FDMF6707C 超小型高性能高頻的DrMOS模塊

數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)表：FDMF6707CCN-D.pdf

XS?DrMOS系列是飛兆新一代經(jīng)全面優(yōu)化的超緊湊型集成式MOSFET加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案，適用于高電流，高頻同步降壓DC-DC應(yīng)用.FDMF6707C將一個(gè)驅(qū)動(dòng)IC，兩個(gè)功率MOSFET以及一個(gè)自舉肖特基二極管集成到熱性能增強(qiáng)型超緊湊6x6mm PQFN封裝中。
通過(guò)集成驅(qū)動(dòng)器和MOSFET動(dòng)態(tài)性能，系統(tǒng)感抗和功率MOSFET R _{DS（ON） XS?DrMOS采用飛兆半導(dǎo)體公司的高性能PowerTrench?MOSFET技術(shù)，顯著減少開(kāi)關(guān)振鈴，省去大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器電路。
死區(qū)時(shí)間和傳播延遲縮短的新型驅(qū)動(dòng)IC進(jìn)一步增強(qiáng)了該器件的性能。熱報(bào)警功能指示潛在的過(guò)溫條件.FDMF6707C還具有其他功能，比如：可提高輕負(fù)載效率的跳頻模式（SMOD）以及與大量PWM控制器兼容的三態(tài)5V PWM輸入。}

特性
■高于93％的峰值效率 ■高電流處理能力（50A） ■高性能PQFN銅片封裝 ■三態(tài)5.0V PWM輸入驅(qū)動(dòng)器 ■跳頻模式SMOD＃（低側(cè)門(mén)關(guān)斷）輸入 ■過(guò)溫條件的熱報(bào)警標(biāo)志 ■驅(qū)動(dòng)器輸出禁用功能（DISB＃引腳）） ■SMOD＃輸入和DISB＃輸入各自的內(nèi)部上拉和下拉 ■用于獲得邊沿整齊的電壓波形并減少振鈴的飛兆半導(dǎo)體PowerTrench ?技術(shù)MOSFET ■低端MOSFET中的飛兆SyncFET?（集成肖特基二極管）技術(shù) ■集成式自舉肖特基二極管 ■擊穿保護(hù)的自適應(yīng)門(mén)驅(qū)動(dòng)定時(shí) ■欠壓閉鎖（UVLO） ■薄型SMD封裝 ■飛兆綠色封裝和ROHS認(rèn)證
基于英特爾?4.0DrMOS標(biāo)準(zhǔn)

特性

■高于93％的峰值效率
■高電流處理能力（50A）
■高性能PQFN銅片封裝
■三態(tài)5.0V PWM輸入驅(qū)動(dòng)器
■跳頻模式SMOD＃（低側(cè)門(mén)關(guān)斷）輸入
■過(guò)溫條件的熱報(bào)警標(biāo)志
■驅(qū)動(dòng)器輸出禁用功能（DISB＃引腳））
■SMOD＃輸入和DISB＃輸入各自的內(nèi)部上拉和下拉
■用于獲得邊沿整齊的電壓波形并減少振鈴的飛兆半導(dǎo)體PowerTrench ?技術(shù)MOSFET
■低端MOSFET中的飛兆SyncFET?（集成肖特基二極管）技術(shù)
■集成式自舉肖特基二極管
■擊穿保護(hù)的自適應(yīng)門(mén)驅(qū)動(dòng)定時(shí)
■欠壓閉鎖（UVLO）
■薄型SMD封裝
■飛兆綠色封裝和ROHS認(rèn)證