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      CSD17556Q5B 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17556Q5B

      數(shù)據(jù)：

      描述

      此30V，1.2mΩ，5mm×6mm NexFET?功率MOSFET旨在最大限度地減小同步整流和其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 /p>

      特性

      • 極低電阻
      • 超低Q g 和Q gd
      • 低熱阻
      • 雪崩級(jí)
      • 無(wú)鉛引腳鍍層
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 無(wú)鹵素
      • SON 5mm×6mm塑料封裝

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD17556Q5B
      30 ? ?
      Single ? ?
      1.8 ? ?
      1.4 ? ?
      400 ? ?
      28.5 ? ?
      6.9 ? ?
      SON5x6 ? ?
      20 ? ?
      1.4 ? ?
      215 ? ?
      100 ? ?
      Yes ? ?

      方框圖 (1)

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
      元器件購(gòu)買 CSD17556Q5B 相關(guān)庫(kù)存

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