這些八進(jìn)制緩沖器和線路驅(qū)動(dòng)器專門用于改善三態(tài)存儲(chǔ)器地址驅(qū)動(dòng)器，時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器和面向總線的接收器的性能和密度和發(fā)射器。這些器件與SN54ABT2240，SN74ABT2240A和'ABT2241一起提供了反相和同相輸出的選定組合，對(duì)稱低電平有效輸出使能（OE \）輸入以及互補(bǔ)OE和OE \輸入的選擇。這些設(shè)備具有高扇出和改進(jìn)的扇入功能。

輸出設(shè)計(jì)可吸收高達(dá)12 mA的電流，包括等效的25系列電阻，可減少過沖和下沖。

當(dāng)VCC介于0和2.1 V之間時(shí)，器件在上電或斷電期間處于高阻態(tài)。但是，為了確保2.1 V以上的高阻態(tài)，OE \應(yīng)通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅(qū)動(dòng)器的電流吸收能力決定。

SN54ABT2244A的特點(diǎn)是可在-55°C至125°C的整個(gè)軍用溫度范圍內(nèi)工作。 SN74ABT2244A的特點(diǎn)是在-40°C至85°C的溫度范圍內(nèi)工作。

• 輸出端口具有等效的25系列電阻，因此無需外部電阻
• ESD保護(hù)每MIL超過2000 V -STD-883，方法3015;使用機(jī)器型號(hào)超過200 V（C = 200 pF，R = 0）
• 每個(gè)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD-17的閂鎖性能超過500 mA
• 最先進(jìn)的技術(shù)EPIC -IIBTMBiCMOS設(shè)計(jì)顯著降低功耗
• 典型的VOLP（輸出接地反彈）＆lt; 1 V在VCC= 5 V，TA= 25°C
• 上電和斷電期間的高阻態(tài)
• 封裝選項(xiàng)包括塑料小外形（DW），收縮小外形（DB）和薄收縮小外形（PW）封裝，陶瓷芯片載體（FK），塑料（N）和陶瓷（J）DIP以及陶瓷扁平（W）封裝

EPIC-IIB是商標(biāo)德州儀器公司。