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HMC-MDB218 次諧波I/Q混頻器/IRM芯片,54 - 64 GHz

數(shù)據(jù):

優(yōu)勢和特點(diǎn)

  • 寬IF帶寬: DC - 3 GHz
  • RF頻率: 54至64 GHz
  • LO頻率 27至32 GHz
  • 高鏡像抑制: 30 dB
  • 無源;無需直流偏置
  • 裸片尺寸: 1.54 x 1.41 x 0.1 mm

產(chǎn)品詳情

HMC-MDB218是一款次諧波(x2)MMIC混頻器,可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC混頻器采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術(shù)制造。 針對下變頻應(yīng)用,外部正交混合器件可用于選擇所需邊帶同時(shí)抑制圖像信號(hào)。

所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過Ti/Au金屬化,Shottky器件已完全鈍化以實(shí)現(xiàn)可靠操作。 HMC-MDB218次諧波IRM可兼容常規(guī)的芯片貼裝方法,以及熱壓縮和熱超聲線焊,非常適合MCM和混合微電路應(yīng)用。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測得。

應(yīng)用

  • 短程/高容量無線電
  • 衛(wèi)星通信
  • 軍用雷達(dá)、ECM和EW
  • 傳感器
  • 測試和測量設(shè)備

方框圖



技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
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