07-02 11:18:33

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半導(dǎo)體行業(yè)成長暗淡產(chǎn)值進入衰退期

市調(diào)機構(gòu)顧能(Gartner)二度下修2012與2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值年增率，從今年10月修正的0.6%與6.9%，再修正為負(fù)3%與4.2%，修正后預(yù)估今、明兩年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值為2,980億美元與3,100億美元。

2012-11-19 09:09:31

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第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件

，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率

2017-11-09 11:54:52

第三代半導(dǎo)體材料將進入高速成長期 5G/汽車電子正在路上

2018-03-29 18:48:00

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第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展

2018-03-29 14:56:12

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5G與汽車電子的發(fā)展,將帶動第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展

2018-03-29 14:52:50

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2027年超越100億美元！GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模暴增

功率半導(dǎo)體市場一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動力及電動汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長。

2018-05-23 15:00:05

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2027年功率半導(dǎo)體市場超越100億美元

新興市場碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體預(yù)計將在2020年達(dá)到近10億美元，推動力來自混合動力及電動汽車、電力和光伏（PV）逆變器等方面的需求。

2018-11-02 15:12:23

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第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值

2020-03-15 09:56:57

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半導(dǎo)體材料：Si、SiC和GaN

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。

2020-08-27 16:26:00

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功率半導(dǎo)體和5G的新寵——GaN和SiC

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一共分三個階段，第一代半導(dǎo)體材料是硅(Si)，第二代半導(dǎo)體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件，而現(xiàn)在最熱門的是第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN和SiC，相較前兩代產(chǎn)品

2022-12-09 10:46:48

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5種羅姆常用的SiC功率器件介紹（上）

汽車日漸走向智能化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，加上5G商用在即，這些將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元

2023-02-02 16:19:59

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SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體市場趨勢，2019 年以來發(fā)生了什么變化？

預(yù)計在 2021 年突破 10 億美元。報告表示，全球 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體的銷售收入，預(yù)計從 2018 年的 5.71 億美元增至 2020 年底的 8.54 億美元。預(yù)計未來十年，每年

2020-11-16 10:19:32

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電裝深耕SiC功率半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)

為實現(xiàn)低碳社會，電裝開始量產(chǎn)搭載了高品質(zhì)SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體的新一代升壓用功率模塊＊1。2020年12月9日在日本正式發(fā)售的豐田新一代“MIRAI”車型就搭載了該產(chǎn)品。持續(xù)布局深耕SiC

2020-12-21 16:20:26

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2020年LED產(chǎn)值僅達(dá)151.27億美元，年減10%

根據(jù)TrendForce旗下光電研究處的最新報告，2020年LED產(chǎn)業(yè)受到新冠肺炎疫情沖擊，市場需求明顯下滑，預(yù)估產(chǎn)值僅達(dá)151.27億美元，年減10%，是歷年罕見的衰退幅度。展望2021年，隨著

2020-12-28 16:33:13

2012

SiC功率器件和GaN功率、射頻器件介紹

第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢

2021-05-03 16:18:00

10174

第三代半導(dǎo)體高速成長GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

2021年6月，富士經(jīng)濟對SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場進行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場預(yù)計到 2030 年將達(dá)到 40471 億日元，而 2020 年為 28043

2021-06-23 14:25:03

2039