HMC-MDB218 次諧波I/Q混頻器/IRM芯片,54 - 64 GHz
數(shù)據(jù):
HMC-MDB218產(chǎn)品技術(shù)英文資料手冊(cè)
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
- 寬IF帶寬: DC - 3 GHz
- RF頻率: 54至64 GHz
- LO頻率 27至32 GHz
- 高鏡像抑制: 30 dB
- 無(wú)源;無(wú)需直流偏置
- 裸片尺寸: 1.54 x 1.41 x 0.1 mm
產(chǎn)品詳情
HMC-MDB218是一款次諧波(x2)MMIC混頻器,可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無(wú)源MMIC混頻器采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術(shù)制造。 針對(duì)下變頻應(yīng)用,外部正交混合器件可用于選擇所需邊帶同時(shí)抑制圖像信號(hào)。
所有焊盤(pán)和芯片背面都經(jīng)過(guò)Ti/Au金屬化,Shottky器件已完全鈍化以實(shí)現(xiàn)可靠操作。 HMC-MDB218次諧波IRM可兼容常規(guī)的芯片貼裝方法,以及熱壓縮和熱超聲線焊,非常適合MCM和混合微電路應(yīng)用。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測(cè)得。
應(yīng)用
- 短程/高容量無(wú)線電
- 衛(wèi)星通信
- 軍用雷達(dá)、ECM和EW
- 傳感器
- 測(cè)試和測(cè)量設(shè)備
方框圖